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本发明涉及集成电路中的抗辐射触发器，为提供一种可以应用于辐射环境下的触发器，可以抵抗DNU。当触发器的存储节点由于重离子轰击而发生单粒子效应时，该触发器存储状态能够不发生改变，抵抗单节点翻转和双节点翻转。为此，本发明采取的技术方案是，能够抵...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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