一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法，1）将玻碳电极分别用金相砂纸打磨，再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面，冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗；2）将厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液，然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面，放置在60℃的恒温干燥箱中，即可得到厚朴酚/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种厚朴酚/甲基丙烯酸制备分子印迹膜修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1）电极的预处理    将玻碳电极分别用金相砂纸打磨，再用0.5和0.3μm A12O3 粉抛光至镜面，冲洗掉多余的抛光粉后依次用水、1:1硝酸溶液、无水乙醇和水、水超声清洗；2）电极的制备将厚朴酚、甲基丙烯酸、AIBN、EGDMA按一定体积比振荡混合得到均一、稳定的复合物溶液，然后将用移液枪吸取上述溶液滴在玻碳电极的表面，放置在60℃的恒温干燥箱中，即可得到厚朴酚/甲基丙烯酸修饰的玻碳电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李利军，崔福海，
申请(专利权)人：广西科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45