闪存产品自对准光刻工艺测试方法技术
【技术实现步骤摘要】
闪存产品自对准光刻工艺测试方法
本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种闪存产品自对准光刻工艺测试方法。
技术介绍
闪存产品的调节闪存单元的阀值电压的半导体层的减版过程可以通过其他现有层数来实现。闪存产品芯片在制造中,一般，客户是按照掩模版的层数来支付制造费用的，由此可以通过减版来降低制造费用，从而降低闪存产品的总体成本。在此减版过程中，浮栅的氮化硅层的关键尺寸和前后掩模版的对准情况就表现地至关重要。但是，现有技术中，还没有相关的能够有效地测试自对准光刻工艺下与浮栅关联的氮化硅层(在制造中，浮栅实际上是借助该层氮化硅层的后续自对准制程得到的材质而定义的)的关键尺寸以及与浮栅关联的氮化硅层的前后掩模版对准情况的技术方案。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效地测试自对准光刻工艺下浮栅的氮化硅层的关键尺寸以及浮栅的氮化硅层的前后掩模版对准情况的采用半导体测试键器件结构的闪存产品自对准光刻工艺测试方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种闪存产品自对准光刻工艺测试方法，包括：第一步骤：利用闪...
【技术保护点】
一种闪存产品自对准光刻工艺测试方法，其特征在于包括：第一步骤：利用闪存产品的制造工艺制造测试键结构；第二步骤：对测试键结构的电阻参数值进行测量。
【技术特征摘要】
1.一种闪存产品自对准光刻工艺测试方法，所述闪存产品包括一基底，一位于所述基底之上的浮栅以及一位于所述浮栅之上的氮化硅层，其特征在于，包括：第一步骤：提供一第一掩模结构，所述第一掩模结构中包括第一长条形开口和第二长条形开口，通过所述第一掩模结构在所述氮化硅层中形成氮化硅图案；提供用于定义一有源区的第二掩模结构，所述第一长条形开口所对应的区域完全落在第二掩模结构所对应的区域内，而所述第二长条形开口所对应的区域部分落在第二掩模结构所对应的区域内，部分落在第二掩模结构所对应的区域外；利用闪存产品的制造工艺制造测试键结构；第二步骤：对测试键结构的电阻参数值进行测量，根据测量到的电阻参数值来判断自对准光刻工艺下与所述氮化硅层的关键尺寸的精确度以及与所述氮化硅层的前后掩模版对准情况。2.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊鹏，邓咏桢，康军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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