一种低温多晶硅薄膜的制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，具体步骤为：在基板上先后形成缓冲层和非晶硅层；通过元素掺杂技术对非晶硅层进行区域选择性掺杂，在非晶硅层中形成掺杂区域和非掺杂区域相间的周期性结构；对上述非晶硅层进行激光晶化，得到低温多晶硅薄膜。非晶硅层接受激光束照射，掺杂区域和非掺杂区域因对激光能量吸收能力不同而形成完全熔融区域和非完全熔融区域，完全熔融区域和非完全熔融区域存在横向温度梯度，从而促进和控制晶核的超级横向晶化，增大了晶粒尺寸。本专利技术通过掺杂的方法，构建超级横向晶化条件，有利于成长大尺寸的晶粒；同时具有改变非晶硅层吸收能力的作用，采用固体激光器等廉价激光器用于晶化、降低了制备成本。【专利说明】
本专利技术涉及多晶硅
，具体涉及一种基于掺杂形成的超级横向晶化制备低温多晶硅薄膜的方法。
技术介绍
多晶娃(p-Si)具有远大于非晶娃(a_Si)流子迁移率，多晶娃(p_Si)可比拟单晶硅的高载流子迀移率，常代替非晶硅应用于薄膜晶体管(TFT)的有源层，因此在集成周边驱动的有源液晶显示(AMLCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)中应用非常...
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜的制备方法， 其特征在于包括以下步骤：步骤一：采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）技术，在基板上先后形成缓冲层和非晶硅层，缓冲层在基板和非晶硅层之间；步骤二：采用光刻构图工艺及元素掺杂技术，选择掺杂元素对非晶硅层进行选择性掺杂，在非晶硅层中形成掺杂区域和非掺杂区域相间的周期性结构；步骤三：对掺杂后的非晶硅层采用激光器进行照射晶化，得到低温多晶硅薄膜；激光照射方式为扫描式或步进式。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈卓，陈建荣，任思雨，苏君海，李建华，黄亚清，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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