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晶片级封装的红外焦平面阵列的抗反射涂敷盖晶片中的应力减缓方法技术

技术编号:11267295 阅读:87 留言:0更新日期:2015-04-08 13:19
提供减少由盖晶片的抗反射涂层引起的晶片弯曲的方法。所述方法可以利用其中具有至少一个开口部的遮蔽掩模,所述开口部定位得对着所述盖晶片中的凹陷区域。所述方法还可以包括通过所述遮蔽掩模将至少一层抗反射涂层材料沉积到盖晶片的平面侧,以便在所述平面侧上提供非连续涂层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种减少盖晶片上的抗反射涂层引起的晶片弯曲的方法,所述方法包括:提供具有平面侧和相对的腔体侧的盖晶片,所述腔体侧包括至少一个凹陷区域和在所述至少一个凹陷区域任一侧的分隔区域;将其中具有至少一个开口部的第一遮蔽掩模设置在所述盖晶片的平面侧上方;对准所述第一遮蔽掩模,使得所述至少一个开口部定位得对着所述至少一个凹陷区域;以及通过所述第一遮蔽掩模将至少一层抗反射涂层材料沉积到所述盖晶片的平面侧上,以便在所述平面侧上提供非连续涂层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗兰德·W·古奇布欧·Q·迪普斯蒂芬·H·布莱克托马斯·A·科西安亚当·M·肯尼迪
申请(专利权)人:雷神公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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