能够抵抗双节点翻转的触发器结构制造技术

本发明专利技术涉及集成电路中的抗辐射触发器，为提供一种可以应用于辐射环境下的触发器，可以抵抗DNU。当触发器的存储节点由于重离子轰击而发生单粒子效应时，该触发器存储状态能够不发生改变，抵抗单节点翻转和双节点翻转。为此，本发明专利技术采取的技术方案是，能够抵抗双节点翻转的触发器结构，包括：12个传输门TG1～12、10个反相器INV1～10、3个二输入保护门DIG1～3和一个三输入保护门TIG；输入D分别通过TG1～3后的节点分别为A1、A2、A3，A1、A2、A3节点各自对应经过反相器INV1～3后分别通过开关TG7～9后的节点定义为B1、B2、B3。本发明专利技术主要应用于抗辐射触发器的设计制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种能够抵抗双节点翻转的触发器结构，其特征是，包括：12个传输门TG1～12、10个反相器INV1～10、3个二输入保护门DIG1～3和一个三输入保护门TIG；输入D分别通过TG1～3后的节点分别为A1、A2、A3，A1、A2、A3节点各自对应经过反相器INV1～3后分别通过开关TG7～9后的节点定义为B1、B2、B3；INV1接INV4再接TG4反馈连至A1节点，INV2接INV5再接TG5反馈连至A2节点，INV3接INV6再接TG6反馈连至A3节点；B1、B2作为DIG1的两个输入信号，DIG1的输出端为C1，C1经由INV7和TG10反馈连至B1；B2、B3作为DIG2的两个输入信号，DIG2的输出端为C2，C2经由INV8和TG11反馈连至B2；B1、B3作为DIG3的两个输入信号，DIG3的输出端为C3，C3经由INV9和TG12反馈连至B3；C1、C2、C3共同作为三输入保护门TIG的输入端，TIG的输出为NQ，经过一个反相器INV10输出Q。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚素英，闫茜，徐江涛，聂凯明，史再峰，高静，高志远，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12