TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:11740326 阅读:83 留言:0更新日期:2015-07-16 00:15
本发明专利技术公开了一种TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置,包括:衬底基板,设置在衬底基板上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层,以及设置在公共电极金属层上的绝缘层,PAD区域为TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域;其中,绝缘层的表面具有至少一个第一凹槽。由于在绝缘层上设置了至少一个第一凹槽,可以用来减弱配向膜溶液向公共电极金属层所在区域聚集并向外扩散,解决了显示区域的配向膜溶液减少且溶液分布不均匀,形成的配向膜厚度偏薄且均匀性较差,产生云纹不良的问题,达到了使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布,避免云纹不良,进而提高显示面板的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,尤指一种TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置
技术介绍
目前液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)通过控制液晶分子的旋转方向和旋转角度来控制穿透液晶层的光亮,从而显示各种灰度的图像,其具有高画面质量、体积小、重量轻等优点,广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。通常情况下,为了使大部分液晶分子的长轴方向有规律的排列,LCD中的薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)阵列基板上形成有配向膜。现有的TFT阵列基板,如图1a所示,衬底基板001上设置有显示区域(AA区)和多个(图1a中以2个为例)布线区域(PAD区),每两个PAD区之间的区域为呈三角状的公共电极金属层002所在区域,其中,公共电极金属层所在区域的高度通常小于或等于显示区域的高度;图1b为图1a中公共电极金属层所在区域沿A-A’方向的剖面结构示意图,包括:衬底基板001,依次设置在衬底基板001上的公共电极金属层002和绝缘层003。在进行配向膜涂覆的过程中通常选用喷墨印刷方式,喷墨印刷方式涂覆后,配向膜溶液扩散时,由于常规设计的公共电极金属层所在区域呈三角状且整体表面是平坦的,配向膜溶液很容易由两端向两个PAD交界缝隙处即三角公共电极金属所在区域聚集并向外扩散,导致显示区域的配向膜溶液减少且分布不均匀,进而导致高温固化时配向膜偏薄且均匀性较差,易发生云纹不良。因此,如何实现显示区域的配向膜厚度较均匀,改善云纹不良,是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置,可以使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布,避免云纹不良,进而提高显示面板的品质。因此,本专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层,以及设置在所述公共电极金属层上的绝缘层,所述PAD区域为所述TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域;其中,所述绝缘层的表面具有至少一个第一凹槽。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中,还包括:设置在所述绝缘层上且与所述绝缘层直接接触的透明导电层;所述透明导电层具有与所述绝缘层的第一凹槽相匹配的第二凹槽,且所述透明导电层通过所述第一凹槽与所述公共电极金属层电性相连。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中,所述公共电极金属层的至少一部分的表面上具有与所述绝缘层的第一凹槽位置对应的第三凹槽。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中,所述公共电极金属层与所述TFT阵列基板的栅极同层设置;所述绝缘层包括在所述衬底基板上层叠设置的栅绝缘层和钝化层,至少一个所述第一凹槽位于所述栅绝缘层和钝化层之间。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中,还包括:在所述衬底基板和所述公共电极金属层之间设置有第二电极金属层。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中,所述公共电极金属层与所述TFT阵列基板的源漏极同层设置;所述绝缘层为钝化层,所述钝化层具有至少一个所述第一凹槽。在一种可能的实现方式中,在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中,所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三凹槽的开口形状为条状或孔状。本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成公共电极金属层的图形;在所述公共电极金属层上形成具有至少一个第一凹槽的绝缘层的图形。在一种可能的实现方式中,本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板的制作方法,在所述形成具有至少一个第一凹槽的绝缘层的图形之后,包括:在所述绝缘层上形成具有第二凹槽的透明导电层的图形,且所述透明导电层通过所述第一凹槽与所述公共电极金属层电性相连。本专利技术实施例还提供了一种液晶显示面板,包括相对设置的对向基板和TFT阵列基板,以及位于所述对向基板和TFT阵列基板之间的液晶层;其中,所述TFT阵列基板为本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种显示装置,包括本专利技术实施例提供的上述液晶显示面板。本专利技术实施例的有益效果包括:本专利技术实施例提供的一种TFT阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置,包括:衬底基板,设置在衬底基板上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层,以及设置在公共电极金属层上的绝缘层,PAD区域为TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域;其中,绝缘层的表面具有至少一个第一凹槽。由于在绝缘层上设置了至少一个第一凹槽,可以用来减弱配向膜溶液向公共电极金属层所在区域聚集并向外扩散,解决了显示区域的配向膜溶液减少且溶液分布不均匀,形成的配向膜厚度偏薄且均匀性较差,产生云纹不良的问题,达到了使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布,避免云纹不良,进而提高显示面板的品质。【附图说明】图1a为现有技术中TFT阵列基板的俯视图;图1b为图1a中公共电极金属层所在区域沿A-A’方向的剖面结构示意图;图2a至图2f分别为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图;图3a至图3c分别为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板中公共电极金属层所在区域的俯视图;图4至图7分别为本专利技术实施例提供的TFT阵列基板的制作方法流程图。【具体实施方式】下面结合附图,对本专利技术实施例提供的TFT阵列基板、其制作方法及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。其中,附图中各膜层的厚度和形状不反映TFT阵列基板的真实比例,目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种TFT阵列基板,如图2a所示,包括:衬底基板100,设置在衬底基板100上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层200,以及设置在公共电极金属层200上的绝缘层300,这里所指的PAD区域为TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域;其中,该绝缘层300的表面具有至少一个第一凹槽A。在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板,由于在公共电极金属层上方的绝缘层上设置了至少一个第一凹槽A(在构图工艺中,可以将第一凹槽A对应位置的绝缘层完全刻蚀掉或部分刻蚀掉,即第一凹槽A的深度小于或等于绝缘层的厚度),可以用来减弱配向膜溶液向公共电极金属层所在区域聚集并向外扩散,解决了显示区域的配向膜溶液减少且溶液分布不均匀,形成的配向膜厚度偏薄且均匀性较差,产生云纹不良的问题,达到了使显示区域的配向膜溶液能够均匀分布,避免云纹不良,进而提高显示面板的品质。在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述TFT阵列基板中,为了能够减小公共电极金属层200的电阻,如图2b所示,该阵列基板还可以包括:设置在绝缘层300上且与绝缘层300直接接触的透明导电层400;该透明导电层400通过第一凹槽A与公共电极金属层200电性相连(此时,在构图工艺中,第一凹槽A对应位置的绝缘层300必须完全刻蚀掉,即第一凹槽A的深度等于绝缘层300的厚度),这样由于透明导电层400通过第一凹槽A (相当于过孔)与公共电极金属层200电性相连,可以最大限度的降低公共电极金属层200的电阻,提高公共电极金属层200传本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种TFT阵列基板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上位于两个PAD区域之间呈三角状的公共电极金属层,以及设置在所述公共电极金属层上的绝缘层,所述PAD区域为所述TFT阵列基板上的显示区域外围的布线区域;其特征在于,其中,所述绝缘层的表面具有至少一个第一凹槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梁魁封宾白金超袁剑峰
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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