本发明专利技术涉及在2块透明基板之间具有有机构件，将所述2块透明基板的外周部用含低熔点玻璃的密封材料进行接合的电子部件，所述低熔点玻璃含有氧化钒、氧化碲、氧化铁以及氧化磷，换算成氧化物，满足下式(1)及(2)。密封材料糊剂，其是含有低熔点玻璃、树脂粘合剂与溶剂的密封材料糊剂，其特征在于，上述低熔点玻璃含有氧化钒、氧化碲、氧化铁以及氧化磷，换算成氧化物，满足下式(1)及(2)。由此，能够降低对电子部件内设的有机元件或有机材料的热损伤，有效地制造具有可靠性高的玻璃接合层的电子部件。V2O5+TeO2+Fe2O3+P2O5≥90质量％…(1)，V2O5＞TeO2＞Fe2O3＞P2O5(质量％)…(2)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在2块透明基板之间内设有机元件或有机材料，其外周部采用含低熔 点玻璃的密封材料进行接合的电子部件。 现有技术 在2块透明基板之间内设有机元件或有机材料的电子部件中，为了从湿气、水分 等保护这些有机元件或有机材料，采取将2块透明基板的外周部用树脂的密封材料进行接 合，再将干燥剂置于电子部件的内部等的对策。但是，采用树脂的接合，阻气性（气密 性）不充分，水分子会逐渐浸透，无法得到充分的可靠性。另一方面，当采用低熔点玻璃 之密封材料时，可以得到阻气性（气密性）高的接合，但与树脂的密封材料相比，接合温 度显著高，甚至超过电子部件内设的有机元件或有机材料的耐热性。 于是，提出了在局部可加热的激光密封。作为密封材料，可以使用能气密接合的 低熔点玻璃。该低熔点玻璃，其重要的是通过吸收所使用的激光而被加热，发生软化流动。 根据这样的方法，因为仅加热2块透明基板的外周部，所以，不会对电子部件内设的有机 元件或有机材料带来热损伤，且可以产生阻气性（气密性）高的玻璃接合。 对内设了有机发光二极管（OLED)的显示装置等来说，使外周部预烧成密封材料 的玻璃基板与另一形成OLED的玻璃基板重合，再透过玻璃基板照射激光，使密封材料中 的低熔点玻璃软化流动，将2块玻璃基板进行接合。专利文献1提出了在OLED显示装置 中能将外周部用激光进行接合的密封材料。该密封材料中包含：能够利用激光进行加热的 V205-P205-Sb203系低熔点玻璃，以及用于使热膨胀系数降低的锂?错?硅酸盐-锂霞石） 的填料粒子。还有，该低熔点玻璃中含有1( 20、？6203、2110、11023120 3、8203、103的任何一种， 转变点Tg低于350°C。专利文献2提出了适用与专利文献1同样的密封材料的玻璃组件。 密封材料中所含的低熔点玻璃也与专利文献1同样，在氧量比空气少的低氧化氛围气中， 通过在玻璃基板外周部进行预烧成，以阻止3价或4价的钒离子向5价转变，由此，防止 因激光照射所产生的软化流动性劣化或激光密封后的接合部耐湿性或耐水性降低。 现有技术文献 专利文献 专利交献1:特许第4540669号公报 专利文献2:特许特开2008-527656号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 上述密封材料，其中所含的V205-P205-Sb203系低熔点玻璃易引起反玻化（结晶 化），且产生反玻化时，因激光照射所形成的软化流动性或粘合性会降低，因而，有必要在 更低温花时间进行预烧成。通过提高激光输出功率可以改善软化流动性或粘合性，因此， 对电子部件内设的有机元件或有机材料施加的热损伤可能性很大。此外，为了确保以激光 进行接合之后的耐湿性或耐水性，有必要于低氧氛围气中进行激光密封前的预烧成。 于是，本专利技术的目的在于，可减低对电子部件内设的有机元件或有机材料的热损 伤，且有效地制造可靠性较高的具有玻璃接合层的电子部件。 用于解决课题的手段 为了解决上述课题，本专利技术涉及的电子部件，其是在2块透明基板之间具有有机 构件，将该2块透明基板的外周部用含低熔点玻璃的密封材料进行接合的电子部件，其特 征在于，上述低熔点玻璃含有氧化钒、氧化碲、氧化铁以及氧化磷，换算成氧化物，满足下 式⑴及（2):【主权项】1. 电子部件，其是在2块透明基板之间具有有机构件，将所述2块透明基板的外周部 用含低熔点玻璃的密封材料进行接合的电子部件，其特征在于，所述低熔点玻璃含有氧化 钒、氧化碲、氧化铁以及氧化磷，换算成氧化物，满足下式（1)及（2): V205+Te02+Fe203+P 205兰 90 质量％ ... (1) V205>Te02>Fe20 3>P205(质量％ )…（2)。2. 按照权利要求1所述的电子部件，其特征在于，上述低熔点玻璃还含有氧化钨、氧 化钼、氧化锰、氧化锌、氧化钡、氧化锶及氧化钙之中的任何1种以上，换算成氧化物，满足 下式（3): W03+Mo03+Mn02+Zn0+Ba0+Sr0+Ca0 兰 10 质量％ …（3)。3. 按照权利要求1或2中所述的电子部件，其特征在于，上述低熔点玻璃，换算成氧 化物，含有：V205为35?50质量％，1^0 2为20?35质量％，Fe 203为10?20质量％，P 205 为4?15质量％。4. 按照权利要求1?3中任何一项所述的电子部件，其特征在于，通过对上述密封材 料照射处于400?IlOOnm波长范围的激光，上述密封材料中所含的上述低熔点玻璃软化 流动。5. 按照权利要求1?4中任何一项所述的电子部件，其特征在于，上述低熔点玻璃的 转变点为350°C以下以及软化点为410°C以下。6. 按照权利要求1?5中任何一项所述的电子部件，其特征在于，上述低熔点玻璃的 30?250°C的热膨胀系数为100X10_V°C以下。7. 按照权利要求1?6中任何一项所述的电子部件，其特征在于，上述密封材料中 含有填料粒子，所述填料粒子是磷酸钨酸锆（Zr 2(WO4) (PO4)2)、氧化铌（Nb2O5)、β-锂霞石 (LiAlSiO 4)之中的1种以上。8. 按照权利要求7所述的电子部件，其特征在于，上述填料粒子是磷酸钨酸锆 (Zr2(TO4) (PO4)2),还含有钨酸铁（FeTO4)及磷酸锆（(ZrO(PO 4))2。9. 按照权利要求7或8中所述的电子部件，其特征在于，上述填料粒子的含量相对上 述低熔点玻璃100体积份为35体积份以下。10. 按照权利要求1?9中任何一项所述的电子部件，其特征在于，接合上述2块透 明基板外周部的上述密封材料的厚度为20 μπι以下。11. 按照权利要求1?9中任何一项所述的电子部件，其特征在于，上述2块透明基 板的间隔为100 μπι以上，上述当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
电子部件,其是在2块透明基板之间具有有机构件,将所述2块透明基板的外周部用含低熔点玻璃的密封材料进行接合的电子部件,其特征在于,所述低熔点玻璃含有氧化钒、氧化碲、氧化铁以及氧化磷,换算成氧化物,满足下式(1)及(2):V2O5+TeO2+Fe2O3+P2O5≧90质量％ …(1)V2O5>TeO2>Fe2O3>P2O5(质量％) …(2)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：内藤孝，立薗信一，吉村圭，桥场裕司，儿玉一宗，宫城雅德，青柳拓也，泽井裕一，藤枝正，塚本武志，村上元，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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