本实用新型专利技术提供一种基于T型结构0.3阶积分电路模块及包含该模块的含y方的Lorenz型混沌系统电路，T型结构分数阶积分电路模块由六部分组成，第一部分由四个电阻和一个电位器串联后，与四个电容并联组成，后面五部分均由四个电阻和一个电位器串联后，与四个电容并联部分相串联组成。本实用新型专利技术采用T型结构，设计制作了PCB电路，0.3阶分数阶积分电路由前五部分组成，后一部分不用，悬空，采用这种方法的实现0.3阶分数阶混沌系统电路，可靠性高，不易出错。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种通用分数阶积分电路模块及其0. 3阶混浊系统电路实现，特别设 及一种基于T型结构0. 3阶积分电路模块及包含该模块的含y方的Lorenz型混浊系统电 路。
技术介绍
因为实现分数阶混浊系统的电路的电阻和电容都是非常规电阻和电容，一般采用 电阻串联和电容并联的方法实现，目前，实现的主要方法是利用现有的电阻和电容在面包 板上组合的方法，该种方法可靠性和稳定性比较低，并且存在容易出错，出错后不易查找等 问题，本专利技术为克服该个问题，采用T型结构，设计制作了 PCB电路，整个电路模块电路由 六部分组成，第一部分由四个电阻和一个电位器串联后，与四个电容并联组成，后面五部分 均由四个电阻和一个电位器串联后，与四个电容并联部分相串联组成，T型0. 3阶通用积分 电路由前五部分组成，后一部分不用，悬空，采用该种方法的实现0. 3阶分数阶混浊系统电 路，可靠性高，不易出错。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种基于T型结构0. 3阶积分电路模块及包含该 模块的含y方的Lorenz型混浊系统电路，本专利技术采用如下技术手段实现专利技术目的： 1、基于T型结构0. 3阶积分电路模块，其特征是在于；电阻Rx与电容Cx并联，形 成第一部分，电阻Ry与电容切串联，形成第二部分，并联接在第一部分两端，电阻化与电 容Cz串联，形成第S部分，并联接在第二部分两端，电阻Rw与电容Cw串联，形成第四部分， 并联接在第=部分两端，电阻Ru与电容化串联，形成第五部分，并联接在第四部分两端，电 阻Rv与电容Cv串联，形成第六部分，并联接在第五部分两端所述电阻Rx由电位器Rxl和电 阻尺义2、3义3、1?义4、把5串联组成，电位器1?义1的一端接引脚4，一端接电阻1?义2，电阻把5的一 端阶引脚B，一端接电阻Rx4，所述电容Cx由电容Cx 1、Cx2、Cx3、Cx4并联组成；所述电阻Ry 由电位器Ryl和电阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串联组成，所述电容切由电容切1、切2、切3、切4， 并联组成；所述电阻化由电位器化1和电阻化2、化3、化4、化5串联组成，所述电容Cz由 电容〔21、〔22、〔23、〔24并联组成；所述电阻3*由电位器1?*1和电阻1?*2、1?*3、1?*4、1?*5串 联组成，所述电容Cw由电容Cwl、Cw2、Cw3、Cw4并联组成；所述电阻Ru由电位器Rul和电 阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串联组成，所述电容Cu由电容Cul、Cu2、Cu3、Cu4并联组成；所述电 阻Rv由电位器Rvl和电阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串联组成，所述电容Cv由电容Cvl、Cv2、Cv3、 Cv4并联组成；所述电阻Rx二3. 983M,所述电{化器Rxl二OK,所述电阻Rx2二3. 3M、Rx3二 680K、Rx4 = 2K、Rx5 =化，所述电容 Cx = 0. 025。证，所述电容 Cxi = 22nF、Cx2 = 2.化F、 Cx3 = lnF、Cx4悬空；所述电阻Ry = 4. 908M，所述电位器Ryl =化，所述电阻Ry2 = 3. 9M、 Ry3 = 1M、Ry4 = 5.化、Ry5 = 2K，所述电容切=4. 898uF，所述电容切1 = 4. 7uF、切2 = 150nF、切3 = 47nF、切4悬空；所述电阻化=2. 401M，所述电位器化1 = OK,所述电阻化2 =2M、Rz3 = 200K、Rz4 = 200K、R巧二化，所述电容 Cz = 1. 117uF，所述电容 Czl = luF、 Cz2 = lOOnF、Cz3 = lOnF、Cz4 = 4.化F ;所述电阻 Rw = 1. 248M，所述电位器 Rwl = 8K 和 所述电阻 Rw2 = lM、Rw3 = 200K、Rw4 = 20K、Rw5 = 20K，所述电容 Cw = 0. 2399uF，所述电 容 Cwl = 220nF、Cw2 = lOnF、Cw3 = 6. 8nF、Cw4 = 3. ：3nF ;所述电阻 Ru = 0. 710M，所述电 位器 Rul = OK 和所述电阻 Ru2 = 500K、Ru3 = 200K、Ru4 = 10K、Ru5 = OK,所述电容 Cu = 0. 04704uF，所述电容化1 = 4化F、化2悬空、化3悬空、化4悬空；所述电阻Rv悬空，所述电 容Cv悬空。 2、基于T型结构0. 3阶积分电路模块的含y方的Lorenz型混浊系统电路，其特征 在于： (1)含y方的Lorenz型混浊系统的数学模型i :【主权项】1. 基于T型结构0. 3阶积分电路模块，其特征是在于；电阻Rx与电容Cx并联，形成第 一部分，电阻Ry与电容切串联，形成第二部分，并联接在第一部分两端，电阻化与电容Cz 串联，形成第S部分，并联接在第二部分两端，电阻Rw与电容Cw串联，形成第四部分，并联 接在第=部分两端，电阻Ru与电容化串联，形成第五部分，并联接在第四部分两端，电阻Rv 与电容Cv串联，形成第六部分，并联接在第五部分两端；所述电阻Rx由电位器Rxl和电阻 Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串联组成，电位器Rxl的一端接引脚A，一端接电阻Rx2,电阻Rx5的一端 阶引脚B，一端接电阻Rx4,所述电容Cx由电容Cxi、Cx2、Cx3、Cx4并联组成；所述电阻Ry 由电位器Ryl和电阻372、1?73、1?74、1?巧串联组成，所述电容切由电容切1、切2、切3、切4， 并联组成；所述电阻化由电位器化1和电阻化2、化3、化4、化5串联组成，所述电容Cz由 电容Czl、Cz2、Cz3、Cz4并联组成；所述电阻Rw由电位器Rwl和电阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串 联组成，所述电容Cw由电容Cwl、Cw2、Cw3、Cw4并联组成；所述电阻Ru由电位器Rul和电 阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串联组成，所述电容Cu由电容Cul、Cu2、Cu3、Cu4并联组成；所述电 阻Rv由电位器Rvl和电阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串联组成，所述电容Cv由电容Cvl、Cv2、Cv3、 Cv4并联组成；所述电阻Rx = 3. 983M，所述电位器Rxl = 0K，所述电阻Rx2 = 3. 3M、Rx3 = 680K、Rx4 = 2K、Rx5 =化，所述电容 Cx = 0. 025。证，所述电容 Cxi = 22nF、Cx2 = 2.化F、 Cx3 = lnF、Cx4悬空；所述电阻Ry = 4. 908M，所述电位器Ryl =化，所述电阻Ry2 = 3. 9M、 Ry3 = 1M、Ry4 = 5.化、Ry5 = 2K，所述电容切=4. 898uF，所述电容切1 = 4. 7uF、切2 = 150nF、切3 = 47nF、切4悬空；所述电阻化=2. 401M，所述电位器化1 = 0K和所述电阻化2 =2M、Rz3 = 200K、Rz4 = 200K、R巧二化，所述电容 Cz = 1. 117uF，所述电容 Czl = luF、 Cz2 = lOOnF、Cz3 = lOnF、Cz4 = 4.化F ;所述电阻 Rw = 1. 248M，所述电位器 Rwl = 8K 和 所述电阻 Rw2 = lM、Rw3 = 200K、Rw本文档来自技高网...
【技术保护点】
基于T型结构0.3阶积分电路模块，其特征是在于：电阻Rx与电容Cx并联，形成第一部分，电阻Ry与电容Cy串联，形成第二部分，并联接在第一部分两端，电阻Rz与电容Cz串联，形成第三部分，并联接在第二部分两端，电阻Rw与电容Cw串联，形成第四部分，并联接在第三部分两端，电阻Ru与电容Cu串联，形成第五部分，并联接在第四部分两端，电阻Rv与电容Cv串联，形成第六部分，并联接在第五部分两端；所述电阻Rx由电位器Rx1和电阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串联组成，电位器Rx1的一端接引脚A，一端接电阻Rx2，电阻Rx5的一端阶引脚B，一端接电阻Rx4，所述电容Cx由电容Cx1、Cx2、Cx3、Cx4并联组成；所述电阻Ry由电位器Ry1和电阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串联组成，所述电容Cy由电容Cy1、Cy2、Cy3、Cy4，并联组成；所述电阻Rz由电位器Rz1和电阻Rz2、Rz3、Rz4、Rz5串联组成，所述电容Cz由电容Cz1、Cz2、Cz3、Cz4并联组成；所述电阻Rw由电位器Rw1和电阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串联组成，所述电容Cw由电容Cw1、Cw2、Cw3、Cw4并联组成；所述电阻Ru由电位器Ru1和电阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串联组成，所述电容Cu由电容Cu1、Cu2、Cu3、Cu4并联组成；所述电阻Rv由电位器Rv1和电阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串联组成，所述电容Cv由电容Cv1、Cv2、Cv3、Cv4并联组成；所述电阻Rx＝3.983M，所述电位器Rx1＝0K，所述电阻Rx2＝3.3M、Rx3＝680K、Rx4＝2K、Rx5＝1K，所述电容Cx＝0.02512uF，所述电容Cx1＝22nF、Cx2＝2.2nF、Cx3＝1nF、Cx4悬空；所述电阻Ry＝4.908M，所述电位器Ry1＝1K,所述电阻Ry2＝3.9M、Ry3＝1M、Ry4＝5.1K、Ry5＝2K，所述电容Cy＝4.898uF，所述电容Cy1＝4.7uF、Cy2＝150nF、Cy3＝47nF、Cy4悬空；所述电阻Rz＝2.401M，所述电位器Rz1＝0K和所述电阻Rz2＝2M、Rz3＝200K、Rz4＝200K、Rz5＝1K，所述电容Cz＝1.117uF，所述电容Cz1＝1uF、Cz2＝100nF、Cz3＝10nF、Cz4＝4.7nF；所述电阻Rw＝1.248M，所述电位器Rw1＝8K和所述电阻Rw2＝1M、Rw3＝200K、Rw4＝20K、Rw5＝20K，所述电容Cw＝0.2399uF，所述电容Cw1＝220nF、Cw2＝10nF、Cw3＝6.8nF、Cw4＝3.3nF；所述电阻Ru＝0.710M，所述电位器Ru1＝0K和所述电阻Ru2＝500K、Ru3＝200K、Ru4＝10K、Ru5＝0K，所述电容Cu＝0.04704uF，所述电容Cu1＝47nF、Cu2悬空、Cu3悬空、Cu4悬空；所述电阻Rv悬空，所述电容Cv悬空。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡春华，王忠林，
申请(专利权)人：滨州学院，王忠林，
类型：新型
国别省市：山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。