本发明专利技术涉及制备透明电极的方法，其包括以下工艺步骤：I)提供透明基底层，II)向基底层施加包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构，III)向具有网格结构的透明基底层施加包含以下组分的分散体：a)至少一种聚噻吩，b)至少一种具有SO3-M+基团的聚合物，c)至少一种具有SO3-M+基团的氟化或全氟化聚合物，和d)至少一种分散剂，其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4+，和IV)至少部分地除去分散剂，导致得到透明电极。本发明专利技术还涉及可通过该方法得到的透明电极、透明电极、电子组件和分散体。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】OLED中的具有高导电率和高效率的透明层及其制备方法 本专利技术设及制备透明电极的方法，可通过该方法得到的透明电极、透明电极、电子 组件和分散体。[000引电致发光装置巧L装置）的特征在于当施加电压时，它随着电流流过而发光。该 类装置已经W名称"发光二极管"（LED)已知很长时间。光的发射由正电荷（"空穴"）和 负电荷（"电子"）重组产生，伴随该重组发射光。本领域中常用的L邸都主要由无机半导 体材料制成。然而，基本组分为有机材料的化装置（0LED="有机发光二极管"）已经已知 一些年。该些有机化装置通常包含一个或多个有机电荷传输化合物层。[000引化装置的主要层结构例如如下所示： 1载体，基底[000引 2基电极 3空穴注入层 4空穴传输层 [000引 5发射体层 [000引 6电子传输层 7电子注入层 8顶电极 [001引 9触点[001引 10外壳，包封 该结构是详尽的情况，其可通过省去单独的层而简化，使得一个层承担几个任务。 在最简单的情况下，化装置包含两个电极，二者之间是实现包括发光在内的所有功能的有 机层。然而，在实践中已发现，为了提高亮度，电子-和/或空穴注入层在电致发光结构中 是特别有利的。DE-A-10 2004 010 811公开了使用导电有机聚合物导体，例如聚化4-亚己基 二氧唾吩），包含SOjir基团的聚合物，例如聚苯己締横酸（PSS)，和包含5〇3育基团的部 分氣化或全氣化聚合物，例如Nafi〇ll?<的特定混合物作为0LED的空穴注入层，其中涂有IT0(氧化铜锡）的玻璃优选用作该现有技术0LED的基电极。 除用于制备0LED中的空穴注入层外，包含阳D0T/PSS的分散体通常还用于制备 0PV元件（"有机光伏"元件；有机太阳能电池）中的导电层。因此，阳D0T/PSS分散体 例如用于制备P3HT:PCBM太阳能电池标准构造中的IT0涂覆基底与半导体层之间的中间 层，或者用于制备具有倒装构造的太阳能电池中的层，例如如论文"Zur化nktionsweise organischer Solarzellen auf der Basis interpenetrierender Donator/ Akzeptor-Netzwerke"(2007)的第2. 1章，Markus Glatthaar，University of Rreiburg中 所述。在该上下文中，阳DOT/PSS层由水性或异丙醇基分散体旋涂（例如通过"旋涂"）在 基底（在具有标准构造的太阳能电池的情况下的IT0,或者在具有倒装构造的太阳能电池 的情况下，旋涂于半导体层如P3HT: PCBM层上）。 然而，在制备0LED或0PV元件的领域中，目前致力于省去IT0的使用，因为与导电 聚合物层不同，例如其不是提性的。然而，由现有技术已知的含PEDOT/PSS的分散体的缺点 是该些层的导电率太低W至于它们不能既用作0L邸中的空穴注入层或P3HT:PCBM太阳能 电池标准构造中的IT0涂覆基底与半导体层之间的中间层，又同时用作下面IT0层（基电 极）的替代物。为了包含导电聚合物的层可代替0L邸和0PV元件中的IT0层，它们必须不 仅具有高导电率（或者低表面电阻），而且具有高透射率。 本专利技术所基于的目的是克服由现有技术产生的与电子组件有关，特别是与0L邸 和0PV兀件有关的缺点。 特别地，本专利技术所基于的目的是提供可得到透明电极的方法，所述透明电极可例 如用作0LED中的空穴注入层，同时替代IT0基电极。 此外，本专利技术所基于的目的是提供电子组件，例如0L邸和0VP元件，所述电子组件 的特征是与由现有技术已知的0L邸和0VP元件相比复杂性低的层状结构。 本专利技术还基于的目的是提供可沉积透明导电层的分散体，所述透明导电层在0L邸 或0PV元件中同时用作空穴注入层和基电极，因此特别是可替代常规0L邸中的层序列JT0 层/空穴注入层。 对实现该些目的的贡献由一种制备透明电极的方法提供，所述方法包括W下工艺 步骤：I)提供透明基底层，II)向基底层上施加包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构，III)向具有网格结构的透明基底层上施加包含W下组分的分散体：a)至少一种聚唾吩， b)至少一种具有SOjir基团的聚合物， C)至少一种具有S〇3ir基团的氣化或全氣化聚合物，和 d)至少一种分散剂，其中r表示H\Li\Na\r或NH4+，和IV)至少部分地除去分散剂，导致得到透明电极。 在本专利技术方法的工艺步骤I)中，首先提供透明基底层。在本文中，可能的透明基 底为可用于电子组件如0L邸或0VP元件中的所有层。在本文中，玻璃或透明塑料膜特别是 可能的。特别合适的透明塑料为例如聚碳酸醋、聚醋如阳T和PEN(聚对苯二甲酸己二醇醋 或聚己締-蒙二甲酸醋）、共聚碳酸醋、聚丙締酸醋、聚讽、聚離讽（PES)、聚酷亚胺、聚己締、 聚丙締、环聚締姪或环締姪共聚物（C0C)、氨化苯己締聚合物或氨化苯己締共聚物。合适的 聚合物基底还可W为例如膜，例如聚醋膜，来自Sumitomo的阳S膜或来自BayerAG的聚 碳酸醋膜(Makro化1?)。根据本专利技术特别优选的透明基底层为透明聚合物层，特别是具有 0. 1-500ym的层厚度，特别优选具有50-250ym的层厚度的提性透明聚合物层。 在本专利技术方法的工艺步骤II)中，将包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的 网格结构施加于基底层上，该施加可通过使用相应荫罩板（shadowmask)的金属汽相沉积 (可任选叠加不同金属的层），通过借助包含金属颗粒的糊印刷，或者通过将施加于基底层 的整个表面上的金属层蚀刻而进行。在本文中，可能的金属为常用于电子组件中W制备线 性金属结构（所谓的"母线"）的所有金属，例如侣、银、金、铜或铭。在包含金属颗粒的条的 情况下，优选该些W糊的形式施加，所述糊包含具有小于1ym的粒径的该类金属颗粒。就 该点而言，非常特别优选导电银颗粒或铜颗粒。如果使用除金属颗粒外还特别可包含溶剂 和粘结剂的糊，则此外优选网格结构借助丝网印刷方法施加。在本文中，网格结构可包含相 邻的线、相邻的矩形、相邻的蜂窝（"蜂窝状结构"）或具有规则结构的任何其它排列。 此外，根据本专利技术优选的是网格结构的条的宽度优选为1-1，000ym当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
制备透明电极的方法，其包括以下工艺步骤：I)提供透明基底层，II)向基底层施加包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构，III)向具有网格结构的透明基底层施加包含以下组分的分散体：a)至少一种聚噻吩，b)至少一种具有SO3‑M+基团的聚合物，c)至少一种具有SO3‑M+基团的氟化或全氟化聚合物，和d)至少一种分散剂，其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4+，和IV)至少部分地除去分散剂，导致得到透明电极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·勒韦尼希，A·索特，A·埃尔施纳，A·谢尔，D·里泽贝克，S·基希迈尔，
申请(专利权)人：赫劳斯贵金属有限两和公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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