阵列基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括：薄膜晶体管，与薄膜晶体管的有源层同层设置的辅助电极，以及与辅助电极电连接的透明阴极，其中所述有源层为氧化物半导体，所述辅助电极为经等离子体处理过的氧化物半导体。根据本发明专利技术的技术方案，将有源层和辅助电极设置于同一层，因此可通过同一道刻蚀工艺形成有源层和辅助电极，无需增设形成辅助电极的工艺，从而减少阵列基板的整体工艺时间，节约了制作成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体而言，涉及一种阵列基板、显示装置和一种阵列基板制作方法。
技术介绍
在制备大尺寸倒置型OLED(有机发光二极管器件)显示面板的穿透式结构和上发光组件结构中，需要光从阴极发出，因此将阴极做薄，就可以不用考虑功函数，但是当阴极很薄的时候，会产生断路或者金属容易氧化的问题，使得阴极导电度难以满足导电需求。另外因为OLED结构为电流驱动，当外部线路过长或者过细时，OLED结构与外部电路将会形成较大的电压梯度，使用于OLED组件的电压下降，导致面板发光强度降低，同时因为ITO电阻过大，容易造成外部功率消耗。因此现有技术中通过增加辅助电极的方式来降低电压梯度，增加发光线路，减少驱动电压，具体材料可以采用Cr，Al，Cr/Al/Cr，Mo/Al/Mo等。但是在制备辅助电极时，需要增加一道溅射金属的工艺，同时还需要进行刻蚀，增加了OLED制备的成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，如何简化倒置式OLED器件中辅助电极的制作，以简化OLED器件的制作工艺，降低制作成本。为此目的，本专利技术提出了一种阵列基板，包括：薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管的有源层同层设置的辅助电极，以及与所述辅助电极电连接的透明阴极，其中所述有源层为氧化物半导体，所述辅助电极为经等离子体处理过的氧化物半导体。还包括：基底，设置于所述基底之上的栅极，设置于所述栅极之上的栅极绝缘层，其中，所述有源层设置在所述栅极绝缘层上。优选地，还包括：设置在所述辅助电极上的第一刻蚀阻挡层，其中，所述第一刻蚀阻挡层中设置有过孔，则所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔与所述辅助电极电连接。优选地，还包括：设置在所述有源层上的第二刻蚀阻挡层，以及设置在所述第二刻蚀阻挡层上的源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别通过所述第二刻蚀阻挡层中的过孔与所述有源层电连接。优选地，还包括：设置在所述栅极绝缘层上，且覆盖所述源极、漏极和第一刻蚀阻挡层的钝化层，其中，所述钝化层中设置有过孔，则所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔和所述钝化层中的过孔与所述辅助电极电连接。优选地，还包括：在所述透明阴极上依次设置的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和反射阳极。本专利技术还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。本专利技术还提出了一种阵列基板制作方法，包括：形成氧化物半导体层；对氧化物半导体层进行构图工艺，以形成薄膜晶体管的有源层，并在预设区域形成辅助电极图形；对所述辅助电极图形进行等离子体处理以形成辅助电极；形成与所述辅助电极电连接的透明阴极。优选地，在形成氧化物半导体层之前还包括：在基底上形成栅极；在所述栅极上形成栅极绝缘层；所述氧化物半导体层形成在所述栅极绝缘层上。优选地，在对氧化物半导体层进行构图工艺之后还包括：在所述辅助电极图形上形成第一刻蚀阻挡层，则对所述辅助电极图形进行等离子体处理包括：隔着所述第一刻蚀阻挡层对所述辅助电极图形进行等离子体处理，或在形成所述辅助电极图形之后和形成所述第一刻蚀阻挡层之前对所述辅助电极图形进行等离子体处理。优选地，还包括：在形成第一刻蚀阻挡层时，在所述有源层上形成第二刻蚀阻挡层，则在形成所述透明阴极之前还包括：在所述第二刻蚀阻挡层中形成过孔，在所述第二刻蚀阻挡层上形成源极和漏极，将所述源极和漏极分别通过所述第二刻蚀阻挡层中的过孔与所述有源层电连接。优选地，还包括：在所述栅极绝缘层上形成钝化层，使所述钝化层覆盖所述源极、漏极和第一刻蚀阻挡层，在所述钝化层中形成过孔，则在形成所述透明阴极时，将所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔和钝化层中的过孔与所述辅助电极电连接。优选地，在形成所述透明阴极之前还包括：对所述辅助电极进行退火处理。优选地，还包括：在所述透明阴极上依次形成电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和反射阳极。根据上述技术方案，通过将有源层和辅助电极设置于同一层，因此可通过同一道刻蚀工艺形成有源层和辅助电极，无需单独设置形成辅助电极的工艺，从而减少阵列基板的整体工艺时间，节约了制作成本。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中：图1示出了根据本专利技术一个实施例的阵列基板的结构示意图；图2示出了根据本专利技术一个实施例的阵列基板制作方法的示意图；图3示出了根据本专利技术一个实施例的形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层的示意图；图4示出了根据本专利技术一个实施例的在第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层中形成过孔的示意图；图5示出了根据本专利技术一个实施例的在第二刻蚀阻挡层上形成源极和漏极的示意图；图6示出了根据本专利技术一个实施例的形成钝化层的示意图。附图标号说明：1-基底；2-栅极；3-栅极绝缘层；4-有源层；5-辅助电极；6-透明阴极；7-发光层；8-空穴传输层；9-空穴注入层；10-反射阳极；11-源极；12-漏极；13-第二刻蚀阻挡层；14-钝化层；15-第一刻蚀阻挡层。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。除非另作定义，本文使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。在本专利技术中，术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。如图1所示，根据本专利技术一个实施例的阵列基板包括：薄膜晶体管(位于图1中左下)，与薄膜晶体管的有源层4同层设置的辅助电极5，以及与辅助电极5电连接的透明阴极6，其中有源层4为氧化物半导体，辅助电极5为经等离子体处理过的氧化物半导体。优选地，还包括：基底1，设置于基底1之上的栅极2，设置于栅极2之上的栅极绝缘层3，其中，有源层4设置在栅极绝缘层3上。具体地，通过一道刻蚀工艺对位于栅极绝缘层之上的一层氧化物半导体层进行刻蚀，形成有源层和辅助电极图案，然后对辅助电极图案进行等离子体处理，提高氧化物半导体层载流子的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管的有源层同层设置的辅助电极，以及与所述辅助电极电连接的透明阴极，其中所述有源层为氧化物半导体，所述辅助电极为经等离子体处理过的氧化物半导体。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管的有源层同层设置的辅助电极，以及与所述辅助电极电连接的透明阴极，其中所述有源层为氧化物半导体，所述辅助电极为经等离子体处理过的氧化物半导体；所述阵列基板还包括设置在所述辅助电极上的第一刻蚀阻挡层，以防止辅助阴极在形成源漏极时受到损伤，其中，所述第一刻蚀阻挡层中设置有过孔，所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔与所述辅助电极电连接。2.根据权利要求1所述阵列基板，其特征在于，还包括：基底，设置于所述基底之上的栅极，设置于所述栅极之上的栅极绝缘层，其中，所述有源层设置在所述栅极绝缘层上。3.根据权利要求2所述阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述有源层上的第二刻蚀阻挡层，以及设置在所述第二刻蚀阻挡层上的源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别通过所述第二刻蚀阻挡层中的过孔与所述有源层电连接。4.根据权利要求3所述阵列基板，其特征在于，还包括：设置在所述栅极绝缘层上，且覆盖所述源极、漏极和第一刻蚀阻挡层的钝化层，其中，所述钝化层中设置有过孔，则所述透明阴极通过所述第一刻蚀阻挡层中的过孔和所述钝化层中的过孔与所述辅助电极电连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述阵列基板，其特征在于，还包括：在所述透明阴极上依次设置的电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和反射阳极。6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5中任一项所述的阵列基板。7.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：形成氧化物半导体层；对氧化物半导体层进行构图工艺，以形成薄膜晶体管的有源层，并在预设区域形成辅助电极图形；对所述辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐永莲，张锋，王东方，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11