本发明专利技术一种基于铁基板的LED封装工艺流程，属于LED封装流程技术领域；解决的技术问题是提供了一种基于铁基板的LED封装工艺流程，对于0.5W以下功率的灯珠，使用铁材质基板代替铜材质基板支架，即满足散热要求，又可降低材料成本，提高经济效益，在铁基板表面镀镍后镀银以保持产品的优良性能；采用的技术方案为：一种基于铁基板的LED封装工艺流程，包括扩晶、固晶、烘烤、焊线、点胶、剥料、分光、除湿、装袋、检验和包装的步骤，基于铁为原料制作的基板上进行上述步骤的LED封装流程；本发明专利技术可广泛应用于LED封装流程技术领域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一种基于铁基板的LED封装工艺流程，属于LED封装流程
技术介绍
LED基板主要是作为LED芯片与系统电路板之间热能导出的媒介，藉由打线、共晶或覆晶的制程与LED芯片结合，目前影响LED使用寿命的因素主要为LED芯片热量的疏散，传统LED为达到良好的散热效果一般采用铜材质基板支架，铜在常见金属中导热系数仅次于银，是热的优良导体，但铜的价格偏高，导致LED封装成本上升。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种基于铁基板的LED封装工艺流程，对于0.5W以下功率的灯珠，使用铁材质基板代替铜材质基板支架，即满足散热要求，又可降低材料成本，提高经济效益，在铁基板表面镀镍后镀银以保持产品的优良性能。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为:一种基于铁基板的LED封装工艺流程，包括以下步骤:a、采用超声波清洗LED支架，LED支架采用铁材质为基本材料，表面镀镍后再镀银； b、对LED支架进行烘干除湿，除湿温度为150°C，除湿时间2小时； C、对芯片进行检验，材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整； d、对芯片进行扩晶操作，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm ； e、对胶水进行解冻和搅拌，采用针筒式银胶和绝缘胶，针筒式银胶和绝缘胶的解冻胶水量均为10g，解冻时间不小于I小时，解冻温度为18°C到26°C，绝缘胶解冻次数不能多余3次，银胶解冻次数不能多余2次； f、固晶生产，在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，将扩张后LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应的位置上； g、对固晶胶进行烘烤烧结，银胶烧结的温度控制在150°C，烧结时间2小时； h、对固定好的芯片进行推力测试； 1、焊线生产，用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，其中:键合功率为70mw到IlOmw ;键合压力为60 gms到90gms ;键合时间为1ms到20ms ;键合温度为130°C到160°C; j、焊接完成后对焊接好的金属丝进行拉力测试； k、对焊接好的整个材料做除湿处理； 1、配胶后进行点胶； m、对点胶后的材料进行烘烤； η、对供烤后的材料进彳丁检验，检验后进彳丁剥料处理； O、对剥料后的成品进行分光； P、对分光后的成品进行除湿，除湿温度为120°c，除湿时间为6小时； q、将成品进行装袋； r、装袋完成后，再次进行除湿，除湿温度为70°C，除湿时间为10小时； S、对除湿后的产品进行最后的检验，然后包装入库。从固晶到进烤时间控制在2小时。材料在每站的作业时间不超过24小时。银胶烧结烘箱必须隔2小时打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。本专利技术与现有技术相比具有的有益效果是: 本专利技术适用于0.5W以下功率的灯珠，使用铁材质基板代替铜材质基板支架，铁材质基板可满足LED芯片的散热要求，节约材料成本，降低资金消耗，提高产品的收益；通过在铁基板表面镀镍，提高本身的机械性能；通过在铁基板表面镀银，提到其导电性、抗腐蚀性和反光性能，实现优良的广品品质。【附图说明】下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。图1为本专利技术的封装流程图。【具体实施方式】实施例一: 如图1所示，本专利技术一种基于铁基板的LED封装工艺流程，包括以下步骤: a、采用超声波清洗LED支架，LED支架采用铁为基本材料，表面镀镍后再镀银； b、对LED支架进行烘干除湿，除湿温度为150°C，除湿时间2小时； C、对芯片进行检验，材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整； d、对芯片进行扩晶操作，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm ； e、对胶水进行解冻和搅拌，采用针筒式银胶和绝缘胶，针筒式银胶和绝缘胶的解冻胶水量均为10g，解冻时间不小于I小时，解冻温度为18°C到26°C，绝缘胶解冻次数不能多余3次，银胶解冻次数不能多余2次； f、固晶生产，在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，将扩张后LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应的位置上； g、对固晶胶进行烘烤烧结，银胶烧结的温度控制在150°C，烧结时间2小时； h、对固定好的芯片进行推力测试； 1、焊线生产，用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，其中:键合功率为90mw;键合压力为80gms ;键合时间为20ms ;键合温度为140°C ； j、焊接完成后对焊接好的金属丝进行拉力测试； k、对焊接好的整个材料做除湿处理； 1、配胶后进行点胶； m、对点胶后的材料进行烘烤； η、对供烤后的材料进彳丁检验，检验后进彳丁剥料处理； O、对剥料后的成品进行分光； P、对分光后的成品进行除湿，除湿温度为120°C，除湿时间为6小时； q、将成品进行装袋； r、装袋完成后，再次进行除湿，除湿温度为70°C，除湿时间为10小时； S、对除湿后的产品进行最后的检验，然后包装入库。从固晶到进烤时间控制在2小时。材料在每站的作业时间不超过24小时。银胶烧结烘箱必须隔2小时打开更换烧结的产品，中间不得随意打开，烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。实施例二: 在步骤i中，键合功率为70mw ;键合压力为60gms ;键合时间为20ms ;键合温度为130°C，其他步骤均与实施例一相同。实施例三: 在步骤i中，键合功率为IlOmw;键合压力为90gms ;键合时间为1ms ;键合温度为150°C，其他步骤均与实施例一相同。上面结合附图对本专利技术的实施例作了详细说明，但是本专利技术并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利技术宗旨的前提下作出各种变化。【主权项】1.一种基于铁基板的LED封装工艺流程，其特征在于，包括以下步骤: a、采用超声波清洗LED支架，LED支架采用铁为基本材料，表面镀镍后再镀银； b、对LED支架进行烘干除湿，除湿温度为150°C，除湿时间2小时； C、对芯片进行检验，材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整； d、对芯片进行扩晶操作，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm ； e、对胶水进行解冻和搅拌，采用针筒式银胶和绝缘胶，针筒式银胶和绝缘胶的解冻胶水量均为10g，解冻时间不小于I小时，解冻温度为18°C到26°C，绝缘胶解冻次数不能多余3次，银胶解冻次数不能多余2次； f、固晶生产，在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，将扩张后LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应的位置上； g、对固晶胶进行烘烤烧结，银胶烧结的温度控制在150°C，烧结时间2小时； h、对固定好的芯片进行推力测试； 1、焊线生产，用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，其中:键合功率为70mw到IlOmw ;键合压力为60 gms到90gms ;键合时间为1ms到20ms ;本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于铁基板的LED封装工艺流程，其特征在于，包括以下步骤：a、采用超声波清洗LED支架，LED支架采用铁为基本材料，表面镀镍后再镀银；b、对LED支架进行烘干除湿，除湿温度为150℃，除湿时间2小时；c、对芯片进行检验，材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求，电极图案是否完整；d、对芯片进行扩晶操作，采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm；e、对胶水进行解冻和搅拌，采用针筒式银胶和绝缘胶，针筒式银胶和绝缘胶的解冻胶水量均为10g，解冻时间不小于1小时，解冻温度为18℃到26℃，绝缘胶解冻次数不能多余3次，银胶解冻次数不能多余2次；f、固晶生产，在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶，将扩张后LED芯片安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片刺到相应的位置上；g、对固晶胶进行烘烤烧结，银胶烧结的温度控制在150℃，烧结时间2小时；h、对固定好的芯片进行推力测试；i、焊线生产，用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，其中：键合功率为70mw到110mw；键合压力为60 gms到90gms；键合时间为10ms到20ms；键合温度为130℃到160℃； j、焊接完成后对焊接好的金属丝进行拉力测试；k、对焊接好的整个材料做除湿处理；l、配胶后进行点胶；m、对点胶后的材料进行烘烤；n、对烘烤后的材料进行检验，检验后进行剥料处理；o、对剥料后的成品进行分光；p、对分光后的成品进行除湿，除湿温度为120℃，除湿时间为6小时；q、将成品进行装袋；r、装袋完成后，再次进行除湿，除湿温度为70℃，除湿时间为10小时；s、对除湿后的产品进行最后的检验，然后包装入库。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐龙飞，
申请(专利权)人：长治虹源光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
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