碳化硅多孔陶瓷及其制备工艺制造技术

本发明专利技术首先公开了一种碳化硅多孔陶瓷，其包括以下重量份数的固体原料：碳化硅40～50wt％、碳酸钡1～4wt％、氮化钛1～2wt％、氧化钕0.2～0.5wt％、氧化镝0.2～0.5wt％、氧化镧0.2～0.5wt％；本发明专利技术其次公开了上述碳化硅多孔陶瓷的制备工艺，采用上述原料制备碳化硅多孔陶瓷的碳化硅晶体与其表面的覆盖相和粘结相能够致密、均匀地分布，且碳化硅晶体、碳化硅晶体表面的覆盖层、以及碳化硅晶体和表面覆盖层之间在温度剧烈变化时不会产生裂纹、孔洞，碳化硅多孔陶瓷的抗氧化性能好、膨胀系数低，碳化硅晶体表面覆盖层和粘结相的导热性能好。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅多孔陶瓷及其制备工艺
本专利技术涉及工业陶瓷
，具体涉及一种碳化硅多孔陶瓷及其制备工艺。
技术介绍
碳化硅多孔陶瓷是因其具有高强度、高硬度、耐腐蚀以及抗氧化等优点而在石油化工、冶金机械、微电子、汽车等多个领域得到了广泛的应用。现有技术中，企业主要是以纳米碳化硅、碳化硼、滑石、高岭土、二氧化硅、氮化硅、硅微粉、氧化铝等作为原料所高温烧形成的粘结相进行碳化硅多孔陶瓷的制备。研究发现，采用上述原料制备的碳化硅多孔陶瓷时会使碳化硅晶体与其表面的覆盖层及粘结相间之间的热导率和热膨胀系数存在巨大差异，因为此类碳化硅陶瓷经高温烧结后，碳化硅晶体表面的覆盖相和粘结相的主要成分为硅、二氧化硅、堇青石、莫来石和氧化铝，在使用过程中因温度变化碳化硅晶体与覆盖相和粘结相之间、以及覆盖相和粘结相内部会产生微裂纹，这样氧气就会沿着这些微裂纹渗入使碳化硅晶体氧化，从而导致碳化硅晶体表面的覆盖层的抗氧化能力大大降低，且碳化硅晶体的强度变弱，碳化硅多孔陶瓷的体积也会发生膨胀，最终导致碳化硅多孔陶瓷损坏。另外，现有技术也有采用碳化硼、硅、氮化硅、三氧化二铝等作为原料，在非氧化气氛下进行高温烧结制备碳化硅多孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅多孔陶瓷，其包括以下重量份数的的固体原料：碳化硅40～50wt％、碳酸钡1～4wt％、氮化钛1～2wt％、氧化钕0.2～0.5wt％、氧化镝0.2～0.5wt％、氧化镧0.2～0.5wt％。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅多孔陶瓷，其包括以下重量百分比的固体原料：碳化硅40～50wt％、碳酸钡1～4wt％、氮化钛1～2wt％、氧化钕0.2～0.5wt％、氧化镝0.2～0.5wt％、氧化镧0.2～0.5wt％，所述碳化硅多孔陶瓷中还包括以下重量百分比的固体原料：氢氧化铝0～4wt％、助剂0～13wt％、粘结剂0～23wt％、掺杂0～10wt％、添加剂0～3wt％、造孔剂0～70wt％，以上固体原料的重量百分比之和为100％；所述助剂为氯化镁、纳米氧化锌、纳米氧化锡、纳米白云石中的一种或多种，粘结剂为高铝水泥、硅溶胶、铝溶胶、硅铝溶胶、拟薄水铝石、聚丙烯酰胺粉、黄原胶的一种或多种，掺杂为磷酸钙、磷酸铝、磷酸镁、混合重稀土氧化物中的一种或多种，添加剂为氮化硅和/或氮化铝，造孔剂为高钒石油焦颗粒、高磷棉花秸秆颗粒、高磷核桃壳炭颗粒、聚丙乙烯颗粒中一种或多种。2.根据权利要求1所述的碳化硅多孔陶瓷，其特征在于：所述碳化硅多孔陶瓷是由以下重量百分比的原料制备得到：粉体原料：碳化硅40～50wt％、碳酸钡1～4wt％、氮化钛1～2wt％、氧化钕0.2～0.5wt％、氧化镝0.2～0.5wt％、氧化镧0.2～0.5wt％、氯化镁0～3wt％、纳米氧化锌0～3wt％、纳米氧化锡0～3wt％、纳米白云石0～4wt％、高铝水泥0～2wt％、硅溶胶0～4wt％、铝溶胶0～4wt％或硅铝溶胶0～3wt％、拟薄水铝石0～4wt％、聚丙烯酰胺粉0～3wt％、黄原胶0～6wt％、磷酸钙0-2wt％、磷酸铝0～5wt％、磷酸镁0～2wt％、混合重稀土氧化物0～0.5wt％、0～1wt％氮化硅、0～2wt％氮化铝；氢氧化铝0～4wt％、200目高钒石油焦颗粒0～15wt％、180目高磷棉花秸秆颗粒0～15wt％、250目高磷核桃壳炭颗粒0～25wt％、250目聚丙乙烯颗粒0～15wt％；液状原料：油类物质和去离子水，其中粉体原料总重量百分比与去离子水、油类物质的重量百分比比为100:25-40：0-10，所述油类物质为豆油、牛油、猪油中的一种或多种。3.一种如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈桂香，林超超，
申请(专利权)人：安徽中鼎美达环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34