一种有机发光显示装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术所述的一种有机发光显示装置，电极电源线上直接形成有辅助导电层，并露出电极电源线的部分区域；第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖辅助导电层远离电极电源线的表面和电极电源线露出的表面。第二电极与电极电源线以及辅助导电层接触面积大，而且，电极电源线通过辅助电极层建立短导电路径相对容易，可以有效降低第二电极与电极电源线之间的接触电阻，从而减少电极电源线与第二电极之间的电压降。本发明专利技术所述的一种有机发光显示装置的制备方法，工艺简单，制备成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光领域，具体涉及一种可降低电极电源线（VSS)电阻的有 机发光显示装置及其制备方法。
技术介绍
平板显示器具有完全平面化、轻、薄、省电等特点，是图像显示器发展的必然趋势 和研究焦点。在各种类型的平板显示装置中，由于有源矩阵有机发光显示装置(英文全称为 ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay，简称AM0LED)使用自发光的有机发光 二极管(英文全称为OrganicLightEmittingDiode,简称OLED)来显示图像，具有响应时 间短，使用低功耗进行驱动，相对更好的亮度和颜色纯度的特性，所以有机发光显示装置已 经成为下一代显示装置的焦点。 大型有源矩阵有机发光显示装置包括扫描线、数据线以及位于扫描线和数据线的 交叉区域的多个像素单元，每个像素单元包括有机发光二极管和用于驱动所述有机发光二 极管的像素电路，所述有机发光二极管的第二电极电连接至电极电源线（VSS)，给所述有机 发光二极管提供电压源。 如图1和2所示，中国专利CN101436608A公开了一种有机发光显示设备，包括基 板110,设置在基板110上的显示区域100,显示区域100中包括薄膜晶体管TFT1，以及设置 在薄膜晶体管TFTl上的有机发光装置200。有机发光装置200进一步包括像素电极210、 与像素电极210相对设置的对向电极230,以及设置在像素电极210和对向电极230之间 的至少包括发射层的中间层220。显示区域100外部还包括电极电源线190,对向电极230 与电极电源线190暴露部分接触电连接。在所述有机发光显示设备的制备过程中，为了缩 短工艺流程，显示区域100外部的电极电源线190通常与薄膜晶体管TFTl中的源极/漏极 170以同种材料同层制备。在形成对向电极230与电极电源线190暴露部分接触电连接之 前，现有工艺需要在电极电源线190上方依次沉积第一绝缘层181、第二绝缘层182以及第 三绝缘层183,然后再将上述绝缘层进行部分刻蚀，以暴露部分或全部电极电源线190,再 在所述中间层220上制备对向电极230,并延伸至电极电源线190暴露部分，从而实现对向 电极230与电极电源线190的接触电连接。 对形成在电极电源线190上方的绝缘层进行刻蚀时，极易引起电极电源线190表 面氧化，不但会增大电极电源线190的绝缘电阻（IR)，还会增大对向电极230与电极电源线 190之间的接触电阻，从而增大电极电源线190与对向电极230的电压降，甚至影响所述有 机发光显示设备的良率。 针对上述问题，中国专利CN101436608A提出了一种解决方案，即在电极电源线 190接触电连接辅助导电层190a(见图1)或辅助导电层190b(见图2)。由于辅助导电层 190a和190b被第三绝缘层183覆盖，刻蚀形成在电极电源线190上方的绝缘层时，不会受 刻蚀溶剂等外界因素的影响；从而使得辅助导电层190a和190b接触电极电源线190时，建 立经过电极电源线190的较短的导电路径，降低电极电源线190的绝缘电阻，从而相对减少 对向电极230与电极电源线190之间的接触电阻，减少电极电源线190与对向电极230之 间的电压降。 但是在上述解决方案中，对向电极230与电极电源线190的接触面积比较小，对电 极电源线190的绝缘电阻以及对向电极230与电极电源线190之间的接触电阻的减小作 用有限。甚至在图2所示的结构中，辅助导电层190b为铟锡氧化物（ITO)层、电极电源线 190为铝层，两者接触连接时，极易造成铝层被氧化、ITO层被还原的现象；从而使得辅助导 电层190b与电极电源线190接触的部分电阻值增大、导电性能变差，反而会增加了辅助导 电层190b与电极电源线190之间的接触电阻，加剧电极电源线190与对向电极230之间的 电压降，降低所述有机发光显示设备的良率。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的是有机发光显示装置中有机发光二极管的第二电极与电 极电源线的接触电阻不能有效降低的问题，提供一种可降低电极电源线电阻的有机发光显 示装置及其制备方法。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下： 本专利技术所述的一种有机发光显示装置，包括基板，设置在基板显示区域的薄膜晶 体管、电容器和有机发光二极管，设置在基板非显示区域的电极电源线；有机发光二极管包 括依次堆叠的第一电极、有机发光层和第二电极，第一电极与薄膜晶体管中的源极或漏极 接触电连接，第二电极与电极电源线接触电连接；所述电极电源线上直接形成有辅助导电 层，并露出所述电极电源线的部分区域；所述第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖 所述辅助导电层远离所述电极电源线的表面和所述电极电源线露出的表面。 所述电极电源线与所述薄膜晶体管的栅极或源/漏电极层同层以同种材料形成。 所述辅助导电层与所述第一电极同层以同种材料形成。 所述电极电源线与所述薄膜晶体管的源/漏电极层同层以同种材料形成。 在垂直方向上，所述薄膜晶体管中半导体层、栅极层以及源/漏电极层自下而上 依次设置；所述半导体层、栅极层之间还设置有使之彼此绝缘的第一绝缘层；所述栅极层 和所述源/漏电极层之间还设置有使之彼此绝缘的第二绝缘层。 所述第二绝缘层上直接设置有覆盖所述源/漏电极层的平坦化层，所述平坦化层 延伸至所述非显示区域并覆盖所述电极电源线的边缘，所述第一电极直接设置在所述平坦 化层上；所述第一电极通过设置在所述平坦化层上的第一通孔与所述源极或所述漏极接触 电连接；所述辅助导电层通过设置在所述平坦化层上的第二通孔与所述电极电源线接触连 接，所述辅助导电层延伸覆盖在所述第二通孔的侧壁上。 所述平坦化层上直接设置有覆盖所述第一电极的像素限定层，所述有机发光层通 过设置在所述像素限定层中的第三通孔形成在所述第一电极上。 所述第二电极直接设置在所述像素限定层上，并覆盖形成在所述第一电极上的有 机发光层；所述第二电极还延伸至所述非显示区域，并连续覆盖设置在所述辅助导电层和 所述电极电源线。 所述基板上还直接形成有缓冲层，所述半导体层形成在所述缓冲层上。 本专利技术所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤： S1、在基板的显示区域的垂直方向上依次形成薄膜晶体管中的半导体层、第一绝 缘层、栅极层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层延伸至非显示区域； S2、在第二绝缘层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第一金属层，并图案 化形成源极、漏极和电极电源线； S3、在第二绝缘层上直接形成覆盖源极、漏极和电极电源线的平坦化层并图案化， 在电极电源线的垂直上方形成贯通平坦化层的第二通孔以暴露电极电源线的部分或全部 上表面； S4、在平坦化层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第二金属层并图案化， 在显示区域形成第一电极、在非显示区域形成辅助导电层，第一电极延伸覆盖在第一通孔 的侧壁上且与源极或漏极接触电连接，辅助导电层延伸覆盖在第二通孔的侧壁上且与电极 电源线接触电连接； S5、对直接设置在电极电源线上的辅助导电层进行部分刻蚀，以暴露电极电源 线. S6、在第二金属层上形成覆盖第一电极和辅助导电层的像素限定层并图案化，形 成暴露第一电极的第三通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示装置，包括基板，设置在基板显示区域的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管，设置在基板非显示区域的电极电源线；有机发光二极管包括依次堆叠的第一电极、有机发光层和第二电极，第一电极与薄膜晶体管中的源极或漏极接触电连接，第二电极与电极电源线接触电连接；其特征在于，所述电极电源线上直接形成有辅助导电层，并露出所述电极电源线的部分区域；所述第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖所述辅助导电层远离所述电极电源线的表面和所述电极电源线露出的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雁飞，李建文，魏博，陈浩，陈策，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32