本发明专利技术涉及一种新型有机材料，尤其涉及一种用于有机电致发光器件的化合物和该化合物在有机电致发光显示技术领域中的应用。本发明专利技术所述稠杂环芳烃衍生物，具有式(P)所示的结构。本发明专利技术所述的稠杂环芳烃衍生物材料，用作空穴注入层材料、空穴传输层材料或发光主体材料制备有机电致发光器件，降低了器件的启亮电压，提高了器件的发光效率，增加了器件的使用寿命，是性能良好的空穴注入材料、空穴传输材料和发光主体材料的选择。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型有机材料，尤其涉及一种用于有机电致发光器件的化合物和 该化合物在有机电致发光显示
中的应用。
技术介绍
电致发光现象最早在20世纪三十年代被发现，最初的发光材料为ZnS粉末，由此 发展出了LED技术，现在广泛的应用在了节能光源上。而有机电致发光现象是1963年Pope 等人最早发现的，他们发现蒽的单层晶体在100V以上电压的驱动下，可以发出微弱的蓝 光。直到1987年柯达公司的邓青云博士等人将有机荧光染料以真空蒸镀方式制成双层器 件，在驱动电压小于10V的电压下，外量子效率达到了 1 %，使得有机电致发光材料及器件 具有了实用性的可能，从此大大推动了0LED材料及器件的研宄。 相对于无机发光材料，有机电致发光材料具有以下优点：1.有机材料加工性能 好，可通过蒸镀或者旋涂的的方法，在任何基板上成膜；2.有机分子结构的多样性可以使 得可以通过分子结构设计及修饰的方法，调节有机材料的热稳定性、机械性质、发光及导电 性能，使得材料有很大的改进空间。 有机电致发光的产生靠的是在有机半导体材料中传输的载流子（电子和空穴）的 重组，众所周知，有机材料的导电性很差，与无机半导体不同的是，有机半导体中没有延续 的能带，载流子的传输常用跳跃理论来描述，即在一电场的驱动下，电子在被激发或注入至 分子的LUM0能级中，经由跳跃至另一个分子的LUM0能级来达到电荷传输的目的。为了能 使有机电致发光器件在应用方面达到突破，必须克服有机材料电荷注入及传输能力差的 困难。科学家们通过器件结构的调整，例如增加器件有机材料层的数目，并且使不同的有机 层扮演不同的角色，例如有的功能材料帮助电子从阴极以及空穴从阳极注入，有的材料帮 助电荷的传输，有的材料则起到阻挡电子及空穴传输的作用，当然在有机电致发光里最重 要的各种颜色的发光材料也要达到与相邻功能材料相匹配的目的，一个效率好寿命长的有 机电致发光器件通常是器件结构以及各种有机材料的优化搭配的结果，这就为化学家们设 计开发各种结构的功能化材料提供了极大的机遇和挑战。 常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注 入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体（染料）等。 空穴注入材料（HIM)要求其HOMO能级介于阳极与空穴传输层之间，有利于增加界 面之间的空穴注入。空穴传输材料（HTM)，要求具有高的热稳定性（高的Tg)，与阳极或者 空穴注入材料有较小的势皇，较高的空穴传输能力，能真空蒸镀形成无针孔薄膜。发光层主 体材料（host)则需要具备以下特点：可逆的电化学氧化还原电位，与相邻的空穴及电子传 输层相匹配的HOMO及LUM0能阶，良好且相匹配的空穴及电子传输能力，良好的高的热稳定 性及成膜性，以及合适的单线态或者三线态能隙用来控制激子在发光层，还有与相应的荧 光染料或者磷光染料间良好的能量转移。 在有机电发光器件中一直使用的空穴注入和传输材料一般是一芳胺类衍生物，其 一般的结构特点是，作为注入材料时，在一个分子中其一芳胺结构单元至少在一个以上，且 二个N之间用一个苯环隔开（化合物a);而作为传输材料时，在一个分子中其一芳胺结构 单元一般是二个，且二个N之间用联苯隔开，在这类材料中，典型的例子是NPB(化合物b)。 【主权项】1. 一种稠杂环芳烃衍生物，其特征在于，具有式（P)所示的结构： 其中：X为S或O ;Arp ArJP Ar 3彼此独立的选自H，C6-C3tl的取代或非取代的芳烃基团，C 6-C3tl的取代或 非取代的稠环芳烃基团，C5-C3tl的取代或非取代的稠杂环基团，五元、六元的杂环或取代杂 环，二芳基氨基，三芳胺基基团，N，N-二烷基氨基芳基基团，N-二烷基-N-芳基氨基芳基基 团，芳醚团基基团，芳氧基，芳硫基，C 1-C12的取代或非取代的脂肪族烷基； R1-R6彼此独立选自H，C ^C12的取代或非取代的脂肪族烷基基团中的一种，C6-C2tl的取 代或非取代的芳烃基团，C6-C2tl的取代或非取代的稠环芳烃基团，C5-C 2tl的取代或非取代的 稠杂环基团，五元、六元的杂环或取代杂环，二芳基氨基，三芳胺基基团，芳醚团基基团，芳 氧基j芳硫基°2. 根据权利要求1所述的稠杂环芳烃衍生物，其特征在于：所述Ar Ar 3彼此独 立的选自如下基团：其中，Ar4、Ar^别选自H，或者取代或未取代的芳基或烷基； L为取代或未取代的单键、亚芳基或亚杂环芳基。3. 根据权利要求1或2所述的稠杂环芳烃衍生物，其特征在于： 所述R1-R7全部为Η。4. 根据权利要求1-3任一所述的稠杂环芳烃衍生物，其特征在于： 所述Ar1不为Η，且所述Ar 2和Ar 3中有且只有一个为Η。5. 根据权利要求1-5任一所述的稠杂环芳烃衍生物，其特征在于，所述化合物选自以 下结构式：6. 权利要求1-5任一所述的稠杂环芳烃衍生物用于制备有机电致发光器件的应用。7. 根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述稠杂环芳烃衍生物用作空穴注入层 材料、空穴传输层材料或发光主体材料。8. -种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光 功能层和阴极层； 所述有机发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层以及电子传输层； 其特征在于： 所述空穴注入层和/或所述空穴传输层包括权利要求1-5任一项所述的稠杂环芳烃衍 生物材料。9. 一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、有机发光 功能层和阴极层； 所述的有机发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层以及电子传输层； 其特征在于： 所述有机发光层的主体材料包括权利要求1-5任一项所述的稠杂环芳烃衍生物。【专利摘要】本专利技术涉及一种新型有机材料，尤其涉及一种用于有机电致发光器件的化合物和该化合物在有机电致发光显示
中的应用。本专利技术所述稠杂环芳烃衍生物，具有式(P)所示的结构。本专利技术所述的稠杂环芳烃衍生物材料，用作空穴注入层材料、空穴传输层材料或发光主体材料制备有机电致发光器件，降低了器件的启亮电压，提高了器件的发光效率，增加了器件的使用寿命，是性能良好的空穴注入材料、空穴传输材料和发光主体材料的选择。【IPC分类】C07D409-14, C07D495-04, C07D333-50, C07D333-54, C09K11-06, C07D307-77, H01L51-54, C07D333-76【公开号】CN104761535【申请号】CN201510003683【专利技术人】范洪涛, 李银奎, 李艳蕊, 任雪艳 【申请人】北京鼎材科技有限公司, 固安鼎材科技有限公司【公开日】2015年7月8日【申请日】2015年1月5日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种稠杂环芳烃衍生物，其特征在于，具有式(P)所示的结构：其中：X为S或O；Ar1、Ar2和Ar3彼此独立的选自H，C6‑C30的取代或非取代的芳烃基团，C6‑C30的取代或非取代的稠环芳烃基团，C5‑C30的取代或非取代的稠杂环基团，五元、六元的杂环或取代杂环，二芳基氨基，三芳胺基基团，N，N‑二烷基氨基芳基基团，N‑二烷基‑N‑芳基氨基芳基基团，芳醚团基基团，芳氧基，芳硫基，C1‑C12的取代或非取代的脂肪族烷基；R1‑R6彼此独立选自H，C1‑C12的取代或非取代的脂肪族烷基基团中的一种，C6‑C20的取代或非取代的芳烃基团，C6‑C20的取代或非取代的稠环芳烃基团，C5‑C20的取代或非取代的稠杂环基团，五元、六元的杂环或取代杂环，二芳基氨基，三芳胺基基团，芳醚团基基团，芳氧基，芳硫基。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范洪涛，李银奎，李艳蕊，任雪艳，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，固安鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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