本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法和有机发光显示装置，所述阵列基板包括多个子像素区域，每个子像素区域包括设置在衬底基板上的发光单元，其中，所述发光单元的发光面积大于所述发光单元在衬底基板上的投影面积。和现有技术相比，本发明专利技术能够增大每个子像素区域的出光量，且增大显示器的视角，从而改善显示效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、有机发光显示 目.0
技术介绍
近年来，有机发光二极管(organic light emitting d1de, OLED)已经成为国内外非常热门的新兴平板显示器产品，同现今平板显示技术主流的LCD技术相比，OLED具有自发光、广视角、短反应时间、广色域、低工作电压、面板薄、易于做成柔性面板、工作温度范围广等先天的优势。然而，不管是顶发射式OLED显示器还是底发射式OLED显示器，都会有不同程度的微腔效应，微腔效应主要是指不同能态的光子密度被重新分配，使得只有特定波长的光在符合共振腔模式后，得以在特定的角度射出。其中，对于顶发射式OLED显示器，靠近衬底的阳极反射率很高，远离衬底基板的阴极通常采用半透光的金属结构，会增加光的反射，从而在两电极之间形成多光子束的干涉，使得微腔效应更为明显。如图1所示，在顶发射式OLED显示器中，发光单元20包括依次设置在衬底基板10上的第一电极21、发光层22和第二电极23，第一电极21、发光层22和第二电极23构成微腔，光线的出射方向垂直于第一电极21与发光层22的界面以及发光层22与第二电极23之间的界面。这就造成了视角窄、不同观察角度看到的光的强度不同并且发光面积较小的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法和一种有机发光显示装置，以增加每个子像素区域的出光量，改善显示效果。为了实现上述目的，本专利技术提供一种阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素区域包括设置在衬底基板上的发光单元，其中，所述发光单元的发光面积大于所述发光单元在衬底基板上的投影面积。优选地，所述发光单元和衬底基板之间设置有平坦化层，所述平坦化层的朝向所述发光单元的表面形成凹陷，所述发光单元覆盖在所述凹陷的表面。优选地，所述凹陷包括倾斜的侧面和底面，所述底面的面积小于所述凹陷开口的面积。优选地，所述侧面与底面之间的角度在130°?140°之间。优选地，所述平坦化层位于所述凹陷周围的部分的厚度在5?7 μ m之间。优选地，所述发光单元包括在所述平坦化层上依次设置的第一电极、发光层和第二电极，所述第一电极包括不透光的金属层，所述第二电极为半透光的金属层。优选地，所述衬底基板和平坦化层之间还设置有驱动薄膜晶体管，所述平坦化层对应于所述驱动薄膜晶体管的漏极的位置设置有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述漏极相连。相应地，本专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括多个子像素区域，所述制作方法包括:在每个子像素区域内形成发光单元；其中，所述发光单元的发光面积大于所述发光单元在所述衬底基板上投影面积。优选地，所述制作方法还包括在所述在每个子像素区域内形成多个发光单元的步骤之前进行的:形成平坦化层；在所述平坦化层上对应于发光单元的部分形成凹陷。优选地，在所述平坦化层上对应于发光单元的部分形成凹陷的步骤包括:利用半色调掩膜板对所述平坦化层进行曝光并显影；其中，半色调掩膜板包括完全透光区、部分透光区和不透光区域，所述完全透光区域对应于所述发光单元的中部，所述部分透光区域对应于所述发光单元的中部的外围区域，所述不透光区域对应于未设置发光单元的区域。优选地，所述平坦化层位于所述凹陷周围的部分厚度在5?7 μπι之间。优选地，在每个子像素区域内形成发光单元的步骤包括:在平坦化层上的凹陷的表面依次形成第一电极、发光层和第二电极；其中，形成所述第一电极包括不透光的金属层，所述第二电极为半透光的金属层。优选地，所述制作方法还包括在衬底上形成平坦化层的步骤之前进行的:形成驱动薄膜晶体管；所述制作方法还包括在所述在衬底上形成平坦化层的步骤之后进行的:在所述平坦化层的对应于所述驱动薄膜晶体管的漏极的位置形成过孔，以使得第一电极通过所述过孔与所述漏极相连。相应地，本专利技术还提供一种有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置包括本专利技术提供的上述阵列基板。在本专利技术中，发光单元的发光面积大于发光单元在衬底基板上的投影面积，从而使得在子像素区域有限的区域内，发光面积相对于现有技术有所增大，出光量更多；并且，在平坦化层上形成凹陷时，发光单元能够使得出射光线朝向多个方向进行照射，从而增大了显示器的视角，进而使得不同角度观察到的光的强度和颜色更加均匀，改善了显示效果。【附图说明】附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1是现有技术中的阵列基板的结构示意图；图2是本专利技术的实施方式中的阵列基板的结构示意图；图3是本专利技术的实施方式中平坦化层上凹陷的结构示意图。其中，附图标记为:10、衬底基板；20、发光单元；21、第一电极；22、发光层；23、第二电极；30、平坦化层；40、驱动薄膜晶体管；41、漏极；42、有源层；43、第一绝缘层；44、栅极；45、第二绝缘层；46、源极；50、像素定义层。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一方面，提供一种阵列基板，如图2所示，包括多个子像素区域，每个子像素区域包括设置在衬底基板10上的发光单元20，其中，发光单元20的发光面积大于发光单元20在衬底基板10上的投影面积。在现有技术中，有机电致发光阵列基板上的发光单元与衬底基板10相对平行设置，发光单元20的发光面积与发光单元20在衬底基板10上的投影面积相等，而本专利技术中发光单元20的发光面积大于发光单元20在衬底基板10上的投影面积，因此，在子像素区域有限的区域内，本专利技术的发光面积比现有技术中更大，出光量更多，从而改善显示装置的显示效果。本专利技术可以采用不同的方式使得发光单元20的发光面积大于发光单元20在衬底基板10上的投影面积，例如，发光单元20形成为凸起或凹陷的形状，从而使得发光面积大于发光单元20在衬底基板10上的投影面积。作为本专利技术的一种【具体实施方式】，如图2所示，发光单元20与衬底基板10之间设置有平坦化层30，平坦化层30的朝向发光单元20的表面形成凹陷，发光单元20覆盖在所述凹陷的表面。发光单元20可以包括依次设置的第一电极21、发光层22和第二电极23，发光单元20覆盖在所述凹陷的表面可以理解为，第一电极21、发光层22和第二电极23的形状与所述凹陷表面的形状一致，从而使得发光单元20的发光面积增大。并且，在现有技术中，发光单元20的第一电极和发光层之间的界面以及发光层和第二电极之间的界面均为平面，会使得发光层所发射的光线朝向垂直于发光层之间的界面射出，尤其当第一电极为不透光的材料时，对光线进一步朝向垂直于界面的方向反射，而由于本专利技术中的发光单元20覆盖在所述凹陷的表面，使得第一电极和发光层之间的界面以及发光层和第二电极之间的界面形成弯曲，因此，发光层22所发射的光线可以在第一电极和第二电极之间形成多个方向的多光子束干涉，使得光线可以从不同的角度出射，从而增大了显示器的视角，进而使得不同角度观察到的光的强度和颜色更加均匀。本专利技术对所述凹陷的形状不作具体限定，只要能够使得发光单元20的光线朝向不同的方向出射即本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素区域包括设置在衬底基板上的发光单元，其特征在于，所述发光单元的发光面积大于所述发光单元在衬底基板上的投影面积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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