一种改善量子点发光二极管寿命的方法技术

本发明专利技术属于电致发光器件领域，涉及一种改善量子点发光二极管寿命的方法，其作为发光层的量子点的壳和核体积比大于60：1。所选用量子点的核和壳层材料均为II-VI族材料，可以为CdSe/ZnS、CdSe/ZnCdS/ZnS、CdSe/CdS、ZnCdSe/ZnS或ZnCdSe/ZnSe/ZnS等。壳层可由ZnCdS与ZnS、或ZnSe与ZnS等复合而成。该方法利用“巨壳型”量子点作为发光层，有效地抑制了量子点的荧光闪烁，提高了其抗光漂白的能力，并由此有效地改善了半导体荧光量子点作为发光层的电致发光器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电致发光器件领域，涉及到一种使用“巨壳型”量子点为发光层来改善量子点发光器件的发光性能和寿命的新方法。
技术介绍
半导体荧光量子点具有量子产率高、单色性好、色彩随尺寸可调的良好特性。这些特点使得以量子点为发光层的发光二极管(QD-LED)在固态照明、平板显示等领域的应用受到越来越多的关注。在以往的文献报道中，QD-LED的组装通常使用壳层厚度小于3 nm的量子点(这种量子点我们称为“薄壳型”量子点)，虽然这种量子点的荧光量子产率能够达到60%甚至100%，而且此类QD-LED的发光效率已经基本接近有机发光二极管(OLED)的水平，但是“薄壳型”量子点依然存在一定的缺陷，如不能有效地抑制荧光闪烁，抗光漂白的能力弱，并且在量子点的纯化过程中表面配体的缺失会使量子产率有一定程度的下降等。这些缺陷限制了 QD-LED器件寿命的进一步提高，从而阻碍了 QD-LED的商业化应用。本专利技术的主要特点是针对“薄壳型”量子点发光层的缺点提出有效的改良措施，从而进一步改善QD-LED器件的寿命。
技术实现思路
本专利技术目的在于克服现有技术缺陷，提供了，该方法使用“巨壳型”量子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善量子点发光二极管寿命的方法，其特点在于，作为发光层的量子点的壳和核体积比大于60：1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：申怀彬，吝青丽，李林松，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：河南;41