【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅的晶体生长方法，更详细而言涉及如下技术：抑制坩埚内的Si-C溶液的组成变动，还抑制在坩埚内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生，从而能够得到低缺陷且高品质的单晶碳化硅。
技术介绍
碳化硅(SiC)为宽禁带半导体材料，导热性及化学稳定性优良，从绝缘击穿特性及饱和漂移速度等晶体管特性的观点出发，也具有作为功率器件的优良的基本物理特性。出于这样的原因，SiC作为新一代用于功率器件的材料的期待增高，并且也报道了SiC功率器件的产品化。然而，SiC基板与Si基板相比价格更高，并且存在单晶基板的低缺陷化、高品质化不充分的问题。难以制造低缺陷且高品质的SiC单晶基板的主要理由在于，在常压下不发生熔化。在作为半导体器件用基板而广泛使用的Si的情况下，常压下的熔点为1414℃，能够从该Si熔体通过CZ法(直拉单晶制造法)、FZ法(悬浮区熔法)得到低缺陷、高品质且大口径的单晶。与此相对，在SiC的情况下，在常压...
【技术保护点】
一种碳化硅的晶体生长方法，其为利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法，其特征在于，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚，通过加热该坩埚，使源自作为所述坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与所述Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向所述Si‑C溶液内溶出，从所述坩埚的上部使SiC籽晶与所述Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。
【技术特征摘要】
2013.12.06 JP 2013-253426;2013.12.06 JP 2013-253411.一种碳化硅的晶体生长方法，其为利用溶液法的碳化硅的晶体
生长方法，其特征在于，
作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚，
通过加热该坩埚，使源自作为所述坩埚的主要成分的SiC的Si和
C从与所述Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向所述Si-C溶液内溶
出，
从所述坩埚的上部使SiC籽晶与所述Si-C溶液接触，从而使SiC
单晶在该SiC籽晶上生长。
2.如权利要求1所述的碳化硅的晶体生长方法，其中，以成为所
述坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布的方式实行所述加热。
3.如权利要求1所述的碳化硅的晶体生长方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：新谷尚史，滨口优，山形则男，美浓轮武久，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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