一种基于芯片MC1496的混频电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于芯片MC1496的混频电路，包括芯片MC1496，芯片MC1496的第1引脚和第4引脚上接有射频输入电路，芯片MC1496的第8引脚和第10引脚上接有本振输入电路，芯片MC1496的第5引脚上接有偏置电压产生电路3，芯片MC1496的第6引脚和第12引脚上接有中频输出电路；芯片MC1496的第2引脚与第3引脚之间接有电阻R216，芯片MC1496的第14引脚与-5V电源的-5V电压输出端相接，且通过非极性电容C213接地；偏置电压产生电路3包括芯片LM385M3-2.5和三极管Q1。本实用新型专利技术电路结构简单，实现方便，隔离度高、动态范围高，能够有效抑制谐波，应用范围广。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于射频通信
，具体涉及一种基于芯片MC1496的混频电路。
技术介绍
混频器是射频电路中常用的器件之一，目前常用的有有源混频、无源混频等几种方式。有源混频由于需要消耗额外功率且能提供增益常常用在各类消费电子产品中，无源混频主要采用混频二极管完成。常用的有单二极管混频、二极管平衡混频等几种形式。有源混频常采用单晶体管混频，此时成本低廉但性能指标严重受限，如隔离度指标、谐波抑制指标、电路隔离度指标、动态范围指标等。现有技术中，还缺乏电路结构简单、实现方便、隔离度高、能够有效抑制谐波、电路隔离度高、高动态范围的混频电路。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种基于芯片MC1496的混频电路，其电路结构简单，设计合理，实现方便，隔离度高、动态范围高，能够有效抑制谐波，应用范围广，便于推广使用。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是:一种基于芯片MC1496的混频电路，其特征在于:包括芯片MC1496，所述芯片MC1496的第I引脚和第4引脚上接有射频输入电路，所述芯片MC1496的第8引脚和第10引脚上接有本振输入电路，所述芯片MC1496的第5引脚上接有偏置电压产生电路，所述芯片MC1496的第6引脚和第12引脚上接有中频输出电路；所述芯片MC1496的第2引脚与第3引脚之间接有电阻R216，所述芯片MC1496的第14引脚与-5V电源的-5V电压输出端相接，且通过非极性电容C213接地；所述偏置电压产生电路3包括芯片LM385M3-2.5和三极管Ql，所述芯片LM385M3-2.5的第2引脚和第3引脚均通过电阻R270与-5V电源的-5V电压输出端相接，且通过电容C270接地，所述三极管Ql的基极和集电极均与所述芯片LM385M3-2.5的第I引脚相接，且通过电阻R271与+5V电源的+5V电压输出端相接，所述三极管Ql的发射极接地，所述芯片MC1496的第5引脚通过电阻R272与所述三极管Ql的集电极相接。上述的一种基于芯片MC1496的混频电路，其特征在于:所述射频输入电路包括具有两个引脚的射频输入接口 Pl和型号为T1-6T的射频变压器Tl，所述射频变压器Tl的初级线圈的一端与射频输入接口 Pl的第I引脚相接，且通过电容C216接地，所述射频变压器Tl的初级线圈的另一端接地；所述射频变压器Tl的次级线圈的一端通过电阻R214与所述芯片MC1496的第I引脚相接，所述射频变压器Tl的次级线圈的另一端通过电阻R215与所述芯片MC1496的第4引脚相接，所述射频变压器Tl的次级线圈的两端之间并联有电阻R213和电容C217，所述射频变压器Tl的次级线圈的中间抽头通过电容C212接地。上述的一种基于芯片MC1496的混频电路，其特征在于:所述本振输入电路包括具有两个引脚的本振输入接口 P2和型号为T1-6T的射频变压器T2，所述射频变压器T2的初级线圈的一端与本振输入接口 P2的第I引脚相接，所述射频变压器T2的初级线圈的另一端接地；所述射频变压器T2的次级线圈的一端通过电阻R211与所述芯片MC1496的第8引脚相接，所述射频变压器Τ2的次级线圈的另一端通过电阻R212与所述芯片MC1496的第10引脚相接，所述射频变压器Tl的次级线圈的两端之间接有电阻R210。上述的一种基于芯片MC1496的混频电路，其特征在于:所述中频输出电路包括具有两个引脚的中频输出接口 Ρ3和型号为Τ1-6Τ的射频变压器Τ3，所述射频变压器Τ3的初级线圈的一端与中频输出接口 Ρ3的第I引脚相接，所述射频变压器Τ3的初级线圈的另一端接地；所述射频变压器Τ3的次级线圈的一端通过串联的电容C240和电容C215接地，所述电容C240和电容C215的连接端与所述芯片MC1496的第12引脚相接，且通过电阻R230与+5V电源的+5V电压输出端相接；所述射频变压器Τ3的次级线圈的另一端通过串联的电容C241和电容C214接地，所述电容C241和电容C214的连接端与所述芯片MC1496的第6引脚相接，且通过电阻R240与+5V电源的+5V电压输出端相接。本技术与现有技术相比具有以下优点:1、本技术的电路结构简单，设计合理，实现方便。2、本技术基于On Semiconductor公司生产的芯片MC1496来实现混频电路，测试结果表明其隔离度能够达到120dB以上，同时，中频滤波器1Hz左右时候，其动态范围能够达到120dB以上，隔离度高、动态范围高。3、本技术能够有效抑制谐波。4、本技术的最大射频输入电平可达+lOdBm，在线性度要求优于0.02dB的情况下，其最大射频输入电平仍为+4dBm，满足多种精密测试系统的使用需求，应用范围广，便于推广使用。综上所述，本技术电路结构简单，设计合理，实现方便，隔离度高、动态范围高，能够有效抑制谐波，应用范围广，便于推广使用。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。【附图说明】图1为本技术的电路原理图。附图标记说明:I一射频输入电路；2—本振输入电路；3—偏置电压产生电路；4一中频输出电路。【具体实施方式】如图1所示，本技术包括芯片MC1496，所述芯片MC1496的第I引脚和第4引脚上接有射频输入电路I，所述芯片MC1496的第8引脚和第10引脚上接有本振输入电路2，所述芯片MC1496的第5引脚上接有偏置电压产生电路3，所述芯片MC1496的第6引脚和第12引脚上接有中频输出电路4 ;所述芯片MC1496的第2引脚与第3引脚之间接有电阻R216，所述芯片MC1496的第14引脚与-5V电源的-5V电压输出端相接，且通过非极性电容C213接地；所述偏置电压产生电路3包括芯片LM385M3-2.5和三极管Ql，所述芯片LM385M3-2.5的第2引脚和第3引脚均通过电阻R270与-5V电源的-5V电压输出端相接，且通过电容C270接地，所述三极管Ql的基极和集电极均与所述芯片LM385M3-2.5的第I引脚相接，且通过电阻R271与+5V电源的+5V电压输出端相接，所述三极管Ql的发射极接地，所述芯片MC1496的第5引脚通过电阻R272与所述三极管Ql的集电极相接。如图1所示，本实施例中，所述射频输入电路I包括具有两个引脚的射频输入接口Pl和型号为T1-6T的射频变压器Tl，所述射频变压器Tl的初级线圈的一端与射频输入接口 Pl的第I引脚相接，且通过电容C216接地，所述射频变压器Tl的初级线圈的另一端接地；所述射频变压器Tl的次级线圈的一端通过电阻R214与所述芯片MC1496的第I引脚相接，所述射频变压器Tl的次级线圈的另一端通过电阻R215与所述芯片MC1496的第当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于芯片MC1496的混频电路，其特征在于：包括芯片MC1496，所述芯片MC1496的第1引脚和第4引脚上接有射频输入电路(1)，所述芯片MC1496的第8引脚和第10引脚上接有本振输入电路(2)，所述芯片MC1496的第5引脚上接有偏置电压产生电路(3)，所述芯片MC1496的第6引脚和第12引脚上接有中频输出电路(4)；所述芯片MC1496的第2引脚与第3引脚之间接有电阻R216，所述芯片MC1496的第14引脚与‑5V电源的‑5V电压输出端相接，且通过非极性电容C213接地；所述偏置电压产生电路(3)包括芯片LM385M3‑2.5和三极管Q1，所述芯片LM385M3‑2.5的第2引脚和第3引脚均通过电阻R270与‑5V电源的‑5V电压输出端相接，且通过电容C270接地，所述三极管Q1的基极和集电极均与所述芯片LM385M3‑2.5的第1引脚相接，且通过电阻R271与+5V电源的+5V电压输出端相接，所述三极管Q1的发射极接地，所述芯片MC1496的第5引脚通过电阻R272与所述三极管Q1的集电极相接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王静，
申请(专利权)人：西安科技大学，
类型：新型
国别省市：陕西;61