一种全桥驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种全桥驱动电路，包括上桥驱动和下桥驱动，上桥部分包括A部分，下桥部分包括B部分和C部分，所述A部分具体为：继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V电压，所述继电器K1的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器K1的常开触点3脚连接MOS管VT1的漏极并共同连接到M-接口上，所述继电器线圈K1的5脚和所述二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，所述三极管V1的发射极连接到GND；本电路装配效率增加，同时取消了自举升压电路，杜绝了驱动电压不足的问题，对控制驱动的单片机不需要专用的互补输出型PWM外设。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电机驱动
，特别涉及一种全桥驱动电路。
技术介绍
现有的桥式电机驱动一般由4只功率MOS管做开关，配合晶体管驱动电路构成完整的桥式驱动电路，电路结构见图1，该电路由两个结构完全相同的部分组成，即图1中的A部分和B部分，由于两个部分结构完全相同，现已A部分为例描述电路原理：HA和LA分别为上桥和下桥的驱动输入端，二极管AD1和电容AE1组成自举升压电路，保证MOS管VT1导通时有足够的Vgs，使其保持完全导通，当LA为高电平HA为低电平时，LA端的高电平通过三极管N1的发射极电阻AR9使N1的发射极也为高电平，使N1截止不导通，15V电压通过电阻AR6使三极管N1的集电极和P3的基极处形成约为15V的电位，该电位将使得P3截止，切断15V向MOS管VT2提供的驱动电压，同时LA送来的高电平还通过电阻AR10到达三极管N2的基极使N2导通，N2集电极与VT2相连接，N2导通将拉低VT2栅极电压，使得VT2完全可靠截止，BC2接在VT2的GS引脚上，用于消除VT2栅极的毛刺干扰。当HA为低电平时通过AR3加到三极管V1的基极，使V1截止，1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全桥驱动电路，所述全桥驱动电路包括上桥驱动和下桥驱动，所述上桥部分包括A部分，所述下桥部分包括B部分和C部分，其特征在于，所述A部分具体为：继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V电压，所述继电器K1的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器K1的常开触点3脚连接MOS管VT1的漏极并共同连接到M‑接口上，所述继电器线圈K1的5脚和所述二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，所述三极管V1的发射极连接到GND；所述B部分具体为：CWD接口通过电阻R9连接到三极管V3的基极，所述三极管V3的发射极通过电阻R12连接到GND端，所述三极管V3的集电极...

【技术特征摘要】
1.一种全桥驱动电路，所述全桥驱动电路包括上桥驱动和下桥驱动，所述上桥部分包括A部分，所述下桥部分包括B部分和C部分，其特征在于，
所述A部分具体为：继电器K1的1,4脚和二极管D1的负极连接到12V电压，所述继电器K1的常闭触点2脚和MOS管VT2的漏极共同连接到M+接口，所述继电器K1的常开触点3脚连接MOS管VT1的漏极并共同连接到M-接口上，所述继电器线圈K1的5脚和所述二极管D1的正极相连并和三极管V1的集电极相连接，所述三极管V1的发射极连接到GND；
所述B部分具体为：CWD接口通过电阻R9连接到三极管V3的基极，所述三极管V3的发射极通过电阻R12连接到GND端，所述三极管V3的集电极则与三极管P2的基极和电阻R5一端共同连接R5的一端，所述R5的另一端则与三极管P2的发射极共同连接到12V电压上，所述三极管P2的集电极连接到电阻R13一端，并且与三极管P4的基极和二极管D3的正极相连接，所述电阻R13的另一端和所述三极管P4的集电极共同连接到VT1的源极，所述二极管D3的负极通过R3连接到P4的发射极并共同连接到VT1的栅极，电容C3的两端分别连接于VT1的栅极和源极上；
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宁武，夏毅承，
申请(专利权)人：无锡奥文电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32