一种MOSFET桥电路制造技术

本实用新型专利技术涉及通信技术领域，特别涉及一种MOSFET桥电路，电位提取电路、MOS管驱动电路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管。所述电位提取电路与所述MOS管驱动电路连接，所述MOS管驱动电路分别与所述第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管连接。本实用新型专利技术提供的MOSFET桥电路，结构简单、容易实现大规模量产，能够降低功耗和减小发热量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及通信
，特别涉及一种MOSFET桥电路。
技术介绍
目前业界使用在PoE上的二极管整流桥电路，存在效率低、输出功率越大发热越高的缺点，无法在大功率的ro设备上使用。随着通信产品的功能越来越多，产品的功耗也跟着越来越大，如PoE+、PoE++等产品的应用。同时，随着全球气候变暖，全球降水量重新分配、冰川和冻土消融、海平面上升等，既危害自然生态系统的平衡，更威胁人类的生存。MOSFET桥的应用可以大大提高效率、节约能源、降低温室效应、缓解全球变暖趋势。目前PoE设备上使用的桥电路主要有两种:二极管整流桥堆。和以Linear公司为代表的TOBC器件。二极管整流桥堆只能应用在低功耗的产品上，随着产品功耗的增加效率越低，发热量越大，整流桥堆上的功耗为P (W) = 1.4 (V) ^1ut(A) ? TOBC器件价格昂贵，其电路内部使用升压方式处理，来驱动8个N-channel M0SFET，原理复杂不易实现，难以大规模量产使用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种结构简单、容易实现，能够降低功耗和减小发热量的MOSFET桥电路。为解决上述技术问题，本技术提供了一种MOSFET桥电路，包括:电位提取电路、MOS管驱动电路、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管及第二 NMOS管。所述电位提取电路设置有正极电源输入端口、负极电源输入端口、高电位提取输出端口及低电位提取输出端口。所述MOS管驱动电路上设置有高电位输入端口、低电位输入端口、第一 PMOS管栅极驱动端口、第一 PMOS管源极驱动端口、第二 PMOS管栅极驱动端口、第二 PMOS管源极驱动端口、第一 NMOS管栅极驱动端口、第一 NMOS管源极驱动端口、第二 NMOS管栅极驱动端口及第二 NMOS管源极驱动端口。所述高电位提取输出端口与所述高电位输入端口连接；所述低电位提取输出端口与所述低电位输入端口连接。所述第一 PMOS管栅极驱动端口与所述第一 PMOS管的栅极连接；所述第一 PMOS管源极驱动端口与所述第一 PMOS管的源极连接；所述第二 PMOS管栅极驱动端口与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第二 PMOS管源极驱动端口与所述第二 PMOS的源极连接；所述第一 NMOS管栅极驱动端口与所述第一 NMOS管的栅极连接；所述第一 NMOS管源极驱动端口与所述第一 NMOS管的源极连接；所述第二 NMOS管栅极驱动端口与所述第二 NMOS管的栅极连接；所述第二 NMOS管源极驱动端口与所述第二 NMOS管的源极连接。所述第一 PMOS管的漏极与所述第二 PMOS管的漏极连接形成PoE电源正极输出端；所述第一 NMOS管的漏极与所述第二 NMOS管的漏极连接形成PoE电源负极输出端。进一步地，还包括:PoE电源正极输出端口及PoE电源负极输出端口 ；所述PoE电源正极输出端口与所述PoE电源正极输出端连接；所述POE电源负极输出端口与所述PoE电源负极输出端连接。本技术提供的MOSFET桥电路，当正极电源输入端口与PoE供电电源的正极连接，负极电源输入端口与PoE供电电源的负极连接时，第一 PMOS管和第一 NMOS管打开，PoE电源正极输出端输出整流后的PoE电源正极，PoE电源负极输出端输出整流后的PoE电源负极。当正极电源输入端口连接PoE供电电源负极，负极电源输入端口连接PoE供电电源正极时，第二 PMOS管和第二 NMOS管打开，PoE电源正极输出端输出整流后的PoE电源负极，PoE电源负极输出端输出整流后的PoE电源正极。本技术提供的MOSFET桥电路具备以下有益效果:1、采用四个MOS管形成MOSFET桥，由于MOS管导通压降小，避免了采用二极管整流桥时产生的功率耗散失，减小了发热量及噪声。2、采用四个MOS管形成MOSFET桥，其本身耗散功率低，因此实现了能量的高效转化，并且工作电流小于1mA。3、本技术提供几个简单的输入输出端口(分别为正极电源输入端口、负极电源输入端口、PoE电源正极输出端口及PoE电源负极输出端口)，结构简单，可以大规模量产使用。4、完全兼容IEEE802.3af/at/PoE+/PoE++等H)设备，通过MOS管等的器件选型，本技术甚至能兼容更高功率的设备。5、能够同时兼容RJ45两对和四对线的应用，即当采用RJ45两对线(线I和线2，线3和线6)进行供电时，使用一组本技术电路即可输出整流后的正负电源；当采用RJ45四对线(线I和线2，线3和线6，线4和线5，线7和线8)进行供电时，使用两组本技术电路即可输出整流后的正负电源。6、根据器件的耐压值，本技术可以支持最大10V的设备，选择耐压值较高的器件，本技术甚至能支持更高需求的电压。可以支持1500V的Surge电压。可以在125°C，甚至更高的温度下工作。本技术仅采用2个PMOS和2个NM0S，成本低，采用分压降压方式驱动MOS管更可靠。【附图说明】图1为本技术实施例提供的MOSFET桥电路结构示意图。【具体实施方式】如图1所示，本技术实施例提供了一种MOSFET桥电路，包括:电位提取电路3、MOS管驱动电路4、第一 PMOS管5、第二 PMOS管6、第一 NMOS管7及第二 NMOS管8。如图1所示，电位提取电路3设置有正极电源输入端口 1、负极电源输入端口 2、高电位提取输出端口 11及低电位提取输出端口 12。如图1所示，MOS管驱动电路4上设置有高电位输入端口 13、低电位输入端口 14、第一 PMOS管栅极驱动端口 15、第一 PMOS管源极驱动端口 16、第二 PMOS管栅极驱动端口17、第二 PMOS管源极驱动端口 18、第一 NMOS管栅极驱动端口 19、第一 NMOS管源极驱动端口 20、第二 NMOS管栅极驱动端口 21及第二 NMOS管源极驱动端口 22。如图1所示，高电位提取输出端口当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET桥电路，其特征在于，包括：电位提取电路、MOS管驱动电路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；所述电位提取电路设置有正极电源输入端口、负极电源输入端口、高电位提取输出端口及低电位提取输出端口；所述MOS管驱动电路上设置有高电位输入端口、低电位输入端口、第一PMOS管栅极驱动端口、第一PMOS管源极驱动端口、第二PMOS管栅极驱动端口、第二PMOS管源极驱动端口、第一NMOS管栅极驱动端口、第一NMOS管源极驱动端口、第二NMOS管栅极驱动端口及第二NMOS管源极驱动端口；所述高电位提取输出端口与所述高电位输入端口连接；所述低电位提取输出端口与所述低电位输入端口连接；所述第一PMOS管栅极驱动端口与所述第一PMOS管的栅极连接；所述第一PMOS管源极驱动端口与所述第一PMOS管的源极连接；所述第二PMOS管栅极驱动端口与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第二PMOS管源极驱动端口与所述第二PMOS的源极连接；所述第一NMOS管栅极驱动端口与所述第一NMOS管的栅极连接；所述第一NMOS管源极驱动端口与所述第一NMOS管的源极连接；所述第二NMOS管栅极驱动端口与所述第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管源极驱动端口与所述第二NMOS管的源极连接；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接形成PoE电源正极输出端；所述第一NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接形成PoE电源负极输出端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何茂平，李汝虎，蔡舒宏，
申请(专利权)人：博为科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33