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具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法技术
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文档序号:11487754
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本发明公开一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对,用以调节输入电压与最佳化一低电磁干扰回路,其具有一下导线架与一上导线架可同时散逸由两金属氧化物半导体场效应晶体管所产生的热能而达到极佳的散热功能,并可于该下导线架与该上导线架以焊料...
该专利属于乾坤科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过乾坤科技股份有限公司授权不得商用。
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