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本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，具体步骤为：在基板上先后形成缓冲层和非晶硅层；通过元素掺杂技术对非晶硅层进行区域选择性掺杂，在非晶硅层中形成掺杂区域和非掺杂区域相间的周期性结构；对上述非晶硅层进行激光晶化，得到低温多晶硅薄膜。非晶...
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