本发明专利技术公开了一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置，该阵列基板包括：彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电连接的像素电极；与像素电极分层设置的多个公共电极块，公共电极块复用为触控电极；多条感测线，每条感测线与一公共电极块电连接；以及与像素电极同层设置的多个辅助电极，所述辅助电极设置于相邻的像素电极之间，每一辅助电极均与一条感测线交叠，且与交叠的感测线电连接。本发明专利技术通过辅助电极与像素电极间形成的电场，增加了阵列基板所属液晶显示面板的亮度，还降低了所述交叠的感测线的电阻，从而降低了液晶显示面板中公共电极的负载。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置。
技术介绍
由于便携性好和功耗低等优点液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)被广泛应用于智能手机、笔记本电脑、监控器等各种显示装置。目前触摸屏按照触控电极的位置不同可分为外挂式触摸、覆盖表面式触摸屏以及内嵌式触摸屏。其中，外挂式触摸屏是在LCD外面直接加上触控电极，这种方法使得整机整体厚度变厚，而且透光率变低。覆盖表面式触摸屏是在LCD的彩膜基板外侧制作触控电极，这种方法降低了整机的厚度，但是增加了彩膜基板的制作工序。而内嵌式触摸屏直接将LCD的公共电极复用为触控电极，不仅厚度不增加，而且触控电极可以和LCD的公共电极一同制作，没有额外的制作工序。现有的自容型内嵌式触摸屏的阵列基板包括像素电极以及与所述像素电极分成设置的多个公共电极块。在高分辨率、大尺寸液晶显示面板中，公共电极的负载较大；而且，由于像素电极和公共电极块设置于不同金属层中，像素电极所属的金属层与公共电极块所属的膜层之间可能存在对位偏差，导致不同像素电极与公共电极块间形成的电场不均匀，使得液晶显示面板的亮度降低。
技术实现思路
为解决现有技术的问题，本专利技术提供一种阵列基板，包括:彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；与所述像素电极分层设置的多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；多条感测线，每条感测线与一公共电极块电连接；以及与所述像素电极相同层设置的多个辅助电极，所述辅助电极设置于相邻的像素电极之间，每一辅助电极均与一条感测线交叠，且与交叠的感测线电连接。本专利技术还提供一种液晶显示面板，包括彩膜基板、与所述彩膜基板相对设置的阵列基板以及设置于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板选自如本专利技术任意实施例中的阵列基板。本专利技术还提出一种液晶显示装置，包括本专利技术任意实施例中提供的液晶显示面板，以及驱动芯片，所述驱动芯片用于所述的液晶显示面板的显示驱动和触控驱动。本专利技术通过辅助电极与像素电极间形成的电场，增加了阵列基板所属液晶显示面板的亮度，并且，由于辅助导线与交叠的感测线电连接，还降低了所述交叠的感测线的电阻，从而降低了液晶显示面板中公共电极的负载。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a为现有的自容型内嵌式触摸屏中阵列基板的局部俯视示意图；图1b为沿着图1a的A-A’的剖视示意图；图1c为现有的存在对位偏差的阵列基板的局部俯视示意图；图1d为沿着图1c的B-B’的剖视示意图；图2a为本专利技术提供的一种阵列基板的局部俯视示意图；图2b为沿着图2a的C_C’的一种剖视示意图；图2c为沿着图2a的C-C’的另一种剖视示意图；图3a为现有的公共电极层与像素电极层不具有对位偏差的阵列基板的局部俯视示意图；图3b为现有的公共电极层与像素电极层具有对位偏差的阵列基板的局部俯视示意图；图3c为本专利技术提供的公共电极层与像素电极层具有对位偏差的阵列基板的局部俯视不意图；图3d为图3b和图3c中沿D-D’方向的透过率对比图；图4为本专利技术提供的一种液晶显示面板的剖视示意图；图5为本专利技术提供的一种液晶显不装置的俯视不意图。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本专利技术实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本专利技术的技术方案，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本实施例的技术方案适用于将公共电极块复用于触控电极的情况。本实施例提供的阵列基板包括与感测线电连接的多条辅助电极，且所述辅助电极不仅能够提高液晶像素面板的亮度，还能够降低公共电极的负载。图1a为现有的自容型内嵌式触摸屏中阵列基板的局部俯视示意图，图1b为沿着图1a的A-A’的剖视示意图。结合图1a和图lb，阵列基板包括多个公共电极块150和多条感测线130，所述公共电极块150用于感测用户触控，每条感测线130与对应的一个公共电极块150电连接。具体的，感测线130和对应的公共电极块150通过桥连结构155电连接，其中桥连结构155与像素电极170使用同一金属层形成，且像素电极170通过漏极接触孔115与薄膜晶体管的漏极连接。图1c为现有的存在对位偏差的阵列基板的局部俯视示意图，图1d为沿着图1c的B-B’的剖视示意图。结合图1c和图ld，所述公共电极块150还包括狭缝151，所述狭缝151与未和公共电极块150电连接的那部分感测线130交叠。在像素电极170所在的像素电极层与公共电极块150所在的公共电极层存在对位偏差时，公共电极块150与相邻的第一像素电极171的间距为dl，公共电极块150与相邻的第二像素电极172的间距为d2，且dl小于d2，导致第一像素电极171与公共电极块150间形成的电场强于第二像素电极172与公共电极块150间形成的电场，从而导致第一像素电极171所在的像素单元的亮度与第二像素电极172所在的像素单元的亮度不同，使液晶显示面板的亮度降低。为了解决像素电极层与公共电极层之间存在对位偏差时，液晶显示面板的亮度降低，本专利技术提供了一种阵列基板。图2a为本专利技术提供的一种阵列基板的局部俯视示意图。如图2a所示，所述阵列基板包括彼此交叉的扫描线(未示出)和数据线(未示出)以限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管(未示出)以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极170 ;与所述像素电极170分层设置的多个公共电极块150，所述公共电极块150复用为触控电极；多条感测线130，每条感测线130与一公共电极块150电连接；所述阵列基板还包括与所述像素电极170同层设置的多个辅助电极180，所述辅助电极180设置于相邻的像素电极170之间，每一辅助电极180均与一条感测线130交叠，且与交叠的感测线130电连接。其中，所述薄膜晶体管用作开关元件。薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，且所述薄膜晶体管可以为栅极位于半导体层下方的底栅型结构，也可以为栅极位于半导体层上方的顶栅型结构。像素电极与所述薄膜晶体管的漏极通过漏极接触孔电连接。其中，公共电极块150与像素电极170形成电场以驱动液晶分子偏转，从而控制光透射比；同时图案化的公共电极块150还用作感测用户触摸位置的感测电极。每个公共电极块150的尺寸可以与一个或多个像素单元的尺寸对应，即一个或多个像素电极170在公共电极块150垂直方向的投影位于相同公共电极块150内。图2b为沿着图2a的C-C’的一种剖视示意图。如图2b所示，所述辅助电极180通过开槽185与交叠的感测线130电连接。由于每条感测线130还与对应的一个公共电极块150电连接，因此所述辅助电极180与所述公共电极块150具有相同的电位，使得辅助电极180与像素电极170之间也存在电本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；与所述像素电极分层设置的多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；多条感测线，每条感测线与一公共电极块电连接；以及与所述像素电极同层设置的多个辅助电极，所述辅助电极设置于相邻的像素电极之间，每一辅助电极均与一条感测线交叠，且与交叠的感测线电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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