透光性电极及电子器件制造技术

本发明专利技术构成具备具有表面粗糙度(Ra)为2以下、且弹性模量为20GPa以上的表面的基底层、该基底层的表面侧所设的以银作为主要成分的导电层的透光性电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透光性电极及电子器件
本专利技术涉及透光性电极及使用了该透光性电极的电子器件。
技术介绍
利用了有机材料的电致发光(electroluminescence：以下记为EL)的有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)、有机光电转换元件等的电子器件，具有在2片电极间夹持了有机材料层、光电转换层的构成。在有机EL元件中，将在有机材料层(发光层)中产生的发光透过电极取出到外部。另外，在有机光电转换元件中，来自外部的光透过电极而进入光电转换层。因此，在这些电子器件中，需要2个电极中的至少一方通过透光性电极而构成。另一方面，作为薄型·轻量的有机EL元件的形态，已知固体密封(例如，参见专利文献1、专利文献2)。在固体密封中具有加压·加热工艺，因此，电极的凹凸影响对泄漏特性影响大。因此，需要特别平滑的透光性电极。针对这样的要求，公开有在挠性基材上使用ITO电极、进而用研磨带得到平滑的电极表面的技术(例如，参见专利文献3)。但是，在该方法中，利用研磨带的平滑化工序复杂，生产率成为课题。另外，挠性基材上的ITO，因制膜条件的限制，作为电极的特性不充分。作为改良电极的特性的手段，公开有将薄Ag层使用于电极的技术(例如，参见专利文献4)。Ag层与ITO相比低温形成，且阳极特性优异，但膜厚为30nm以下这样薄，且Ag为柔软的金属，因此，容易受固体密封时的加压·加热影响，在电极的平滑性的维持上存在课题。针对这样的课题，已知有作为平滑的电极基底层使挠性基材上的阻隔表面平滑的技术(例如，参见专利文献5)。在专利文献5中公开有通过形成蒸镀阻隔膜时的CVD条件而将表面平滑化的技术。但是，用该方法这样的CVD法所形成了的层，在CVD法的原理上平滑性不充分，受固体密封时的加压·加热影响大而泄漏特性恶化。这样，在CVD法等的蒸镀方式中通过堆积物而进行膜形成，因此，难以得到满足能耐薄Ag电极的固体密封工艺的平滑性的条件。另一方面，公开有通过有机·无机混杂聚合物使阻隔表面平滑的技术(例如，参见专利文献6)。在该方法中，的确可利用膜的平滑化，但在固体密封时的加热·加压中平滑保护层的聚合物发生局部变形，不能维持电极的平滑。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-216950号公报专利文献2：国际公开第2010/001831号小册子专利文献3：日本特开2005-93318号公报专利文献4：日本特开2009-151963号公报专利文献5：日本特开2012-084353号公报专利文献6：日本特开2002-046208号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如上所述，在具备透光性电极的电子器件中，为了特性的改善，对透光性电极的表面要求平滑性。为了上述的课题的解决，在本专利技术中，可将透光性电极平滑化，提供通过使用该透光性电极可提高特性的电子器件。用于解决课题的手段本专利技术的透光性电极的特征在于，具备具有表面粗糙度(Ra)为2以下、且弹性模量为20GPa以上的表面的基底层和在该基底层的表面侧所设的以银作为主要成分的导电层。另外，本专利技术的电子器件的特征在于，具备上述透光性电极。根据本专利技术的透光性电极，通过具有表面粗糙度(Ra)为2以下、且具备20GPa以上的弹性模量的平滑的基底层和以Ag作为主要成分的导电层，在固体密封该透光性电极时，可对应基底层的平滑面将导电层的电极突起平坦化。这样通过将导电层平滑化，电子器件的特性提高。专利技术效果根据本专利技术，可提供可提高特性的透光性电极及电子器件。附图说明图1是示出第1实施方式的透光性电极的概略构成的图。图2是示出第2实施方式的透光性电极的概略构成的图。图3是示出第3实施方式的透光性电极的概略构成的图。图4是示出硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线的图。图5是放大了图4中所示的碳分布曲线的图。图6是示出阻隔层的折射率分布的图。图7是示出阻隔层的制造装置的构成的图。图8是示出第4实施方式的有机电致发光元件的概略构成的图；图9是示出第5实施方式的有机电致发光元件的概略构成的图；图10是示出第7实施方式的有机光电转换元件的概略构成的图。具体实施方式以下，基于附图以如下所示的顺序对本专利技术的实施方式进行说明。1.透光性电极(第1实施方式)2.透光性电极(第2实施方式)3.透光性电极(第3实施方式)4.有机电致发光元件(第4实施方式：底部发光型)5.有机电致发光元件(第5实施方式：反装构成)6.照明装置(第6实施方式)7.有机光电转换元件(第7实施方式)<1.透光性电极(第1实施方式)>以下，对本专利技术的透光性电极的具体的实施方式进行说明。在图1中示出本专利技术的第1实施方式的透光性电极的概略构成图(剖面图)。如图1中所示，透光性电极10具备基底层11和导电层12。导电层12形成在基底层11的一面上。以下，对于本例的透光性电极10，以基底层11、导电层12的顺序对详细的构成进行说明。予以说明，在本例的透光性电极10中，所谓透光性，是指波长550nm下的透光率为50％以上。构成透光性电极10的基底层11的形成导电层12的侧的弹性模量为20GPa以上，表面粗糙度(算术平均粗糙度：Ra)为2以下。作为具有弹性模量为20GPa以上、表面粗糙度Ra为2以下的表面的基底层11，可以举出例如玻璃、聚硅氮烷改性层等，但不限定于这些。[玻璃]作为玻璃，例如可以举出二氧化硅玻璃、钠钙硅玻璃、铅玻璃、硼硅酸盐玻璃、无碱玻璃等。从与透光性电极10的层叠结构的密合性、耐久性、平滑性的观点考虑，可以在这些玻璃材料的表面根据需要进行研磨等的物理处理、形成由无机物或有机物构成的被膜、组合了这些被膜的混合被膜。[聚硅氮烷改性层]所谓聚硅氮烷改性层，为对含聚硅氮烷液的涂布膜实施改性处理所形成的层。该改性层主要由硅氧化物或氧化氮化硅化合物形成。作为聚硅氮烷改性层的形成方法，可以通过在基材上涂布至少一层含有聚硅氮烷化合物的涂布液后、进行改性处理来形成含有硅氧化物或氧化氮化硅化合物的层的方法。用于形成硅氧化物或氧化氮化硅化合物的聚硅氮烷改性层的硅氧化物或氧化氮化硅化合物的供给，与CVD法(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积法)这样以气体的形式供给相比，涂布到基材表面可以形成更均匀、平滑的层。已知在CVD法等的情况下与在气相中反应性增大了的原料物质在基材表面进行堆积的工序的同时在气相中生成由不需要的颗粒带来的杂质。由于这些产生的颗粒堆积，表面的平滑性降低。在涂布法中，通过使原料不存在于气相反应空间，可抑制这些颗粒的产生。因此，通过使用涂布法可以形成平滑的面。(含聚硅氮烷液的涂布膜)含聚硅氮烷液的涂布膜，可通过在基材上涂布至少1层含有聚硅氮烷化合物的涂布液来形成。作为涂布方法，可采用任意的适当的方法。作为具体例，可以举出旋涂法、辊涂法、流涂法、喷墨法、喷涂法、印刷法、浸涂法、流延成膜法、棒涂法、凹版印刷法等。涂布厚度可根据目的适当地设定。例如，涂布厚度可以干燥后的厚度优选为1nm～100μm左右、进一步优选为10nm～10μm左右、最优选为10nm～1μm左右地设定。所谓“聚硅氮烷”，为具有硅-氮键的聚合物，为由Si-N、Si-H、N-H等构成的SiO2、Si3N4及两者的中间固溶体SiOxNy等的陶瓷前体无机聚合物。聚硅氮烷由下述通式(I)表示。[本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透光性电极，具备：具有表面粗糙度(Ra)为2以下、且弹性模量为20GPa以上的表面的基底层；在所述基底层的所述表面侧所设的以银作为主要成分的导电层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.16 JP 2012-2526551.一种透光性电极，具备：具有表面粗糙度(Ra)为2nm以下、且弹性模量为20GPa以上的表面的基底层；在所述基底层的所述表面侧所设的以银作为主要成分的导电层；与所述导电层邻接、夹持在所述基底层和所述导电层、使用以下的化合物而构成的含氮层：所述化合物含有氮原子、且在将该氮原子具有的非共有电子对中未参与芳香族性且未与金属配位的非共有电子对的数设为n、将分子...

【专利技术属性】
技术研发人员：井宏元，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP