【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于将模制化合物应用到半导体芯片的模制模具，所述模制模具包括：侧墙，其形成用于容纳所述半导体芯片的空腔，并具有相反的第一和第二轴向末端，所述侧墙具有在所述第一轴向末端处的第一开口和在所述第二轴向末端处的第二开口，所述第一开口和第二开口中的每一个接入所述空腔；主墙，在其所述第一轴向末端处耦接到所述侧墙，并且跨所述第一开口，所述主墙的中心与所述侧墙的纵轴对准，所述主墙限定相对于所述侧墙的纵轴基本垂直取向的平面；以及第一和第二闸道，其被形成穿过所述主墙以接入所述空腔，所述第一和第二闸道限定位于所述主墙的所述平面中的第一线，所述主墙的中心位于所述第一和第二闸道之间在所述第一线上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗文耀，刘德明，丁行强，赵树峰，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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