复用控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种复用控制装置，包括主控芯片、第一可控硅驱动回路、第二可控硅驱动回路和隔离电路，当输入/输出端口输出高阻态时，隔离电路使得第一可控硅驱动回路、第二可控硅驱动回路不能正常工作。从而消除了在输入/输出端口输出高阻态时，驱动回路误工作的问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种复用控制装置，包括主控芯片、第一可控硅驱动回路、第二可控硅驱动回路和隔离电路，当输入/输出端口输出高阻态时，隔离电路使得第一可控硅驱动回路、第二可控硅驱动回路不能正常工作。从而消除了在输入/输出端口输出高阻态时，驱动回路误工作的问题。【专利说明】复用控制装置
本技术涉及电源控制领域，具体地涉及一种复用控制装置。
技术介绍
现有技术中的电源板使用同一个主控芯片端口对两个可控硅回路201、202进行复用控制，但是在主控芯片端口输出高阻态时，其中一路可控硅控制回路会出现误导通的情况；因此，亟需一种通过同一个芯片端口对两个可控硅回路进行复用控制的复用控制装置，保证在主控芯片输出高阻态时，可控硅回路不会出现误导通的情况。
技术实现思路
本技术旨在提供通过同一个芯片端口对两个可控硅回路进行复用控制的装置，由主控芯片通过该端口输出不同的状态对可控硅回路进行精准选择，保证在主控芯片输出高阻态时可控硅回路不会出现误导通的情况。 在本技术的一个实施方案中，提供了一种复用控制装置，包括:主控芯片，具有输入/输出端口，所述输入/输出端口可输出低电平、高电平和高阻态，所述输入/输出端口分别控制第一可控硅回路和第二可控硅回路； 第一可控硅驱动回路，连接在所述第一可控硅回路与所述输入/输出端口之间，控制所述第一可控硅回路在所述输入/输出端口输出高电平时工作； 第二可控硅驱动回路，连接在所述第二可控硅回路与所述输入/输出端口之间，控制所述第二可控硅回路在所述输入/输出端口输出低电平时工作； 隔离电路，连接在所述第一可控硅回路或所述第二可控硅回路与所述输入/输出端口之间，控制所述第一可控硅回路和所述第二可控硅回路在所述输入/输出端口输出高阻抗时不工作。 优选地，所述隔离电路为二极管。 优选地，所述第一可控硅驱动回路包括第一三极管，所述第一三极管的基极经由第七电阻连接所述隔离电路，所述第一三极管的集电极直接连接源电压，所述第一三极管的射极经由第一电阻连接第一可控硅回路，第八电阻的一端连接所述第一三极管的基极或者所述隔离电路，另一端接地。 优选地，所述第二可控硅驱动回路包括第二三极管、第三三极管，所述第二三极管的基极直接连接所述第三三极管的集电极，所述第二三极管的集电极直接连接源电压，所述第二三极管的射极经由第三电阻连接第二可控硅回路； 所述第三三极管的基极连接所述隔离电路，且经由第六电阻连接源电压，所述第三三极管的集电极经由第五电阻连接源电压，所述第三三极管的射极接地。 优选地，所述二极管的阳极直接连接所述第三三极管的基极，所述二极管的阴极连接所述输入/输出端口，且经由第七电阻连接所述第一三极管的基极。 优选地，所述第一三极管为NPN型。 优选地，所述第七电阻阻值和第八电阻的阻值相接近，且为第一电阻的阻值的五倍或以上。 优选地，所述第二三极管和所述第三三极管为NPN型。 优选地，所述第六电阻的阻值为所述第五电阻的阻值的十倍或以上；所述第五电阻的阻值为所述第三电阻的阻值的五倍或以上。 优选地，所述第一可控硅回路或所述第二可控硅回路是加热器驱动回路或风扇驱动回路。 本技术的技术效果在于，通过隔离电路实现同一个芯片端口对两个可控硅回路进行复用控制，由主控芯片通过该端口输出不同的状态对可控硅回路进行精准选择，保证在主控芯片输出高阻态时，可控硅回路不会出现误导通的情况。 【专利附图】【附图说明】 结合附图，从下面的描述以及所附的权利要求中，将会更容易理解本技术的上述以及其他特征。在附图中，相同或相似的附图标号指代相同或相似的技术特征，除非另有说明。 图1示出根据本技术的一个实施例的复用控制装置。 图2示出根据本技术的另一个实施例的复用控制装置。 图3示出在现有技术中的复用控制装置。 【具体实施方式】 在下文的【具体实施方式】中，将参照构成本说明书一部分的附图。在不偏离在此展示的技术主题的原理和范围的情况下，在本文中大致描述的以及附图中所图示的本技术的各方面可以在宽泛的配置变化中进行排列、替换、组合、分拆和删节，所有这些排列、替换、组合、分拆和删节均落入本技术的范围之内。 本技术提供了一种复用控制装置，通过一个芯片端口实现对两个可控硅回路(所述可控硅回路例如可以是风扇驱动回路或加热器驱动回路)的复用控制。如图1所示，根据本技术的复用控制装置在电源板上通过主控芯片100的输入/输出(I/O)端口实现对两个可控硅回路101和102的复用控制。 如图1所示，根据本技术的复用控制装置包括主控芯片100、第一可控硅驱动回路103、第二可控硅驱动回路104和隔离电路。图1中还示出第一可控硅回路101和第二可控硅回路102。输入/输出端口输出高电平时，第一可控硅驱动回路控制第一可控硅回路工作；输入/输出端口输出低电平时，第二可控硅驱动回路控制第二可控硅回路；输入/输出端口输出高阻抗时，隔离电路控制第一可控硅回路和第二可控硅回路不工作。 隔离电路为二极管D161。 主控芯片100的I/O端口直接连接二极管D161的阴极。 第一可控硅驱动回路103包括第一三极管Q161，三极管Q161的基极经由第七电阻R167连接二极管D161的阴极，三极管Q161的集电极直接连接源电压，三极管Q161的射极经由第一电阻R161连接第一可控硅回路101，第八电阻R168的一端连接三极管Q161的基极或者二极管D161的阴极，另一端接地。 第二可控硅驱动回路104包括第二三极管Q162、第三三极管Q163，三极管Q162的基极直接连接三极管Q163的集电极，三极管Q162的集电极直接连接源电压，三极管Q162的射极经由第三电阻R163连接第二可控硅回路102 ;三极管Q163的基极连接二极管D161的阳极，且经由第六电阻R166连接源电压，三极管Q163的集电极经由第五电阻R165连接源电压，三极管Q163的射极接地。 在图1的实施方案中:主控芯片100的I/O端口也即输入/输出端口，其通过输出端口功能可输出低电平、高电平和高阻态。三极管Q161、Q162和Q163都是放大倍数在200以上的三极管，导通时基射电压VBE为0.7V。 下面详细描述图1中各主要元件各自的连接关系。 主控芯片100:包括I/O端口，该I/O端口可输出低电平、高电平和高阻态。该I/O端口直接连接二极管D161的阴极。该I/O端口直接连接电阻R167，电阻R167另一端连接三极管Q161的基极，电阻R168 —端连接三极管Q161的基极，电阻R168另一端连接三极管Q161的射极。 二极管D161:二极管D161的阳极直接连接三极管Q163的基极，二极管D161的阴极经由电阻R167连接三极管Q161的基极。二极管D161的阴极直接连接主控芯片100的I/O 端口。 三极管Q161:三极管Q161的基极经由电阻R167连接二极管D161的阴极。三极管Q161的集电极直接连接+5V的源电压。三极管Q161的射极经由电阻R161连接可控硅回路101。 三极管Q162:三极管Q162的基极直接连接三极管Q163的集电极。三本文档来自技高网...

【技术保护点】
复用控制装置，其特征在于：包括：主控芯片，具有输入/输出端口，所述输入/输出端口可输出低电平、高电平和高阻态，所述输入/输出端口分别控制第一可控硅回路和第二可控硅回路；第一可控硅驱动回路，连接在所述第一可控硅回路与所述输入/输出端口之间，控制所述第一可控硅回路在所述输入/输出端口输出高电平时工作；第二可控硅驱动回路，连接在所述第二可控硅回路与所述输入/输出端口之间，控制所述第二可控硅回路在所述输入/输出端口输出低电平时工作；隔离电路，连接在所述第一可控硅回路或所述第二可控硅回路与所述输入/输出端口之间，控制所述第一可控硅回路和所述第二可控硅回路在所述输入/输出端口输出高阻抗时不工作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：麻百忠，黄兵，雷俊，董凯，
申请(专利权)人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44