低噪声低压差分信号发送器制造技术
【技术实现步骤摘要】
低噪声低压差分信号发送器
本专利技术涉及电路设计领域，特别涉及一种低噪声低压差分信号发送器。
技术介绍
随着半导体和计算机技术的发展，集成电路芯片上时钟频率已经达到GHz。芯片与芯片之间高速数据传输速率的需求已远大于Gb/s。LVDS(LowVoltageDifferentialSignaling)是一种低摆幅的差分信号技术，具有数据传输速度高、噪声小及功耗低的特点，被广泛应用于高速数字接口领域。在现实设计中，有很多不理想因素(如不完全匹配的终端电阻、传输线效应、噪声)影响驱动器的性能。传统的低压差分信号发送器受开关的非理想性和共模反馈补偿方式的影响，共模噪声比较大。图1示出了现有的一种低压差分信号发送器的电路示意图。如图1所示，其包括PMOS晶体管(P-channelMetalOxideSemiconductor)MP10、MP11和MP12，NMOS(N-channelMetalOxideSemiconductor)晶体管MN11、MN12和MN10，电阻R11和R12、跨导放大器OTA、补偿电阻R10和补偿电容C10。MP10产生偏置电流(一般为3....
【技术保护点】
一种低压差分信号发送器，其包括晶体管MP0、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管MN0、分压电阻R1和R2、跨导放大器，其中分压电阻R1和R2串联在第一输出端OUTP和第二输出端OUTN，负载电阻RT连接在第一输出端OUTP和第二输出端OUTN之间，所述跨导放大器包括有晶体管MP3，所述跨导放大器的第一输入端与分压电阻R1和R2的中间节点相连，其第二输入端与参考电压VREF相连，其输出端与晶体管MN0的栅极相连，其特征在于，所述差分信号发送器还包括有晶体管MP6、MN5和MN6、补偿电容C0，所述补偿电容C0连接于晶体管MN0的栅极和接地端之间，晶体管MN...
【技术特征摘要】
1.一种低压差分信号发送器，其包括晶体管MP0、晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管MN0、分压电阻R1和R2、跨导放大器，其中分压电阻R1和R2串联在第一输出端OUTP和第二输出端OUTN，负载电阻RT连接在第一输出端OUTP和第二输出端OUTN之间，所述跨导放大器包括有晶体管MP3，所述跨导放大器的第一输入端与分压电阻R1和R2的中间节点相连，其第二输入端与参考电压VREF相连，其输出端与晶体管MN0的栅极相连，其特征在于，所述差分信号发送器还包括有晶体管MP6、MN5和MN6、补偿电容C0，所述补偿电容C0连接于晶体管MN0的栅极和接地端之间，晶体管MN6的漏极接晶体管MN0的漏极，其源极接地，其栅极与晶体管MN5的栅极相连，晶体管MN5的源极接地，其漏极与晶体管MP6的漏极相连，其栅极与其漏极相连；晶体管MP6的源极与跨导放大器中的晶体管MP3的漏极相连，其栅极与参考电压VREF相连，晶体管MP0的源极与电源端相连，其栅极连接第一偏置电压，其漏极与晶体管M1和晶体管M2的源极相连，晶体管MN0的源极接地，其漏极与晶体管M3和晶体管M4的源极相连，晶体管M1的漏极与晶体管M3的漏极相连，晶体管M1的漏极还与第一输出端OUTP相连，晶体管M1和晶体管M3的栅极与第一控制信号AN相连，晶体管M2的漏极与晶体管M4的漏极相连，晶体管M4的漏极还与第二输出端OUTN相连，晶体管M2和晶体管M4的栅极与第二控制信号AP相连。2.根据权利要求1所述的低压差分信号发送器，其特征在于，其还包括有：晶体管M1A、M2A、M3A和M4A，晶体管M1A的漏极与晶体管M1的源极相连，其源极与晶体管M1的漏极相连，其栅极与第二控制信号AP相连，晶体管M2A的漏极与晶体管M2的源极相连，其源极与晶体管M2的漏极相连，其栅极与第一控制信号AN相连，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王汉祥，周玉镇，戴颉，李耿民，职春星，
申请(专利权)人：灿芯半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。