有机发光显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种有机发光显示装置。有机发光显示装置包括：基板；有源层，在基板上；第一绝缘层，在基板和有源层上；栅极电极，在第一绝缘层上；第二绝缘层，在第一绝缘层上并被图案化为暴露第一绝缘层；源极和漏极电极，在第二绝缘层上并经由第二绝缘层和第一绝缘层中的接触孔而接触有源层；第一电极，在第一绝缘层上，使得第一电极与源极电极或漏极电极接触，并包括透明导电层和透反导电层；第三绝缘层，在第二绝缘层上并被图案化为暴露第一电极；有机薄膜层，在暴露的第一电极上；以及第二电极，在有机薄膜层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种底发射型有机发光显示装置。
技术介绍
当预定的电压施加到有机发光二极管的阳极电极和阴极电极时，通过阳极注入的 空穴和通过阴极注入的电子在有机发光二极管的有机发光层中复合，并且光通过在此过程 中产生的能量差而被发射。 由于有机发光二极管是自发光的，所以有机发光显示装置可以被制造为具有底发 射结构和顶发射结构，在底发射结构中所发射的光朝向其中形成薄膜晶体管（TFT)的基板 运动，在顶发射结构中所发射的光从TFT的上部向上运动。 在底发射结构中，由于光朝向其中形成TFT的基板运动，所以包括TFT的配线部分 从显示区域排除，而在顶发射结构中，光从TFT向上发射，可以保证相对大的显示区域。 然而，相对于底发射结构，顶发射结构在制造工艺期间需要大量的掩模，因此近来 就降低制造成本来说偏向于采用底发射结构。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例涉及能够降低制造成本的有机发光显示装置。 本专利技术的一个实施例涉及能够提高发光效率和可靠性的有机发光显示装置。 有机发光显示装置的一个实施例包括：基板；有源层，设置在基板上且包括源极 区域、沟道区域和漏极区域；第一绝缘层，设置在基板和有源层上；栅极电极，设置在第一 绝缘层上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上且图案化为暴露发光区域中的第一绝缘层； 源极电极和漏极电极，设置在第二绝缘层上且设置为通过形成在第二绝缘层和第一绝缘层 中的接触孔而与有源层接触；第一电极，设置在发光区域的第一绝缘层上，使得第一电极与 源极电极或漏极电极接触，并包括透明导电层和透反导电层（transflectiveconductive layer);第三绝缘层，设置在第二绝缘层上，并被图案化为暴露发光区域中的第一电极；有 机薄膜层，设置在发光区域的暴露的第一电极上；以及第二电极，设置在有机薄膜层上。 有机发光显示装置的一个实施例包括：基板；有源层，设置在基板上且包括源极 区域、沟道区域和漏极区域；第一绝缘层，设置在基板和有源层上；栅极电极，设置在第一 绝缘层上；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上且图案化为暴露发光区域中的第一绝缘层； 源极电极和漏极电极，设置在第二绝缘层上，设置为通过形成在第二绝缘层和第一绝缘层 中的接触孔而与有源层接触，并包括透明导电层和透反导电层；第一电极，设置在发光区域 的第一绝缘层上，使得第一电极与源极电极或漏极电极接触，并包括透明导电层和透反导 电层；第三绝缘层，设置在第二绝缘层上，并被图案化为暴露发光区域中的第一电极；有机 薄膜层，设置在发光区域的暴露的第一电极上；以及第二电极，设置在有机薄膜层上， 基板可以包括具有大于或等于约90 %的透射率的玻璃、石英和树脂中的一种。 有源层可以包括多晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括氧化锌（ZnO)，并 可以用镓（Ga)、铟（In)、锡（Sn)、锆（Zr)、铪（Hf)和钒（V)中的至少一种的离子掺杂。 有机发光显示装置还可以包括：电容器的下电极，在有源层的一侧由与有源层相 同的材料或层形成在基板上；以及电容器的上电极，在栅极电极的一侧设置在第一绝缘层 上以与下电极重叠。 有机发光显示装置还可以包括：焊盘部分，在源极电极或漏极电极的一侧设置在 第二绝缘层上，其中焊盘部分可以包括导电层，该导电层包括与源极电极、漏极电极、透明 导电层和透反导电层相同的材料。 透明导电层可以包括具有大于或等于约90%的透射率的铟锡氧化物（ITO)、铟锌 氧化物（IZO)、铟锡锌氧化物（ITZO)和钨掺杂的铟氧化物（IWO)中的一种。 透反导电层可以包括具有在从约5%至约60%的范围内的反射率的错（Al)、镍 (Ni)和镧（La)当中的金属中的一种或其合金，并可以形成为具有从约IOA至约500A的 范围内的厚度。 第一电极可以通过堆叠透明导电层、透反导电层和透明导电层而形成。第二电 极可以包括具有比第一电极低的功函数的金属或包含该金属的合金。该金属可以包括铝 (Al)、银（Ag)、金（Au)、铂（Pt)和镁（Mg)中的一种。【附图说明】 在下文将参照附图更充分地描述某些实施例；然而，它们可以以不同的形式实施， 而不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将透彻和完整， 并向本领域技术人员充分传达某些实施例的范围。 在附图中，为了清楚起见，尺寸可以被夸大。将理解，当一元件被称为"在"两个元 件"之间"时，它可以是在两个元件之间的唯一的元件，或者还可以存在一个或多个插入元 件。相同的附图标记通常始终指代相同的元件。 图1是示出根据本专利技术的一个实施例的有机发光显示装置的截面图； 图2是示出根据本专利技术的另一个实施例的有机发光显示装置的截面图； 图3A至图3G是示出根据本专利技术的一个实施例的用于制造有机发光显示装置的方 法的截面图；以及 图4A至图4G是示出根据本专利技术另一个实施例的用于制造有机发光显示装置的方 法的截面图。【具体实施方式】 在下文，将参照附图详细描述本专利技术的某些实施例。这些实施被提供给本领域技 术人员以全面理解本专利技术，可以被修改，并且本专利技术的范围不限于下面描述的实施例。 图1是示出根据本专利技术的一个实施例的有机发光显示装置的截面图。 参照图1，基板10包括显示区域D和外围区域P。显示区域D是其中显示图像并 且其上形成多个像素的区域。像素是发光元件，该发光元件包括有机发光二极管（OLED)、用 于传输信号到OLED或驱动OLED的至少一个薄膜晶体管（TFT)以及用于保持该信号的至少 一个电容器。外围区域P位于显示区域D的外围，其中形成用于从外部接收信号的焊盘部 分和用于驱动多个像素的电路单元。 TFT的有源层14a形成在基板10上。有源层14a可以包括多晶硅或氧化物半导 体，并包括源极区域、沟道区域和漏极区域。 电容器的下电极14b可以形成在有源层14a的一侧。电容器的下电极14b可以包 括与有源层14a相同的材料，或者可以形成在相同的层上并可以用杂质离子掺杂以具有比 有源层14a高的导电性。电容器的下电极14b可以与有源层14a相连。 在一个实施例中，缓冲层12形成在基板10上，并且有源层14a和下电极14b可以 形成在缓冲层12上。 第一绝缘层16形成在形成有有源层14a和下电极14b的基板10上。第一绝缘层 16用作TFT的栅极绝缘层。 栅极电极18形成在沟道区域之上的第一绝缘层16上，并且电容器的上电极19可 以在栅极电极18的一侧形成在第一绝缘层16上，使得上电极19与下电极14b重叠。 第二绝缘层20形成在形成有栅极电极18和上电极19的第一绝缘层16上。开口 形成在第二绝缘层20中，使得发光区域的第一绝缘层16被暴露，并且接触孔形成在第二绝 缘层20和第一绝缘层16中，使得有源层14a的源极区域和漏极区域被暴露。 源极和漏极电极22形成在第二绝缘层20上，使得它们通过接触孔与有源层14a 的源极区域和漏极区域连接。第一电极26形成在通过所述开口暴露的第一绝缘层16上， 使得第一电极26连接到源极或漏极电极22。 第一电极26可以用作OLED的阳极电极，并可以包括透明导电层26a和透反导电 层26b。例如，第一电极26可以具有其中透明导电层26a和透反导电层26b堆叠的结构，或 者可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示装置，包括：基板；有源层，设置在所述基板上并包括源极区域、沟道区域和漏极区域；第一绝缘层，设置在所述基板和所述有源层上；栅极电极，设置在所述第一绝缘层上；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并被图案化为暴露发光区域中的所述第一绝缘层；源极电极和漏极电极，设置在所述第二绝缘层上并设置为经由形成在所述第二绝缘层和所述第一绝缘层中的接触孔而与所述有源层接触；第一电极，设置在所述发光区域的所述第一绝缘层上，使得所述第一电极与所述源极电极或所述漏极电极接触，并包括透明导电层和透反导电层；第三绝缘层，设置在所述第二绝缘层上，并被图案化为暴露所述发光区域中的所述第一电极；有机薄膜层，设置在所述发光区域的暴露的第一电极上；以及第二电极，设置在所述有机薄膜层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：尹柱元，李承珉，李一正，李正浩，任忠烈，沈秀妍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR