具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法技术

本发明专利技术公开一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对，用以调节输入电压与最佳化一低电磁干扰回路，其具有一下导线架与一上导线架可同时散逸由两金属氧化物半导体场效应晶体管所产生的热能而达到极佳的散热功能，并可于该下导线架与该上导线架以焊料、银环氧树脂或金球电性连接两金属氧化物半导体场效应晶体管而达成极佳的结构适应性，且该上导线架可堆叠如绝缘栅双极型晶体管、二极管、电感器、扼流器与散热器等装置，以形成有效的系统级封装模块；及提供一种简单、省时、适应性高、低成本与易使用的制造该具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对的方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，包括：一第一导线架，具有一置放电子组件的至少一上方部分以及与所述至少一上方部分连接的多个接脚，其中，所述多个接脚的末端与所述第一导线架的至少一上方部分具有一距离以形成一空间；一第一电子组件，设置在所述导线架的上方部分上，其中，所述第一电子组件的第一端子与所述多个接脚的第一接脚电性连接，所述第一电子组件的第二端子与所述多个接脚件的第二接脚电性连接；以及至少一导电组件，设置在所述的空间中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李汉祥，林逸程，陈大容，
申请(专利权)人：乾坤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71