具有搅拌功能的实验用半导体清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种具有搅拌功能的实验用半导体清洗装置，包括上端敞口的盛液反应槽；镂空隔板设在盛液反应槽内下部，在镂空隔板四周分别设有矩形槽口，在镂空隔板上设有多个条形通孔，所述盛液反应槽内腔通过镂空隔板分成上下连通的两个腔；双叶片搅板铰接在盛液反应槽内位于镂空隔板的下方，在双叶片搅板两端对称连接有两个立杆，立杆下端通过Y型支架与双叶片搅板的两个叶片固接，两个立杆上端分别延伸到盛液反应槽外面。有益效果是：能够实现在晶片篮静止不动的前提下完成对晶片的清洗，可有效避免晶片篮静止清洗过程中的反应速率不均匀和提拉晶片篮清洗过程中容易产生碰撞的问题，清洗效果好，晶片篮不会产生碰撞，成品率高。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于一种实验室用品，特别涉及一种具有搅拌功能的实验用半导体清洗装置。
技术介绍
晶片清洗是半导体晶片工艺加工中最常使用的工艺步骤。晶片清洗的主要作用包括:获得清洁的晶片表面(如去除附着在晶片表面的原子、离子、分子、有机沾污或颗粒)、晶片抛光和晶片定向腐蚀。在晶片清洗过程中，晶片表面的溶液浓度不断降低，反应速率将逐渐下降，从而严重影响清洗工艺的质量。为了确保晶片清洗的质量，需要使反应槽中的溶液处于不断流动的状态，从而带动晶片表面溶液的流动，补充反应液浓度的消耗，获得一致的反应过程。在半导体工业生产中一般采用氮气鼓泡的方法使反应槽中反应液产生流动，即在反应槽底部连接氮气，通过气动开关开启和关闭氮气，使反应槽中反应液体产生自下而上的搅动。与工业生产时的大批量生产过程不同，在实验过程中清洗的晶片数量很少，且多数清洗过程的时间为20分钟左右，所以采用氮气鼓泡的方法清洗晶片将会使晶片清洗的成本大大增加。一般实验过程采用的是人工转动清洗晶片篮的方式实现液体的流动。如图1所示，由于放置于晶片篮中的晶片是垂直放置于清洗反应槽中，晶片和晶片篮之间间距很小(常为2-3_)，所以最有效的晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有搅拌功能的实验用半导体清洗装置，包括上端敞口的盛液反应槽；其特征是：镂空隔板，设在盛液反应槽内下部，在镂空隔板四周分别设有矩形槽口，在镂空隔板上设有多个条形通孔，所述盛液反应槽内腔通过镂空隔板分成上下连通的两个腔；双叶片搅板，铰接在盛液反应槽内位于镂空隔板的下方，用于搅动盛液反应槽内的清洗液；在双叶片搅板两端对称连接有两个立杆，立杆下端通过Y型支架与双叶片搅板的两个叶片固接，两个立杆上端分别延伸到盛液反应槽外面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙承智，
申请(专利权)人：辽宁石化职业技术学院，
类型：新型
国别省市：辽宁;21