发光二极管封装元件及其制造方法技术

一种发光二极管封装元件，其包括相互间隔的两电极、夹设于两电极之间的绝缘层、设置在两电极上并电性连接该两电极的发光二极管芯片、及覆盖该发光二极管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，该连接条的厚度小于该导电片的厚度，该连接条的上表面低于该导电片的上表面，还包括一包覆层包覆该连接条，该连接条的上表面与封装层之间夹设该包覆层。与现有技术相比，本发明专利技术的发光二极管封装元件的连接条与封装层之间夹设有包覆层，该包覆层促使包覆层和封装层之间的密合度、及包覆层与连接条之间的密合度均得到增强，增强发光二极管封装元件元件的稳固性。本发明专利技术还提供一种该发光二极管封装元件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管封装元件及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体发光元件及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装元件及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。现有的发光二极管一般在封装成型后通过切割制程形成单个的封装元件。成型的封装结构包括相互间隔的两金属电极，设置于电极上的发光二极管芯片及覆盖所述发光二极管元件的树脂封装层。为减小后续切割制程中的阻力，所述电极被预先蚀刻形成一导电片及与该导电片连接的若干连接条，所述连接条之间的宽度小于该导电片的宽度。切割时只需切除部分连接条从而形成单个封装元件。然而，由于金属材质的连接条和树脂材料的封装层之间的材料差异较大，在切割制程中切割产生的拉力容易引起封装层与连接条之间剥裂分离而产生缝隙，导致形成的单个发光二极管封装元件稳固性较差，进而影响发光二极管封装元件的使用寿命。故，需进一步改进。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种稳固性较强的发光二极管封装元件及该发光二极管封装元件的制造方法。一种发光二极管封装元件，其包括相互间隔的两电极、夹设于该两电极之间的绝缘层、设置在所述两电极上并电性连接所述两电极的发光二极管芯片、及覆盖所述发光二极管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，所述连接条的宽度小于所述导电片的宽度，所述连接条的厚度小于所述导电片的厚度，所述连接条的上表面低于所述导电片的上表面，所述发光二极管封装元件还包括一包覆层包覆所述连接条，所述连接条的上表面与封装层之间夹设所述包覆层。一种发光二极管封装元件的制造方法，包括步骤：预成型相互间隔的两电极，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，每一连接条的宽度小于所述导电片的宽度，所述两电极的两导电片相互间隔形成一间隙；正蚀刻所述连接条的上表面使得所述连接条的厚度小于所述导电片的厚度，所述连接条的上表面低于所述导电片的上表面；利用模具成型一绝缘层加热与所述两电极之间的空隙中；利用模具成型一包覆层包覆所述连接条；在所述两电极上设置一发光二极管芯片，所述发光二极管芯片与所述两电极形成电性连接；设置一封装层覆盖所述发光二极管芯片，所述连接条的上表面与封装层之间夹设所述包覆层；以及沿所述连接条的位置纵向切割部分封装层、包覆层及连接条形成单个的发光二极管封装元件。与现有技术相比，本专利技术提供的发光二极管封装元件的连接条与封装层之间夹设有包覆层，所述包覆层促使包覆层和封装层之间的密合度、及包覆层与连接条之间的密合度均得到增强，因此在切割形成单个的发光二极管元件时，切割产生的拉力不足以剥裂分离封装层和包覆层、包覆层和连接条，从而增强发光二极管封装元件元件的稳固性，进而延长发光二极管封装元件的使用寿命。附图说明图1为本专利技术一实施方式提供的预成型的两电极的俯视图。图2为由图1所示两电极制成的发光二极管封装元件的剖面示意图。图3至图8为图2所述发光二极管封装元件的制造步骤示意图。主要元件符号说明发光二极管封装元件100电极10绝缘层20包覆层30发光二极管芯片40封装层50导电片11连接条12、12a上表面111、121、32、121a下表面112、122、33、122a竖直端面123、31、51间隙13出光面52宽度方向A长度方向B厚度方向C如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1和图2，为本专利技术发光二极管封装元件100的一较佳实施例，该发光二极管封装元件100包括相互间隔的两电极10、夹设于两电极10之间的绝缘层20、环绕该两电极10的包覆层30、设置在其中一电极10上的发光二极管芯片40及覆盖该发光二极管芯片40的封装层50。具体的，该两电极10为金属材质。本实施例中，该两电极10由铜（Cu）制成。每一电极10包括一导电片11及与该导电片11连接的若干连接条12。本实施例中，所述若干连接条12与该导电片11一体成型。该导电片11具有一上表面111和与该上表面111相对的下表面112。本实施例中，该导电片11为矩形结构。所述两电极10的两导电片11相互间隔形成间隙13，用以后续填充绝缘材料形成所述绝缘层20。所述两导电片11相互靠近的侧面均为平整的表面。每一电极10的连接条12自该导电片11的外侧面延伸而出。图2所示的实施例中，连接条12自该导电片11的外侧面的中部延伸而出。该连接条12的厚度小于该导电片11的厚度，即该连接条12的上表面121低于对应导电片11的上表面111，所述连接条12的下表面122高于对应导电片11的下表面112，由于连接条12的厚度变小，使得后续切割连接条12更加容易，在提升切割效率的同时也进一步保护切割器具。优选的，本实施例中，每一连接条12的厚度等于该导电片11厚度的一半。该连接条12的宽度小于其对应导电片11侧面的尺寸。本实施例中，每一导电片11远离另一导电片11的侧面设置连接条12的数量为两个，该侧面平行于发光二极管封装元件100的宽度方向A。每一导电片11平行于发光二极管封装元件100的长度方向B的两侧面分别设置一个连接条12。所述绝缘层20位于两电极10的两个导电片11之间。该绝缘层20的上下表面与每一导电片11的上表面111、下表面112对应齐平。所述绝缘层20由热性环氧树脂（EpoxyMoldingCompound,EMC）或者塑胶材料制成。所述包覆层30包覆所述两电极10。具体的，该包覆层30环绕该两导电片11并包覆该若干连接条12，同时填充满该导电片11和连接条12之间的区域。该包覆层30边缘的竖直端面31与所述若干连接条12自由端的竖直端面123齐平。该包覆层30的上表面32与所述导电片11的上表面111齐平，该包覆层30的下表面33与所述导电片11的下表面112齐平，使得每一连接条12在所述发光二极管封装元件厚度方向C上被该包覆层30包覆，避免在后续的切割制程中产生在所述发光二极管封装元件厚度方向C上突出导电片11下表面112所在平面的毛边。本实施例中，该包覆层30和所述绝缘层20通过模具一体成型，即该包覆层30与所述绝缘层20材质相同，该包覆层30也由热性环氧树脂（EpoxyMoldingCompound,EMC）或者塑胶材料制成。可以理解的，所述包覆层30也可与所述绝缘层20分别单独形成。可以理解的，所述包覆层30也可只包覆所述连接条12，而不填充满该导电片11和连接条12之间的区域。所述发光二极管芯片40设置于其中一电极10上并位于靠近另一电极10的端部。具体的，该发光二极管芯片40位于其中一电极10的导电片11上并位于靠近另一电极10导电片11的一端。该发光二极管芯片40通过打线的方式与所述两电极10形成电性连接。可以理解的，其他实施例中，该发光二极管芯片40也可通过覆晶（flip-chip）的方式与所述两电极10形成电性连接。该封装层50覆盖在该发光二极管芯片40上并覆盖整个包覆层30。也即所述封装层50的竖直端面51与所述包覆层30竖直端面齐平。该封装层50远离发光二极管芯片40一侧的表面形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装元件，其包括相互间隔的两电极、夹设于该两电极之间的绝缘层、设置在所述两电极上并电性连接所述两电极的发光二极管芯片，及覆盖所述发光二极管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，所述连接条的宽度小于所述导电片的宽度，其特征在于：所述连接条的厚度小于所述导电片的厚度，所述连接条的上表面低于所述导电片的上表面，该发光二极管封装元件还包括一包覆层包覆所述连接条，所述连接条的上表面与封装层之间夹设所述包覆层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装元件，其包括相互间隔的两电极、夹设于该两电极之间的绝缘层、设置在所述两电极上并电性连接所述两电极的发光二极管芯片，及覆盖所述发光二极管芯片的封装层，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，所述连接条的宽度小于所述导电片的宽度，其特征在于：所述连接条的厚度小于所述导电片的厚度，所述连接条的上表面低于所述导电片的上表面，该发光二极管封装元件还包括一包覆层包覆所述连接条，所述连接条的上表面与封装层之间夹设所述包覆层，所述连接条自所述导电片的外侧面一体延伸形成，所述包覆层的上表面与所述导电片的上表面齐平。2.如权利要求1所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述包覆层与所述封装层材质不同。3.如权利要求2所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述封装层由透明胶体制成，所述包覆层由环氧树脂模塑料或者塑胶材料制成，所述绝缘层与所述包覆层一体成型，且材质相同。4.如权利要求1所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述连接条的下表面高于所述导电片的底面，所述包覆层的下表面与所述导电片的下表面齐平。5.如权利要求1所述的发光二极管封装元件，其特征在于：所述连接条的厚度为所述导电片厚度的一半，所述包覆层填充满所述连接条与导电片之间的区域，所述封装层的竖直端面与所述包覆层的竖直端面齐平。6.一种发光二极管封装元件的制造方法，包括步骤：预成型相互间隔的两电极，每一电极包括一导电片及与该导电片连接的至少一连接条，每一连接条...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀祖，陈滨全，陈隆欣，曾文良，黄郁良，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44