通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型专利技术所得到的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=4200±20nm，50％Cut on=4450±20nm，4250～4400nm，T≥88%，Tavg≥92%，1000～4000nm，4600～7000nm，T≤3%。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及红外滤光敏感元件领域，尤其是一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件。
技术介绍
红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热能)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光敏感元件，通过红外滤光敏感元件可以使探测器只接受特定波段的红外能量(热能)，保证红外热成像仪的成像结果。但是，目前的红外滤光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述技术的不足而提供一种测试精度高、能极大提高信噪比的通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件。为了达到上述目的，本技术所设计的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、S1为第一镀膜层和以S1、S1为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间，其特征是所述第一镀膜层由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的S1层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的S1层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的S1层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的S1层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的S1层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的S1层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的S1层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的S1层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的S1层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的S1层、335nm厚度的Ge层、88Inm厚度的S1层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的S1层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的S1层；所述的第二镀膜层由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的S1层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的S1层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的S1层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的S1层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在1nm左右。本技术所得到的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件 50% Cut on=4200±20nm，50% Cut on=4450±20nm，4250 ?4400nm，T 彡 88%，Tavg ^ 92%，1000 ?4000nm，4600 ?7000nm，T 3%。【附图说明】图1是实施例整体结构示意图。图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。【具体实施方式】下面通过实施例结合附图对本技术作进一步的描述。实施例1。如图1、图2所示，本实施例描述的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板2，以Ge、S1为第一镀膜层I和以S1、S1为第二镀膜层3，且所述基板2设于第一镀膜层I与第二镀膜层3之间，所述第一镀膜层I由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的S1层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的S1层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的S1层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的S1层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的S1层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的S1层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的S1层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的S1层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的S1层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的S1层、335nm厚度的Ge层、88Inm厚度的S1层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的S1层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的S1层；所述的第二镀膜层3由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的S1层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的S1层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的S1层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的S1层。【主权项】1.一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板(2)，以Ge、S1为第一镀膜层(I)和以S1、S1为第二镀膜层(3)，且所述基板(2)设于第一镀膜层(I)与第二镀膜层(3)之间，其特征是所述第一镀膜层(I)由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的S1层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的S1层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的S1层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的S1层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的S1层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的S1层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的S1层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的S1层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的S1层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的S1层、335nm厚度的Ge层、881nm厚度的S1层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的S1层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的S1层；所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的S1层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的S1层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的S1层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的S1层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的S1层。【专利摘要】本技术公开了一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过带为4200‑4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板（2），以Ge、SiO为第一镀膜层（1）和以Si、SiO为第二镀膜层（3），且所述基板（2）设于第一镀膜层（1）与第二镀膜层（3）之间，其特征是所述第一镀膜层（1）由内向外依次排列包含有127nm厚度的Ge层、253nm厚度的SiO层、127nm厚度的Ge层、283nm厚度的SiO层、109nm厚度的Ge层、260nm厚度的SiO层、150nm厚度的Ge层、247nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、328nm厚度的SiO层、165nm厚度的Ge层、317nm厚度的SiO层、128nm厚度的Ge层、609nm厚度的SiO层、260nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、93nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、265nm厚度的Ge层、1073nm厚度的SiO层、335nm厚度的Ge层、881nm厚度的SiO层、393nm厚度的Ge层、860nm厚度的SiO层、408nm厚度的Ge层、438nm厚度的SiO层；所述的第二镀膜层（3）由内向外依次排列包含有106nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、2500nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、572nm厚度的SiO层、326nm厚度的Si层、622nm厚度的SiO层、316nm厚度的Si层、1245nm厚度的SiO层、369nm厚度的Si层、499nm厚度的SiO层、300nm厚度的Si层、731nm厚度的SiO层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王继平，胡伟琴，吕晶，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33