本发明专利技术提供一种半导体装置，提高半导体装置的特性。使用于半导体继电器的半导体装置构成为，具备形成于第1半导体岛区域的第1二极管、形成于第2半导体岛区域的第2二极管、覆盖第2半导体岛区域的遮光膜(多晶硅膜PS2)和将第1二极管与第2二极管电连接的配线Mb。并且，配线Mb配置成横越包围第2半导体岛区域的氧化硅膜OX的上方。另外，遮光膜位于配线Mb的下方，在与配线Mb的重叠区域具有缺口部N。这样，通过设置缺口部N，遮光膜的端部(线L1、线L2)错开配置。由此，能防止由于氧化硅膜OX上的凹部与遮光膜的阶梯而导致在配线Mb的整个宽度形成深凹部(G)，能防止配线Mb的断线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置，例如，涉及能适当地利用于半导体继电器所采用的半导体装置。
技术介绍
半导体继电器(光半导体继电器装置)是无可动接点部分的继电器(无接点继电器)的一种，是指通过使用了半导体的电子电路进行信号的输入输出。在该半导体继电器中，例如，有称为固态继电器(Solid State Relay)的继电器。在固态继电器中，在光耦合器等发光元件与晶闸管、双向可控硅、二极管、晶体管等半导体元件(半导体装置)之间的绝缘空间利用光信号与电信号进行信号的传递，使无接点的信号传递成为可能。例如，在专利文献1(日本特开平4-303973号公报)中公开了一种技术，该技术是在固态继电器用光接收元件中，由多晶半导体层覆盖光电二极管与控制电路的元件表面。专利文献1:日本特开平4-303973号公报
技术实现思路
本专利技术者从事半导体继电器的研宄开发，专心探讨提高其特性。在该过程中，明确了半导体继电器的特性有进一步改善的余地。其他的课题与新特征可以从本说明书的记载及附图得以明确。对本申请中公开的代表性的实施方式所示的结构的概要进行简单说明，如下所不O本申请中公开的代表性的实施方式所示的半导体装置具有形成于第I半导体岛区域的第I 二极管、形成于第2半导体岛区域的第2 二极管、覆盖第2半导体岛区域的遮光膜及将第I二极管与第2 二极管电连接的配线。并且，配线横越包围第2半导体岛区域的第2绝缘区域的上方，遮光膜位于配线的下方，在与配线的重叠区域具有缺口部。根据本申请中公开的代表性的实施方式所示的半导体裝置，能提高其特性。【附图说明】图1是示意性地表示实施方式I的半导体继电器的结构的电路图。图2是表示实施方式I的光接收芯片的结构的俯视图。图3是表示实施方式I的光接收芯片的结构的剖视图。图4是表示遮光膜与配线的关系的俯视图。图5是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图。图6是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图5的制造工序的剖视图。图7是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图6的制造工序的剖视图。图8是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图7的制造工序的剖视图。图9是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图8的制造工序的剖视图。图10是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的俯视图。图11是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图。图12是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图9的制造工序的剖视图。图13是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图12的制造工序的剖视图。图14是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的平剖面。图15是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图13的制造工序的剖视图。图16是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图15的制造工序的剖视图。图17是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的俯视图。图18是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图16的制造工序的剖视图。图19是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图18的制造工序的剖视图。图20是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的俯视图。图21是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图19的制造工序的剖视图。图22是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的俯视图。图23是表示实施方式I的半导体装置的制造工序的剖视图，是表示接着图21的制造工序的剖视图。图24是未在遮光膜设置缺口部的比较例的半导体装置的局部剖视图及俯视图。图25是未在遮光膜设置缺口部的比较例的半导体装置的局部剖视图及俯视图。图26是实施方式I的半导体装置的缺口部附近的放大俯视图。图27是表示实施方式2的半导体装置的缺口部的第I?第3例的俯视图。图28是表示实施方式2的半导体装置的缺口部的第4?第7例的俯视图。【具体实施方式】在以下的实施方式中为了方便起见，在有必要时分割成多个部分或实施方式进行说明，除了特别明示的情况，它们彼此并非毫无关系，而是一方为其他方的一部分或全部的变形例、应用例、详细说明、补充说明等的关系。另外，在以下的实施方式中，在提到要素的数目等(包含个数、数值、数量、范围等)的情况下，除了限定于特别明示的情况及在原理上明确的特定的数目的情况等，该特定的数目没有被限定，可以是特定的数目以上或以下。进一步，在以下的实施方式中，其构成要素(包含要素步骤等)除了考虑到特别明示的情况及原理上明确需要的情况等，不一定是必须的。同样的，在以下的实施方式中，提到构成要素等的形状、位置关系等时，除了特别明示的情况及原理上明确并非如此的情况等，包含实质上与其形状等近似或类似的形状等。该情况对于所述数目等(包含个数、数值、数量、范围等)也一样。以下，基于附图对实施方式进行详细说明。此外，在用于说明实施方式的所有附图中，对具有相同的功能的部件标记相同或关联的标号，省略重复的说明。另外，在存在多个类似的部件(部位)的情况下，有在总称的标号追加记号来表示个别或特定的部位的情况。另外，在以下的实施方式中，除特别需要时以外，原则上对相同或同样的部分的说明不进行重复。另外，在实施方式中使用的附图中，即使是剖视图也有为了容易观察附图而省略剖面线的情况。另外，即使是俯视图也有为了容易观察附图而附加剖面线的情况。另外，在剖视图及俯视图中，各部位的大小不与实际设备对应，为了容易理解附图，有将特定的部位显示得相对较大的情况。另外，即使在剖视图与俯视图对应的情况下，为了容易理解附图，有将特定的部位显示得相对较大的情况。(实施方式I)图1是示意性地表示本实施方式的半导体继电器的结构的电路图。图1所示的半导体继电器R具有:2个MIS芯片MC1、MC2 ;光接收芯片(半导体芯片)PC，具有由多个光电二极管(光敏二极管)ro形成的光接收元件阵列PA及控制电路CC ;以及发光芯片LC，具有LED(light emitting d1de，发光二极管)等发光元件。MIS 芯片 MC1、MC2 由 MISFET (MetalInsulator Semiconductor Field Effect Transistor，金属绝缘体半导体场效应晶体管)形成。该MISFET是增强型。将MIS芯片(MC1、MC2)与光接收芯片PC (后述的栅极焊盘GP、源极焊盘SP)通过焊丝等电连接。另一方面，将光接收芯片PC与发光芯片LC电分离。即，在发光芯片LC与光接收芯片PC之间的绝缘区域利用光信号进行传递，并在光接收芯片PC中转换为电信号来接收。这样，半导体继电器能够以无接点实现信号的传递。这样，半导体继电器由于无接点因此能够实现长寿命化，例如，用于半导体测试器等机器。这样，对半导体继电器进一步详细说明。如图1所示，半导体继电器R具有输入端子IN1、IN2、输出端子0UT1、0UT2、发光元件LED、光接收元件阵列PA、控制电路CC和MISFET (MC1、MC2)。发光元件LED连接于输入端子IN1、IN2间。发光元件LED与作为控制信号被施加到输入端子INl、IN2间的电信号对应地发光。MISFET(MC1、MC2)在输出本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：第1半导体岛区域，设置于支撑体的上方，由第1绝缘区域包围；第2半导体岛区域，设置于所述支撑体的上方，由第2绝缘区域包围；第1二极管，形成于所述第1半导体岛区域；第2二极管，形成于所述第2半导体岛区域；遮光膜，覆盖所述第2半导体岛区域；以及配线，将所述第1二极管和所述第2二极管电连接，所述配线横越所述第2绝缘区域的上方，所述遮光膜位于所述配线的下方，在与所述配线的重叠区域具有缺口部。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：南川智宏，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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