3390nm带通红外滤光敏感元件制造技术

本发明专利技术公开了一种3390nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明专利技术所得到的一种3390nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长3390±15nm，其在石化系统红外气体检测过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥75％，带宽=60±10nm，400～14000nm（除通带外），Tavg＜0.5%。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种3390nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Ge、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有105nm厚度的Ge层、286nm厚度的SiO层、111nm厚度的Ge层、258nm厚度的SiO层、97nm厚度的Ge层、275nm厚度的SiO层、130nm厚度的Ge层、214nm厚度的SiO层、88nm厚度的Ge层、481nm厚度的SiO层、400nm厚度的Ge层、339nm厚度的SiO层、384nm厚度的Ge层、596nm厚度的SiO层、386nm厚度的Ge层、850nm厚度的SiO层、349nm厚度的Ge层、794nm厚度的SiO层、380nm厚度的Ge层、1022nm厚度的SiO层、494nm厚度的Ge层、1084nm厚度的SiO层、432nm厚度的Ge层、932nm厚度的SiO层、465nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有101nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、951nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、476nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、951nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、386nm厚度的SiO层、179nm厚度的Ge层、130nm厚度的SiO层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晶，王继平，胡伟琴，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33