通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件制造技术

本发明专利技术公开了一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明专利技术所得到的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=4200±20nm，50％Cut on=4450±20nm，4250～4400nm，T≥88%，Tavg≥92%，1000～4000nm，4600～7000nm，T≤3%。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种通过带为4200‑4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Si、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的SiO层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的SiO层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的SiO层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的SiO层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的SiO层、335nm厚度的Ge层、881nm厚度的SiO层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的SiO层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的SiO层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的SiO层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的SiO层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王继平，胡伟琴，吕晶，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33