4430nm带通红外滤光敏感元件制造技术

本发明专利技术公开了一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明专利技术所得到的一种4430nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4430±15 nm，其在医用红外气体检测分析过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70％，带宽=30±10nm，400～11000 nm（除通带外），Tavg<0.1%。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Ge、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有214nm厚度的Ge层、225nm厚度的SiO层、215nm厚度的Ge层、264nm厚度的SiO层、135nm厚度的Ge层、195nm厚度的SiO层、94nm厚度的Ge层、321nm厚度的SiO层、120nm厚度的Ge层、245nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、291nm厚度的SiO层、131nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、295nm厚度的SiO层、136nm厚度的Ge层、524nm厚度的SiO层、236nm厚度的Ge层、326nm厚度的SiO层、79nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、363nm厚度的Ge层、1116nm厚度的SiO层、274nm厚度的Ge层、1132nm厚度的SiO层、290nm厚度的Ge层、1115nm厚度的SiO层、388nm厚度的Ge层、571nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有346nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、1255nm厚度的SiO层、271nm厚度的Ge层、627nm厚度的SiO层、255nm厚度的Ge层、120nm厚度的SiO层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晶，王继平，余初旺，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33