本发明专利技术实施例公开了一种上电复位电路。该上电复位电路包括RC电路、施密特触发器、反相器和第一PMOS管；当电源电压通电时，电源电压通过RC电路对电容充电；当电容的电压达到第一阈值时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位；上电复位电路包括放电电路，用于检测电源电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出第一信号到施密特触发器的输入端，该第一信号允许施密特触发器再次翻转而输出第二电平，从而经反相放大器关断第一PMOS管；当电源电压再次斜线上升时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位。本发明专利技术实施例的上电复位电路能够有效克服电源小故障带来的系统状态紊乱的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及上电复位电路，尤其涉及一种零功率的上电复位电路。
技术介绍
上电复位电路(Power-on-RST ciRCuit,简称P0R)是用于保证在半导体器件开始供电的初始阶段给系统提供一种全局复位信号，确保整个器件从一个确定的状态启动的电路。图1是一种常规的上电复位电路的示意图。如图1所示，当电源最初施加到电路时，电源电压VDD从零电压斜线上升，由此通过电阻R对电容C充电。电容C充电时，节点Va的电压跟随VDD电压。当Va增加到一定阈值时，施密特触发器10反转，?RST信号为高电平，该高电平的?RST信号为这个系统提供全局复位信号，确保整个系统从一个确定的状态启动。同时，高电平的?RST信号通过反相放大器12使PMOS管14接通，从而将电容C短接到VDD上。在电源电压稳定的情况下，整个复位电路无静态电流消耗，不产生功率消耗。然而，电源电压有可能不稳定，会出现小故障或者短促下降，持续时间可能为数百微秒，也可能多达毫秒量级。通常，上电复位电路中的RC比较大，Va下降幅度很小，不足以下降达到使施密特触发器10再次翻转的第二阈值。因此，在电源小故障的情况下，?RST很可能仍然保持在高电平。在某些类型的电子设备中，例如便携设备中，可能会经常开关设备，因此，VDD会短促下降。然而采用图1所示的上电复位电路，在电源小故障或者电源电压短促下降的情况下无法将电子设备正常复位，各部件的功能可能出现混乱的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够克服上述缺点的电路。本专利技术实施例提供一种上电复位电路。该上电复位电路包括RC电路；施密特触发器，施密特触发器具有第一阈值和第二阈值；反相器；以及，第一 PMOS管；当电源电压通电时，电源电压通过RC电路对电容充电；当电容的电压达到第一阈值时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位；所述上电复位电路包括放电电路，用于检测电源电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出第一信号到施密特触发器的输入端，该第一信号允许施密特触发器再次翻转而输出第二电平，从而经反相放大器关断第一 PMOS管；当电源电压再次斜线上升时，施密特触发器翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位。优选地，放电电路包括检测电路，用于检测电源电压的短促下降；并且在检测到所述短促下降时，将第二 PMOS管导通，使其输出所述第一信号。优选地，放电电路包括漏极和源极分别相连接的第三PMOS管和第一 NMOS管以及控制电路，控制电路控制第三PMOS管的栅极和第一 NMOS管的栅极，使得电源电压出现短促下降时接通所述第三PMOS管和第一 NMOS管，从而将第二 PMOS管漏极的第一信号传递到施密特触发器的输入端。优选地，控制电路包括保持电路，用于在电源电压短促下降时保持电压稳定；第四PM0S，其栅极接到电源电压，漏极接收保持电路的输出电压，源极；反相器，反相器的输入端接在第四PMOS的源极；第五PMOS管，其栅极和源极共同连接到电源电压，漏极接到反相器的输出端。优选地，保持电路是RC电路。本专利技术实施例的上电复位电路能够有效克服电源小故障带来的系统状态紊乱的问题。【附图说明】图1是一种常规的上电复位电路的示意图；图2是根据本专利技术一个实施例的上电复位电路；图3是放电电路的示意图；图4是PMOS管和NMOS管的栅极控制电路的示意图；图5是图3电路的各信号波形示意图；图6是图4电路的各信号波形示意图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细、清楚、完整的说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。图2是根据本专利技术一个实施例的上电复位电路。如图2所示，上电复位电路包括一个常规的上电复位电路；上电复位电路还包括一个放电电路210。常规的上电复位电路包括RC电路202，施密特触发器204，反相器206，PMOS管208。RC电路202由电阻R和电容C组成。施密特触发器204分别具有两个反转阈值，第一阈值和第二阈值。当电源电压VDD通电时，VDD开始通过RC电路202对电容C充电；随着VDD的增加，电容C两端的电压逐步增加。当节点a的电压Va达到第一阈值时，施密特触发器204翻转，输出高电平，由此对电路所在系统的各电路/部件/模块复位。高电平的?RST信号通过反相放大器206使PMOS管208接通，从而将电容C短接到VDD上。在电源电压稳定的情况下，整个复位电路无静态电流消耗，不产生功率消耗。上电复位时间和RC值有关。如果电阻的阻值为10kQ，C的容值为1pF,则可在I μ s左右完成复位。如果VDD出现数百微秒或甚至数毫秒的电源小故障(glitch))或者短促下降，由于RC通常很大，因此Va下降幅度不大，不足以达到使施密特触发器204再次翻转的第二阈值。?RST仍然保持在高电平。放电电路210用于检测VDD电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出低电平到节点a，从而使Va短时跟随VDD做短促下降。当Va的短促下降达到可以促使施密特触发器204再次翻转的第二阈值时，施密特触发器204的输出信号?RST变低电平，该低电平经反相放大器206关断PMOS管208。当VDD再次从短促下降后的低电压斜线上升时，如前文所述，施密特触发器204的输出信号?RST将再次置高电平，系统的各模块将再次复位。图3是放电电路210的示意图。如图3所示，放电电路包括VDD检测电路302。该VDD检测电路302可以由电容304和电阻306构成。在一个例子中，电阻306可以由CMOS管构成，其具有较高阻值，例如1MΩ。在一个例子中，电容304是真的电容，可以选择大容量的电容，例如电容的容量为数个PF。当VDD稳定时，电容304两端的电压等于VDD，节点b的电压Vb为零。当VDD电压有短促下降时，由于电容304和电阻306的较大RC常数，使得节当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种上电复位电路，包括RC电路（202）；施密特触发器（204），施密特触发器具有第一阈值和第二阈值；反相器（206）；以及，第一PMOS管（208）；当电源电压通电时，电源电压通过RC电路（202）对电容（C）充电；当电容的电压（Va）达到第一阈值时，施密特触发器（204）翻转，输出第一电平的复位信号，由此对电路所在系统复位，同时第一电平的复位信号通过反相放大器使第一PMOS管接通，从而将电容短接到电源电压上；所述上电复位电路包括放电电路（210），用于检测电源电压的短促下降，并且在检测到该短促下降时输出第一信号到施密特触发器的输入端，该第一信号允许施密特触发器（204）再次翻转而输出第二电平，从而经反相放大器（206）关断第一PMOS管（208）；当电源电压再次斜线上升时，施密特触发器（204）翻转，输出第一电平，由此对电路所在系统复位。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：麦日锋，刘明，
申请(专利权)人：京微雅格北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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