有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置。所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括：通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种有机发光二极管阵列基板、一种有机发光二极管显示装置以及一种有机发光二极管阵列基板的制造方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)因其具有自发光、反应快、色彩丰富等特点而日益成为重要的显示器件。在现有技术中，OLED阵列基板的结构比较复杂，通常涉及薄膜晶体管和有机发光二极管结构，其中，薄膜晶体管的栅极、源、漏极、有机发光二极管的阴极、阳极等多种结构需要采用很多次构图工艺来实现。这导致OLED阵列基板的制作工艺比较复杂。另外，在有机发光二极管中形成均匀稳定的有机发光材料层非常重要，特别是采用喷墨打印技术时，一旦有机发光材料的墨滴不能在墨滴容纳单元中均勾地铺展，可能会导致云纹(Mura)等缺陷。这会制约OLED阵列基板的产品良率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种有机发光二极管阵列基板，其易于制作且具有更高的产品良率。本专利技术的目的还在于提供一种有机发光二极管阵列基板的制作方法以及包含上述有机发光二极管阵列基板的有机发光二极管显示装置。为了实现上述专利技术目的，本专利技术的技术方案通过以下方式来实现:本专利技术的实施例提供了一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括:通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层O在一实施例中，所述制造方法在形成所述容纳腔之后、将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层之前还包括:通过容纳腔对与有源层同层形成的第一电极进行过曝光处理以提高其导电性。在一实施例中，所述过曝光处理采用的光线波长在200nm至400nm之间，处理时间在0.5分钟至2分钟之间。在一实施例中，经过曝光处理后的第一电极具有亲液性。在一实施例中，所述第一绝缘层为刻蚀阻挡层。在一实施例中，所述含有有机发光材料的溶液与所述刻蚀阻挡层表面的接触角小于O度。在一实施例中，所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅或氧化铝。在一实施例中，所述第二绝缘层为像素界定层。在一实施例中，所述含有有机发光材料的溶液与所述像素界定层表面的接触角大于30度。在一实施例中，所述像素界定层的材料为有机氟材料。在一实施例中，所述第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。在一实施例中，在形成所述刻蚀阻挡层之后、形成第二绝缘层之前，所述方法还包括:在所述刻蚀阻挡层上形成源、漏极，所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接。在一实施例中，所述制造方法在通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极之前，还包括:在基底上形成薄膜晶体管的栅极；在栅极上及未被栅极覆盖的基底上形成栅极绝缘层，所述有源层和第一电极形成在栅极绝缘层上。在一实施例中，所述制造方法在通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极之后，形成刻蚀阻挡层之前，还包括:在所述薄膜晶体管的有源层、所述有机发光二极管的第一电极和未被所述薄膜晶体管的有源层及所述有机发光二极管的第一电极覆盖的基底上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层和所述栅极绝缘层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接，其中，在对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔的步骤中，对所述栅极绝缘层与所述第一绝缘层、第二绝缘层一起进行构图工艺以形成暴露出第一电极的容纳腔。在一实施例中，所述栅极绝缘层具有亲液性。本专利技术的一实施例提供一种有机发光二极管阵列基板，包括:薄膜晶体管，具有有源层；有机发光二极管，所述有机发光二级管包括第一电极、第二电极和设置在所述第一电极与第二电极之间的有机发光材料层；和在所述有源层及有机发光二极管的第一电极上方自下至上依次形成的第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；其中所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极同层设置且材料相同；所述第一绝缘层和第二绝缘层中形成有将第一电极暴露于有机发光材料层的容纳腔，所述容纳腔用以容纳所述有机发光材料层。在一实施例中，所述第一绝缘层为刻蚀阻挡层。在一实施例中，所述刻蚀阻挡层的材料为氧化硅或氧化铝。在一实施例中，所述第二绝缘层为像素界定层。 在一实施例中，所述像素界定层的材料为有机氟材料。在一实施例中，所述第二绝缘层的厚度小于第一绝缘层的厚度的1/4。在一实施例中，所述薄膜晶体管还包括:位于所述刻蚀阻挡层上方的源极和漏极，所述源、漏极分别通过位于所述刻蚀阻挡层中的第一过孔和第二过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过位于所述刻蚀阻挡层中的第三过孔与所述有机发光二极管的第一电极电连接；栅极，所述栅极位于所述有源层的上方或下方；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间。在一实施例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括基底，所述栅极位于所述基底上，所述栅极绝缘层布置成将所述栅极以及未被栅极覆盖的基底与所述有源层及所述第一电极分隔开。在一实施例中，所述有机发光二极管阵列基板还包括基底，所述有源层和所述第一电极位于所述基底上，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述第一电极上方并与所述第一绝缘层和第二绝缘层一起形成所述容纳腔。本专利技术的实施例还提供一种有机发光二极管显示装置，包括:根据前述任一实施例所述的有机发光二极管阵列基板。本专利技术的上述技术方案中的至少一个方面能够通过将有机发光二极管的一个电极和薄膜晶体管的有源层同层形成来简化工艺和通过疏液层和亲液层的组合结构来提高有机发光材料层的平坦度，进而可以提高有机发光二极管阵列基板的制造良率。【附图说明】图1示出根据本专利技术的一实施例的有机发光二极管阵列基板的制造方法的示意当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括：通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：辛龙宝，廖金龙，王美丽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11