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本发明提供一种半导体装置，提高半导体装置的特性。使用于半导体继电器的半导体装置构成为，具备形成于第1半导体岛区域的第1二极管、形成于第2半导体岛区域的第2二极管、覆盖第2半导体岛区域的遮光膜(多晶硅膜PS2)和将第1二极管与第2二极管电连接...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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