一种光刻胶涂布轨迹的实施方法技术

本发明专利技术为一种光刻胶涂布轨迹的实施方法，应用于半导体制造领域中光刻胶涂布的工艺过程，适用于超声波喷涂工艺和旋涂工艺中的光刻胶喷洒过程，解决了喷头（或胶嘴）相对于晶片运动过程中的一类优化问题，有助于提高胶膜的均匀性。该相对运动轨迹为原点对称的等距螺线，本发明专利技术给出实现该运动轨迹的硬件条件和基于该硬件条件实现该运动轨迹所要遵循的数学描述。本发明专利技术可应用于发明专利技术所属单位的喷胶设备、匀胶设备；也可以应用于切削加工领域，如平面铣削加工。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光刻胶涂布轨迹的实施方法，其特征在于，包括以下步骤：喷嘴/胶嘴从晶片边缘沿直径运动到晶圆中心，同时晶片沿一个方向匀速旋转；喷嘴/胶嘴从晶片中心继续沿所述直径运动到晶圆边缘，同时晶片反方向旋转；所述喷嘴/胶嘴的直线运动和晶片的旋转运动满足轨迹方程如下：轨迹方程：R=f(t)θ=λf(t)]]>其中，R为喷嘴/胶嘴的直线运动距离，θ为晶圆转动角度，t为时间，λ为常数；螺旋线间距为函数f(t)满足通过所述轨迹方程得到原点对称等距螺旋线的一半，原点对称后就得到了另一半的运动轨迹，从而使晶片表面的光刻胶形成等距螺旋曲线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21