LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LPCVD沉积
，特别设及一种LPCVD沉积炉的初始沉积的炉温 控制方法。
技术介绍
随着微电子技术的发展和生产水平的提高，半导体分立功率器件的PN结等表面 态都由LPCVD来得到，而LPCVD沉积的薄膜质量的好差至关重要，薄膜的成分、成分比例W 及均匀性都影响着产品最终的参数，因此得到质量较高的薄膜成为首要的选择，因此该对 LPCVD的炉温突出了更高的要求，而LPCVD电加热炉关键指标就是炉温恒定，当气体通入 时候，炉温会下降，造成与PN结接触的初始沉积薄膜就不合格；目前，温度领域还大量采用 PID控制方式，它通过调节输出功率来控制温度。温度控制过程具有比较典型的非线性、滞 后性，由于滞后往往使扰动不能及时觉察，调节效果不能适时反映，从而产生较大的超调或 振荡；该使得沉积的薄膜有一定的缺陷，因此有必要对炉温的精确控制加W改进。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种在通入气体时避免炉温波动的LPCVD初 始沉积的炉温的精确控制方法，W克服现有技术存在的不足。 为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案： 一种LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，其特征在于，包含如下步骤： S1、按照不同的蝶阀开启角度、累抽速的大小、不同的工艺气体的流量测定炉温波 动量的值和时间，依据控制精度确定细分级数，计算出不同的工艺气体流量和不同的真空 度下所对应的前馈加热电流值和前馈时间； S2、将由气体流量、真空度、对应的前馈加热电流值、前馈时间构成的四维映射表 输入计算机中；[000引 S3、生产中依据所需的工艺条件设定...
【技术保护点】
一种LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，其特征在于，包含如下步骤：S1、按照不同的蝶阀开启角度、泵抽速的大小、不同的工艺气体的流量测定炉温波动量的值和时间，依据控制精度确定细分级数，计算出不同的工艺气体流量和不同的真空度下所对应的前馈加热电流值和前馈时间；S2、将由气体流量、真空度、对应的前馈加热电流值、前馈时间构成的四维映射表输入计算机中；S3、生产中依据所需的工艺条件设定气体流量、真空度后，由计算机控制LPCVD炉按照前馈加热电流值和前馈时间进行前馈加热S4、前馈加热完成后，按照工艺条件向炉内通入气体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁波，李轶，陈瀚，侯金松，
申请(专利权)人：上海微世半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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