温度传感器制造技术

提供了温度传感器。温度传感器包括比较电压发生器和温度电压发生器。比较电压发生器产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，第一比较电压信号的电平根据温度变化而变化，第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关。温度电压发生器产生第一内部电流信号和第二内部电流信号，第一内部电流信号根据第一比较电压信号的电平而变化，第二内部电流信号的电平根据第二比较电压信号的电平而变化。另外，温度电压发生器将第一内部电流信号与第二内部电流信号之间的电流差放大，以产生温度电压信号。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供了温度传感器。温度传感器包括比较电压发生器和温度电压发生器。比较电压发生器产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，第一比较电压信号的电平根据温度变化而变化，第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关。温度电压发生器产生第一内部电流信号和第二内部电流信号，第一内部电流信号根据第一比较电压信号的电平而变化，第二内部电流信号的电平根据第二比较电压信号的电平而变化。另外，温度电压发生器将第一内部电流信号与第二内部电流信号之间的电流差放大，以产生温度电压信号。【专利说明】温度传感器 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年9月30日向韩国知识产权局提交的申请号为 10-2013-0116212的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐 述。
本公开的实施例涉及半导体集成电路，更具体而言，涉及半导体集成电路的温度 传感器。
技术介绍
在电子产业中，随着诸如个人计算机或通信系统的高性能电子系统的发展，对广 泛用作存储器器件的高度集成的高速易失性存储器件(诸如高性能的动态随机存取存储 (DRAM)器件）的需求逐步增长。具体地，当诸如DRAM器件的半导体器件用于蜂窝电话或笔 记本计算机时，要将半导体器件设计成具有良好的低功耗特性。因此，集中了大量精力来减 小半导体器件的操作电流和待机电流。 包括单个晶体管和单个储存电容器的DRAM器件的一个单元的数据保留特性对温 度非常敏感。因而，需要根据周围温度的变化控制半导体器件中内部电路块的操作条件。例 如，移动系统中使用的DRAM器件可以被设计成根据周围温度的变化来控制刷新周期时间。 诸如数字温度传感器调节器（DTSR)或模拟温度传感器调节器（ATSR)的温度传感器广泛地 用于根据周围温度的变化来控制诸如DRAM器件的半导体器件的操作条件。这些温度传感 器可以检测出相对高的温度，并且可以控制操作周期时间以减小自我刷新模式下的功耗。 另外，温度传感器可以监控正常操作模式下的周围温度。
技术实现思路
根据一个实施例，一种温度传感器包括比较电压发生器和温度电压发生器。比较 电压发生器产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，第一比较电压信号的电平根据温 度变化而变化，第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关。温度电压发生器产生 第一内部电流信号和第二内部电流信号，第一内部电流信号的电平根据第一比较电压信号 的电平变化，第二内部电流信号的电平根据第二比较电压信号的电平变化。另外，温度电 压发生器将第一内部电流信号与第二内部电流信号之间的电流差放大，以产生温度电压信 号。 根据一个实施例，一种温度传感器包括：第一比较单元，适用于将第一分压信号与 电平根据温度变化而变化的第一比较电压信号进行比较以产生第一上拉信号，并且适用于 产生与第一比较电压信号的电平相对应的第一内部电流信号；第二比较单元，适用于将第 二分压信号与第二比较电压信号进行比较以产生第二上拉信号，第二比较电压信号的电平 是恒定的，与温度变化无关，并且第二比较单元适用于产生与第二比较电压信号相对应的 第二内部电流信号；以及放大单元，适用于响应于第一上拉信号和第二上拉信号而将第一 内部电流信号的电平与第二内部电流信号的电平之间的差放大，以产生温度电压信号。 【专利附图】【附图说明】 结合附图和所附详细描述，本专利技术的实施例将变得更加显然，其中： 图1是说明根据本专利技术的一个实施例的温度传感器的框图； 图2是说明图1的温度传感器中包括的驱动电压发生器的电路图； 图3是说明图1的温度传感器中包括的比较电压发生器的电路图；以及 图4是说明图1的温度传感器中包括的温度电压发生器的电路图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图来描述本专利技术的各种实施例。然而，本文描述的实施例仅出 于说明的目的，并非旨在限制本专利技术的范围。 参见图1，温度传感器100可以包括：驱动电压发生器10、比较电压发生器20和温 度电压发生器30。 驱动电压发生器10可以配置成接收电源电压信号VDD和参考电压信号VREF，并且 产生通过降低电源电压信号VDD的电平而获得的驱动电压信号VDR。驱动电压信号VDR可 以产生成具有恒定而与温度变化无关的电压电平。 比较电压发生器20可以配置成接收驱动电压信号VDR，并且产生第一比较电压信 号VPTAT和第二比较电压信号VFLAT，第一比较电压信号VPTAT具有依赖于温度的电平，第 二比较电压信号VFLAT具有恒定而与温度变化无关的电平。 温度电压发生器30可以配置成接收驱动电压信号VDR、第一比较电压信号VPTAT 和第二比较电压信号VFLAT，并且产生温度电压信号VTEMP。 参见图2,驱动电压发生器10可以包括比较器11、驱动元件Pll和分压器12。 比较器11可以配置成将通过分割驱动电压信号VDR的电平而获得的反馈电压信 号VF与参考电压信号VREF进行比较，以产生比较信号C0MP。驱动元件Pll可以是PMOS晶体管。驱动元件Pll可以电耦接在电源电压信号VDD端子与节点ndll之间。当比较信 号COMP被使能时，驱动元件Pll可以导通以上拉经由节点ndll输出的驱动电压信号VDR。 分压器12可以电耦接在节点ndll与接地电压VSS端子之间。分压器12可以包括耦接在 节点ndll与节点ndl2之间的电阻器Rll和耦接在节点ndl2与接地电压VSS端子之间的 电阻器R12。分压器12可以根据电阻器Rll和R12的电阻比来分割驱动电压信号VDR的 电平，以经由节点ndl2输出反馈电压信号VF。即，当从驱动电压信号VDR产生的反馈电压 信号VF的电平低于参考电压信号VREF的电平时，驱动电压发生器10可以将驱动电压信号 VDR上拉至电源电压信号VDD的电平。 参见图3,比较电压发生器20可以包括：驱动信号发生器21、第一驱动器22和第 二驱动器23。 驱动信号发生器21可以配置成接收驱动电压信号VDR，以及产生具有与温度变化 无关的恒定电平的驱动信号DRS。驱动信号发生器21可以利用现有的带隙电压发生电路或 现有的Widlar电压发生电路来实现，其产生与温度变化无关的恒定电压电平。 第一驱动器22可以包括驱动元件P21和电阻器R21。驱动元件P21可以是PMOS 晶体管。驱动元件P21可以电耦接在输出驱动电压信号VDR的节点ndll(见图2)与节点 nd21之间。驱动元件P21可以根据驱动信号DRS的电平上拉经由节点nd21输出的第一比 较电压信号VPTAT。电阻器R21耦接在节点nd21与接地电压信号VSS端子之间。电阻器 R21的电阻值可以根据温度变化而变化。即，由于电阻器R21的温度依赖特性，第一驱动器 22可以产生电平根据温度变化而改变的第一比较电压信号VPTAT。 第二驱动器23可以包括驱动元件P22和二极管元件N21。驱动元件P22可以是 PMOS晶体管，并且可以电耦接在输出驱动电压信号VDR的节点ndll(见图2)与节点nd22 之间。驱动元件P22可以根据驱动信号DRS的电平上拉经由节点nd22输出的第二比较电 压信号VFLAT。二极管元件N2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度传感器，包括：比较电压发生器，被配置成产生第一比较电压信号和第二比较电压信号，所述第一比较电压信号的电平根据温度变化而变化，所述第二比较电压信号的电平是恒定的，与温度变化无关；以及温度电压发生器，被配置成产生第一内部电流信号和第二内部电流信号，所述第一内部电流信号的电平根据所述第一比较电压信号的电平而变化，所述第二内部电流信号的电平根据所述第二比较电压信号的电平而变化，并且温度电压发生器被配置成将所述第一内部电流信号与所述第二内部电流信号之间的电流差放大以产生温度电压信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林嬉准，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR