曲面电路板制作工艺制造技术

技术编号:11311168 阅读:97 留言:0更新日期:2015-04-16 09:49
本发明专利技术提供一种曲面电路板制作工艺,所述曲面电路板制作工艺包括以下步骤:提供一曲面绝缘基体;在所述曲面绝缘基体上刻出与所需电路一致的凹槽;在所述曲面绝缘基体表面镀上铜层;去除所述曲面绝缘基体表面的所述铜层。本发明专利技术提供的曲面电路板制作工艺解决了只能生产平面电路板,限制了电子产品应用范围的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种曲面电路板制作工艺,所述曲面电路板制作工艺包括以下步骤:提供一曲面绝缘基体;在所述曲面绝缘基体上刻出与所需电路一致的凹槽;在所述曲面绝缘基体表面镀上铜层;去除所述曲面绝缘基体表面的所述铜层。本专利技术提供的曲面电路板制作工艺解决了只能生产平面电路板,限制了电子产品应用范围的技术问题。【专利说明】曲面电路板制作工艺
本专利技术涉及电路板制作领域,特别涉及曲面电路板制作工艺。
技术介绍
电路板是电子产品中重要的部件,是各电子元器件的连接件。电路板制作过程中需要将一种保护层印刷在电路板上,以保护镀层,防止需要保留的镀层被蚀刻掉。但现有技术的保护层印刷只能在平面上进行,导致只能生产平面电路板,限制了电子产品的应用范围。现有的柔性电路板技术虽然可以作为曲面电路板,但工艺复杂,成本过高,没有从根本上解决只能生产平面电路板的问题。
技术实现思路
为解决只能生产平面电路板,限制了电子产品应用范围的技术问题,本专利技术提供了一种曲面电路板制作工艺。 所述曲面电路板制作工艺,包括以下步骤: 步骤S1:提供一曲面绝缘基体; 步骤S2:在所述曲面绝缘基体上刻出与所需电路一致的凹槽; 步骤S3:在所述曲面绝缘基体表面镀上铜层; 步骤S4:去除所述曲面绝缘基体表面的所述铜层。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述凹槽深度小于所述曲面绝缘基体厚度,所述铜层厚度大于所述凹槽深度。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述步骤S2还包括以下步骤: 步骤S21:提供一激光刻槽装置; 步骤S22:设计所述激光刻槽装置的激光照射在所述曲面绝缘基体上的路径; 步骤S23:所述激光刻槽装置发射激光,照射所述曲面绝缘基体; 步骤S24:所述曲面绝缘基体的受灼烧部位形成所述凹槽; 步骤S25:重复所述步骤S21至所述步骤S24,形成多个所述凹槽。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述步骤S21中所述激光刻槽装置包括控制系统、三轴联动工作台和激光器,所述控制系统连接所述三轴联动工作台和所述激光器,所述激光器设于所述三轴联动工作台竖直上方。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述控制系统控制所述激光器的开关与所述三轴联动工作台的运动。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述步骤S3还包括以下步骤: 步骤S31:去除所述曲面绝缘基体表面油污,对所述曲面绝缘基体进行极性调整; 步骤S32:去除所述曲面绝缘基体表面氧化物,粗化所述曲面绝缘基体表面; 步骤S33:活化剂处理所述曲面绝缘基体,所述曲面绝缘基体表面吸附上一层胶体钯粒子; 步骤S34:去除所述胶体钯粒子外面包围的亚锡离子,所述胶体钯粒子中的钯核暴露出来; 步骤S35:沉铜反应启动,所述曲面绝缘基体表面镀上铜层。 步骤S36:将阳极和所述曲面绝缘基体置于电镀液中进行电镀,加厚所述曲面绝缘基体表面铜层。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述步骤S3还包括步骤S37:在所述沉铜反应后的废液中加入铜粉。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述步骤S4还包括以下步骤: 步骤S41:提供一打磨装置; 步骤S42:通过所述打磨装置打磨所述曲面绝缘基体; 步骤S43:去除所述曲面绝缘基体表面的铜层。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述打磨装置使用柔性打磨头。 在本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的一种较佳实施例中,所述曲面电路板制作工艺还包括步骤S5:重复所述步骤SI至所述步骤S4。 现有技术的电路板制作工艺只能生产平面电路板,限制了电子产品的应用范围。本专利技术提供的曲面电路板制作工艺可在曲面、球面等多种表面上制作电路板,解决了只能生产平面电路板的问题,扩展了电子产品的应用范围。 现有技术的激光刻槽装置大都通过移动激光器或使用激光振镜偏转激光来刻槽,但激光器体积较大,移动困难,而使用激光振镜又存在对焦不准的问题。本专利技术提供的曲面电路板制作工艺中所述激光刻槽装置通过移动工件来实现激光与工件之间的相对运动,解决了激光器体积较大,移动困难和激光振镜对焦不准的问题。 现有技术的化学镀铜工艺加工完成后会产生大量废液,既污染环境又浪费铜离子。本专利技术提供的曲面电路板制作工艺中的化学镀铜工艺充分利用了废液中的铜离子,保护环境的同时降低了加工成本。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中: 图1是本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的工艺流程图。 【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。 请参阅图1,图1是本专利技术提供的曲面电路板制作工艺的工艺流程图。 所述曲面电路板制作工艺,包括以下步骤: 步骤S1:提供一曲面绝缘基体I,所述绝缘基体I应根据需求设计为适合产品形状的尺寸。 步骤S2:在所述曲面绝缘基体I上刻出与所需电路一致的凹槽2: 步骤S21:提供一激光刻槽装置; 步骤S22:设计所述激光刻槽装置的激光照射在所述曲面绝缘基体I上的路径; 步骤S23:所述激光刻槽装置发射激光,照射所述曲面绝缘基体I ; 步骤S24:所述曲面绝缘基体I的受灼烧部位形成所述凹槽2 ; 步骤S25:重复所述步骤S21至所述步骤S24,形成多个所述凹槽。 步骤S3:步骤S31:去除所述曲面绝缘基体I表面的油污,并且对所述曲面绝缘基体I进行极性调整; 步骤S32:去除所述曲面绝缘基体I表面的氧化物,粗化所述曲面绝缘基体I表面; 步骤S33:使用活化剂处理所述曲面绝缘基体I表面,使所述曲面绝缘基体I表面吸附上一层胶体钯粒子; 步骤S34:去除所述胶体钯粒子外面包围的亚锡离子,使所述胶体钯粒子中的钯核暴露出来; 步骤S35:沉铜反应启动,所述曲面绝缘基体I表面镀上铜层。 步骤S36:将阳极和所述曲面绝缘基体置于电镀液中进行电镀,加厚所述曲面绝缘基体表面铜层。 步骤S37:在所述沉铜反应完成后的废液中撒入铜粉。 步骤S4:步骤S41:提供一打磨装置; 步骤S42:通过所述打磨装置打磨所述曲面绝缘基体; 步骤S43:去除所述曲面绝缘基体表面的铜层。 步骤S5:重复所述步骤SI至所述步骤S4。 所述步骤S21中所述激光刻槽装置包括控制系统、三轴联动工作台和激光器,所述控制系统连接所述三轴联动工作台与所述激光器,所述激光器设于所述三轴联动工作台竖直上方。所述控制系统控制所述激光器的开关与所述三轴联动工作台的运动。 工作时,将所述曲面绝缘基体I置于所述三轴联动工作台,在所述控制系统中输入设计好的所述三轴联动工作台的运动模式,同时启动所述三轴联动工作台和所述激光器,所述激光器发射的激光在所述曲面绝缘基体I上刻出所述凹槽2。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曲面电路板制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:提供一曲面绝缘基体;步骤S2:在所述曲面绝缘基体上刻出与所需电路一致的凹槽;步骤S3:在所述曲面绝缘基体表面镀上铜层;步骤S4:去除所述曲面绝缘基体表面的所述铜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐学军
申请(专利权)人:深圳市五株科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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