一种有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术的一种有机电致发光器件，包含一对电极和设在电极对之间的有机发光功能层，有机发光功能层包含第一、第二主体材料和掺杂染料组成的发光层、空穴传输层和电子传输层，第一主体材料为含联蒽基化合物，第二主体材料为通式（I）所示化合物，其中R1、R2独立选自C4～40取代或非取代的芳胺基、咔唑基、苯并噻吩基或苯并呋喃基；L选自H，C4～40的取代芳胺、咔唑或苯并噻吩，O，N或S；R3-R10独立选自H、C1-20的烷基或C6-30的芳烃基，或相邻两基团连接成环；m、n为整数，且0﹤m+n≦3。本申请提出了一种有机电致器件，解决了双主体器件效率下降的问题，可以使器件电压降低、寿命提高的同时，效率得到提升。

【技术实现步骤摘要】
一种有机电致发光器件
本专利技术涉及一种有机电致发光（EL）元件，更具体而言，涉及一种高效率的有机EL元件。技术背景有机电致发光显示器（以下简称OLED）具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、组成和工艺简单等一系列的优点，与液晶显示器相比，有机电致发光显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器，因此，有机电致发光显示器具有广阔的应用前景。有机电致发光显示器（OLED）自1987年发展至今，器件性能得到了大幅的提升，而器件性能的提升除了材料的不断创新之外，随之相应的就是器件结构的不断完善。OLED器件结构从最初的单层结构，历经双层结构、三层结构，发展至现在的多层结构。目前较常用的结构是多层结构：阳极/空穴注入层（HIL）/空穴传输层（HTL）/发光层（EML）（一般为主体Host掺杂发光染料dopant）/电子传输层（ETL）/电子注入层（EIL）/阴极，这种器件结构中每一层材料都具有各自的特点和功能，如果每层使用的材料不同，那么层与层之间就相当于异质结，对于异质结OLED器件来说，有如下缺点：各层材料之间的能级存在势垒，所以器件的电压较高；另外，由于电子和空穴迁移率或者数目的不一致，往往在HTL/EML界面，或者EML/ETL界面产生空穴或电子的积累，如此会形成一些不稳定的正离子或者负离子，从而导致器件寿命的衰减。针对这些缺点，研究者们想到了各种方法去解决。比如，去尽量消除或者模糊异质结。如，通过发光层采用双主体的方法（见文献：Appl.phys.lett.,86,103506(2005)；Appl.phys.lett.,89,163511(2006)；Appl.phys.lett.,80,725(2002)；Appl.phys.lett.,80,3641(2002)；Jour.Appl.phys.,93,1108(2003)；），而且第一主体使用和HTL相同的材料，第二主体使用与ETL相同的材料，二者共蒸作为主体，就可以使得HTL/EML，或者EML/ETL的界面模糊，从而一定程度上消除了异质结，使得器件的电压下降、寿命提升。但是这种双主体器件，又伴随着另外一个缺点，那就是器件效率的下降。
技术实现思路
本申请针对双主体器件效率下降的问题，提出了一种有机电致器件，可以使器件电压降低、寿命提高的同时，效率得到提升。为此，本专利技术采取的技术方案为：一种有机电致发光器件，包含一对电极和设置在该电极对之间的有机发光功能层，该有机发光功能层中至少包含发光层、空穴传输层和电子传输层，所述发光层包括第一主体材料、第二主体材料和掺杂染料，所述第一主体材料为含有联蒽取代基团的化合物，第二主体材料选自通式（I）如下所示的结构的化合物，其中：R1、R2独立地选自C4～C40的取代或非取代的芳胺基团、C4～C40的取代或非取代的咔唑基团、C4～C40的取代或非取代的苯并噻吩基团、C4～C40的取代或者非取代苯并呋喃基团的其中之一；L为桥联基团，选自单键、C4～C40的取代芳胺、C4～C40的取代咔唑、C4～C40的取代苯并噻吩、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一；R3-R10独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基或C6-C30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环，形成萘并噻吩衍生物；m、n选自0-3的整数，但m加n大于0且小于等于3。所述发光层中的第一主体材料选自下述通式（Ⅱ）中的化合物：其中：Ar1和Ar2独立选自含有苯并咪唑基的芳烃衍生物基团，含有吡啶基团的芳烃衍生物基团，C6-C30的取代或未取代的芳香烃基团或稠环芳香基团中的一种，且R1和R2分别独立地选自H、C1-C12的脂肪族烃基、苯基、取代苯基、萘基、取代萘基、联苯基、取代联苯基。所述掺杂染料的紫外-可见吸收光谱至少有一个峰值位于第一主体的光致发光峰值与第二主体的光致发光峰值之间。所述掺杂染料为荧光发光染料。优选的，所述荧光染料的单线态能级低于第二主体材料的单线态能级。所述第二主体在发光层中所占的重量比为5%-80%，优选为10%-50%。优选的，所述第二主体材料和空穴传输层所用材料相同。优选的，所述第一主体材料和电子传输层所用材料相同。为了更清楚说明本
技术实现思路
，下面具体叙述本专利技术发光层中的第二主体材料涉及到的化合物的优选结构：为了更清楚说明本
技术实现思路
，下面还具体叙述本专利技术发光层中的第一主体材料涉及到的化合物的优选结构：本专利技术的有机电致发光器件具有效率高、色度佳、寿命长的优点。附图说明：为了本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中，图1为本专利技术有机电致发光器件的结构示意图。其中，附图标记为：1、基板；2、阳极层；3、空穴注入层；4、空穴传输层；5、发光层；6、电子传输层；7、电子注入层8、阴极层。具体实施方式：一种有机电致发光器件，包括阳极层，有机功能层和阴极层，具体的，器件中的有机功能层，包括发光层、电子传输层，还可以包括空穴传输层等功能层。图1为本专利技术的有机电致发光器件的结构示意图，所述有机电致发光器件包括基板1、阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极层8。所述基板是透明基体，可以是玻璃基板或是柔性基板，柔性基板采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的一种材料，基板上面带有阳极。本专利技术使用的是玻璃基板。所述阳极层2可以采用无机材料或有机导电聚合物，无机材料一般为氧化铟锡（ITO）、氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，最优化的选择为ITO，有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠（以下简称PEDOT:PSS）、聚苯胺（以下简称PANI）中的一种材料。本专利技术优选ITO做阳极。所述阴极层8一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层，如，依次的Mg:Ag合金层与Ag层、依次的氟化锂或氮化锂层与Ag层、依次的氟化锂或氮化锂层与Al层，本专利技术中选择铝。本申请发光层4中包括掺杂染料，掺杂染料为荧光染料，所述荧光染料使用的是DSA-Ph。所述电子传输层（ETL）6可以采用Alq3，也可以采用TPBI，或者使用本专利技术中提到的化合物。所述空穴传输层（HTL）3使用的材料一般为芳胺类和枝聚物族类低分子材料，如N,N’-二-（1-萘基）-N,N’-二苯基-1,1-联苯基-4,4-二胺（NPB）、N,N’-二苯基-N,N’-双（间甲基苯基）-1,1’-联苯基-4,4’-二胺（TPD）等。在本专利技术中的实施例中提到的化学物质的结构式如下：特别的，一种有机电致发光器件的有机功能层，还可以包括电子注入层和空穴注入层。下面将给出若干实施例，具体解释本专利技术的技术方案。应当注意到，下面的实施例仅用于帮助理解专利技术，而不是对本专利技术的限制。实施例1本实施例中蓝光有机电致发光器件结构为：ITO/空穴注入层(150nm)/空穴传输层(20nm)/第一主体：第二主体：发光染料(40nm,20%，5%)/电子传输层(20nm)/LiF(0.5nnm)/Al(150nm)所述有机电致发光器件的制备方法如下：（1）处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包含一对电极和设置在该电极对之间的有机发光功能层，该有机发光功能层中至少包含发光层、空穴传输层和电子传输层，所述发光层包括第一主体材料、第二主体材料和掺杂染料，所述第一主体材料为含有联蒽取代基团的化合物，第二主体材料选自通式（I）如下所示的结构的化合物，其中：R1、R2独立地选自C4～C40的取代或非取代的芳胺基团、C4～C40的取代或非取代的咔唑基团、C4～C40的取代或非取代的苯并噻吩基团、C4～C40的取代或者非取代苯并呋喃基团的其中之一；L为桥联基团，选自单键、C4～C40的取代芳胺、C4～C40的取代咔唑、C4～C40的取代苯并噻吩、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一；R3‑R10独立地选自H原子、C1‑C20的脂肪族直链或支链烃基或C6‑C30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环，形成萘并噻吩衍生物；m、n选自0‑3的整数，但m加n大于0且小于等于3。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包含一对电极和设置在该电极对之间的有机发光功能层，该有机发光功能层中至少包含发光层、空穴传输层和电子传输层，所述发光层包括第一主体材料、第二主体材料和掺杂染料，所述第一主体材料选自下述通式(II)中的化合物，其中：Ar1和Ar2独立选自含有苯并咪唑基的芳烃衍生物基团，含有吡啶基团的芳烃衍生物基团，C6-C30的取代或未取代的芳香烃基团或稠环芳香基团中的一种，且R1和R2分别独立地选自H、C1-C12的脂肪族烃基、苯基、取代苯基、萘基、取代萘基、联苯基、取代联苯基；所述第二主体材料选自通式(I)如下所示的结构的化合物，其中：R1、R2独立地选自C4～C40的取代或非取代的芳胺基团、C4～C40的取代或非取代的咔唑基团、C4～C40的取代或非取代的苯并噻吩基团、C4～C40的取代或者非取代苯并呋喃基团的其中之一；L为桥联基团，选自单键、C4～C40的取代芳胺、C4～C40的取代咔唑、C4～C40的取代苯并噻吩、氧原子、氮原子或硫原子的其中之一；R3-R10独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基或C6-C30的芳香族基团，或者，相邻两个基团连接成环，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：李艳蕊，范洪涛，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，北京维信诺科技有限公司，清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11