成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种成膜装置，其能够维持热分解出的材料气体的密度。该成膜装置的特征在于，具有：承受器，其具有第1部分和第2部分，其中，在该第1部分的上表面保持晶片，该第2部分与该第1部分相连；气体供给部，其向该承受器的上方供给材料气体；第1加热器，其对该第1部分进行加热；第2加热器，其对该第2部分进行加热；以及温度控制装置，其对该第1加热器和该第2加热器的温度进行控制，该温度控制装置在向该晶片的成膜过程中，通过保持该第1加热器的温度，并且使该第2加热器的温度增加，从而使该承受器的上方的温度保持为恒定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在例如半导体器件的制造等中使用的成膜装置。
技术介绍
在专利文献I中公开了用于将材料气体导入至反应炉而对晶片(处理对象)成膜的成膜装置。该成膜装置为了获得期望膜厚的薄膜，对晶片的温度进行测定，并使其测定结果反映在成膜条件中。专利文献1:日本特开2004 - 165454号公报如果在反应炉内对晶片成膜，则生长物也会堆积于承受器(susc印tor)。堆积于承受器的堆积物使从承受器传递至承受器的上方的热量降低。由此存在下述问题，即，如果承受器上方的温度降低，则热分解出的材料气体(以下称为分解气体)的密度降低，因此生长膜的品质发生历时变化。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种成膜装置，该成膜装置能够维持热分解出的材料气体的密度。本申请的专利技术所涉及的成膜装置的特征在于，具有:承受器，其具有第I部分和第2部分，其中，在该第I部分的上表面保持晶片，该第2部分与该第I部分相连；气体供给部，其向该承受器的上方供给材料气体；第I加热器，其对该第I部分进行加热；第2加热器，其对该第2部分进行加热；以及温度控制装置，其对该第I加热器和该第2加热器的温度进行控制，该温度控制装置在向该晶片的成膜过程中，通过保持该第I加热器的温度，并且使该第2加热器的温度增加，从而将该承受器的上方的温度保持为恒定。本申请的专利技术所涉及的其他的成膜装置的特征在于，具有:承受器，其具有第I部分和第2部分，其中，在该第I部分的上表面保持晶片，该第2部分与该第I部分相连；气体供给部，其向该承受器的上方供给材料气体；第I加热器，其对该第I部分进行加热；第2加热器，其对该第2部分进行加热；温度控制装置，其对该第I加热器和该第2加热器的温度进行控制；以及温度计，其对该承受器的上表面的温度进行测定，该温度控制装置在向该晶片的成膜过程中，通过保持该第I加热器的温度，并且每当该温度计的测定温度降低时使该第2加热器的温度增加，从而使该承受器的上表面的温度保持为恒定。本申请的专利技术所涉及的其他的成膜装置的特征在于，具有:承受器，其在上表面保持晶片；加热器，其对该承受器进行加热；温度计，其对该承受器的上表面的温度进行测定；气体供给部，其向该承受器的上方供给材料气体；质量流量控制器，其对向该气体供给部的气体供给量进行调整；以及气体流量设定部，其对该质量流量控制器进行控制，该气体流量设定部以伴随着该温度计的温度降低而使向该气体供给部的气体供给量增加的方式对该质量流量控制器进行控制，从而使在该承受器上热分解出的该材料气体的密度保持为恒定。专利技术的效果根据本专利技术，通过维持承受器上方的温度，或者增加材料气体的供给量，从而能够维持热分解出的材料气体的密度。【附图说明】图1是本专利技术的实施方式I所涉及的成膜装置的剖面图。图2是表示堆积于承受器的堆积物的剖面图。图3是表示第2加热器的温度等的图。图4是本专利技术的实施方式2所涉及的成膜装置的剖面图。图5是表示第2加热器的温度等的图。图6是本专利技术的实施方式3所涉及的成膜装置的剖面图。标号的说明10成膜装置，12反应炉，12a开口，16承受器，16a第I部分，16b第2部分，20卫星盘，22晶片，30第I加热器，32第2加热器，34温度控制装置，40气体供给部，42排气口，50堆积物，100成膜装置，102透明材料，104温度计，150成膜装置，151加热器，152气体流量设定部，154温度显示部，156指令部，158调整部，160、162质量流量控制器【具体实施方式】参照附图对本专利技术的实施方式所涉及的成膜装置进行说明。有时对于相同或对应的结构要素标注相同的标号，省略重复的说明。实施方式I图1是本专利技术的实施方式I所涉及的成膜装置10的剖面图。成膜装置10具有反应炉12。对反应炉12的内部结构进行说明。在反应炉12中设置有由支撑台14支撑的承受器16。承受器16具有第I部分16a和第2部分16b，其中，在该第I部分16a的上表面保持晶片，第2部分16b与第I部分16a相连。第I部分16a是承受器16的外周部分，第2部分16b是承受器16的中央部分。在第I部分16a形成有凹陷部。在该凹陷部中经由卫星盘20设置有晶片22。因此，第I部分16a经由卫星盘20保持晶片22。此外，卫星盘20是为了通过其自身旋转来实现均匀的成膜而设置的构件，但是在本专利技术的成膜装置中可以省略。在第I部分16a的正下方设置有对第I部分16a进行加热的第I加热器30。第I加热器30在俯视观察时一体地形成为例如同心圆状或漩涡状。在第2部分16b的正下方设置有对第2部分16b进行加热的第2加热器32。第2加热器32在俯视观察时一体地形成为例如同心圆状或漩涡状。在第I加热器30和第2加热器32上连接有温度控制装置34。温度控制装置34是分别对第I加热器30和第2加热器32的温度进行控制的装置。此外，温度控制装置34也可以设置于反应炉12内。在反应炉12的上表面设置有气体供给部40。气体供给部40是从反应炉12的外部向承受器16的上方供给材料气体的部分。供给的材料气体流向承受器16的外周方向，从排气口 42排出。对使用成膜装置10的成膜方法进行说明。在这里，作为一个例子，利用III族元素即Ga、V族元素即As及P形成GaAsP膜。在使第I加热器30和第2加热器32加热后的状态下，从气体供给部40将Ga的材料气体、As的材料气体即AsHs和P的材料气体即PH3向反应炉12内供给。这些材料气体由于来自承受器16的热量而在承受器16的上方分解，分解气体在晶片22上外延生长出GaAs (y) P (I — y)。在这里，y是大于O而小于I的值。图2是在承受器16堆积有堆积物50的成膜装置10的剖面图。伴随着堆积物50的生成，存在分解气体的密度降低的问题。因此，在本专利技术的实施方式I中，如图3所示对第I加热器30和第2加热器32的温度进行控制。即，温度控制装置34在向晶片22的成膜过程中，保持第I加热器30的温度，并且增加第2加热器32的温度。第2加热器32的温度增加速度以能够使承受器16的上方的温度保持为恒定的方式进行确定。具体来说，从实验数据或模拟等推测堆积物50对承受器16的上方的温度施加的影响，决定第2加热器32的温度增加速度。在向晶片22的成膜过程中，承受器16上的堆积物的量增加，但通过保持第I加热器30的温度，并且增加第2加热器32的温度，从而能够使承受器16上方的温度维持为恒定。由此，能够防止分解气体的密度发生历时变化，从而能够使生长膜的品质稳定。并且，通过维持对晶片22的温度的贡献较大的第I加热器30的温度，从而能够使晶片22的温度大致恒定。并且，通过使对晶片22的温度的贡献较小的第2加热器32的温度上升，从而能够维持晶片22的温度，并且使第2部分16b的温度上升。如上当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，其特征在于，具有：承受器，其具有第1部分和第2部分，其中，在所述第1部分的上表面保持晶片，所述第2部分与所述第1部分相连；气体供给部，其向所述承受器的上方供给材料气体；第1加热器，其对所述第1部分进行加热；第2加热器，其对所述第2部分进行加热；以及温度控制装置，其对所述第1加热器和所述第2加热器的温度进行控制，所述温度控制装置在向所述晶片的成膜过程中，通过保持所述第1加热器的温度，并且使所述第2加热器的温度增加，从而使所述承受器的上方的温度保持为恒定。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高田诚，柳乐崇，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP