薄膜晶体管驱动背板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管驱动背板及其制造方法，在一透光绝缘基板上形成若干不透光的栅电极，在透光绝缘基板上形成一栅极绝缘膜，覆盖栅电极；在栅极绝缘膜上形成一图案化的光导半导体层，光导半导体层包含与栅电极沿透光绝缘基板方向重叠区域和超出区域，通过电磁辐射转化超出区域为导体，分别为薄膜晶体管的源极区域和漏极区域；形成一图形化的保护层，覆盖光导半导体层，保护层上形成有露出漏极区域的像素电极接触孔；形成像素电极，通过像素电极接触孔耦接漏极区域；以及形成一绝缘层，覆盖在保护层上，露出部分像素电极，本发明专利技术通过局部转化光导半导体材料，一步形成源极区域、漏极区域和沟道，制造工序简单，提高设备稼动率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一透光绝缘基板；若干不透光的栅电极，形成于所述透光绝缘基板上；一栅极绝缘膜，形成于所述透光绝缘基板上，覆盖所述栅电极；以及一图案化的光导半导体层，形成于所述栅极绝缘膜上，所述光导半导体层包含与所述栅电极沿所述透光绝缘基板方向重叠区域和超出区域，所述超出区域通过电磁辐射转化为导体，分别为所述薄膜晶体管的源极区域和漏极区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：辛龙宝，黄添旺，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31