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本发明提供了一种闪存产品自对准光刻工艺测试方法，包括：第一步骤：利用闪存产品的制造工艺制造测试键结构；第二步骤：对测试键结构的电阻参数值进行测量，并且根据测量到的电阻参数值来判断自对准光刻工艺下与浮栅关联的氮化硅层的关键尺寸的精确度以及与浮...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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