使用真空吸盘固持晶片或晶片子堆叠制造技术

本文描述用于固持晶片或晶片子堆叠以便于进一步处理所述晶片子堆叠的技术。在一些实施中，晶片或晶片子堆叠由真空吸盘以可帮助减少所述晶片或晶片子堆叠的弯曲的方式固持。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开案涉及晶片堆叠(例如用于制造光电模块的那些晶片堆叠)的制造及组装。
技术介绍
光学器件(例如，照相机及集成照相机光学器件)有时集成到电子器件(例如，尤其是手机及计算机)中。以晶片级制造用于此类器件的有源及无源光学组件和有源及无源电子组件变得越来越有吸引力。一个原因是降低此类器件的成本的持续趋势。因此，在一些应用中，各种组件以晶片级进行制造及组装。晶片级封装或晶片堆叠可包括沿最小晶片尺寸(即，轴向方向)堆叠并彼此附接的多个晶片。晶片堆叠可包括并排设置的大体上相同的光学器件或光电器件。有时在此类晶片形成过程及晶片级组装过程期间发生的一个问题是晶片的轻微弯曲(例如，翘曲)。所述弯曲可例如由于晶片的相对小的厚度或由于晶片上的各种层而造成，所述层有时以不对称排列形成在晶片的整个表面上或在晶片的相对表面上具有不同密度。在某些情况下，弯曲可多达0.5mm，所述弯曲降低晶片的平面度且可导致晶片的一或多个表面上的特征的不可接受的不均匀性水平。当晶片堆叠在彼此上方时，弯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用复制工艺在晶片上形成特征的方法，所述方法包含：将晶片放置在真空吸盘上，其中所述晶片的面向所述真空吸盘的第一表面包括朝向所述真空吸盘凸出的特征，且其中所述真空吸盘包括中心凹入表面，硅胶垫安置在所述中心凹入表面上；将压力施加到所述晶片的在所述晶片的一侧上的第二表面，所述侧与所述晶片的第一表面相对，以使得所述晶片在所述晶片的第一表面上的所述特征接触所述硅胶垫，且其中所述晶片的所述第一表面的靠近所述晶片周边的部分接触包括真空通道的所述真空吸盘的升高部分；使用所述真空通道产生真空以将晶片固持到所述真空吸盘；及随后使复制工具接触所述晶片的所述第二表面以使用复制工艺在所述晶片的所述第二表面上形成特征...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.03 US 61/667,6591.一种使用复制工艺在晶片上形成特征的方法，所述方法包含：
将晶片放置在真空吸盘上，其中所述晶片的面向所述真空吸盘的第一表面
包括朝向所述真空吸盘凸出的特征，且其中所述真空吸盘包括中心凹入表面，
硅胶垫安置在所述中心凹入表面上；
将压力施加到所述晶片的在所述晶片的一侧上的第二表面，所述侧与所述
晶片的第一表面相对，以使得所述晶片在所述晶片的第一表面上的所述特征接
触所述硅胶垫，且其中所述晶片的所述第一表面的靠近所述晶片周边的部分接
触包括真空通道的所述真空吸盘的升高部分；
使用所述真空通道产生真空以将晶片固持到所述真空吸盘；及
随后使复制工具接触所述晶片的所述第二表面以使用复制工艺在所述晶片
的所述第二表面上形成特征。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述晶片是光学晶片，且所述晶片的朝
向所述真空吸盘凸出的所述特征是透镜元件。
3.一种在晶片上形成特征的方法，所述方法包含：
将晶片放置在真空吸盘上，其中所述晶片的面向所述真空吸盘的第一表面
包括朝向所述真空吸盘凸出的特征，且其中所述真空吸盘包括凹入表面，非粘
性、软性、弹性及非研磨性的材料安置在所述凹入表面上，以使得所述晶片的
所述特征接触所述真空吸盘的所述凹入表面上的所述材料，且其中所述晶片的
所述第一表面靠近所述晶片的周边的部分接触包括真空通道的所述真空吸盘的
升高部分；
产生真空以将所述晶片固持到所述真空吸盘；及
随后使复制工具接触所述晶片的在所述晶片的一侧上的第二表面，所述侧
与所述晶片的第一表面相对，以在所述晶片的所述第二表面上形成复制的特征。
4.如权利要求3所述的方法，所述方法进一步包括：在产生所述真空以将
所述晶片固持到所述真空吸盘之前将压力施加到所述晶片的所述第二表面。
5.如权利要求3所述的方法，其中将所述晶片放置在所述真空吸盘、产生
所述真空及使所述复制工具接触所述晶片的所述第二表面中的一或多者是自动
的。
6.如权利要求3所述的方法，其中所述非粘性、软性、弹性及非研磨性的
材料由硅胶组成。
7.如权利要求3所述的方法，其中所述非粘性、软性、弹性及非研磨性的
材料由硅基有机弹性聚合物组成。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述聚合物是聚二甲基硅氧烷。
9.如权利要求3所述的方法，其中所述晶片是光学晶片，且所述晶片的朝
向所述真空吸盘凸出的所述特征是透镜元件。
10.如权利要求3所述的方法，其中所述非粘性、软性、弹性及非研磨性
的材料的厚度为至少0.2mm。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述非粘性、软性、弹性及非研磨
性的材料的厚度为至少0.5mm。
12.一种形成晶片堆叠的方法，所述方法包含：
使用真空吸盘固持第一晶片，其中所述真空吸盘包括具有真空凹槽的第一
表面，其中所述真空吸盘的所述第一表面包括由所述真空凹槽围绕的中心区域
及围绕所述真空凹槽的外部区域，且其中所述真空吸盘的所述第一表面的所述
中心区域及所述外部区域处于大体上相同的高度，其中所述第一晶片的面向所
述真空吸盘的第一表面包括在所述第一表面上的多个特征，所述特征接触所述
真空吸盘的第一表面的所述中心区域，所述第一晶片的所述第一表面进一步包
括接触所述真空吸盘的第一表面的所述外部区域的密封环；及
使第二晶片接触所述第一晶片的第二表面，其中所述第一晶片的所述第二
表面在所述第一晶片的与所述第一晶片的第一表面相对的一侧上。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述密封环与所述第一晶片的所述
第一表面上的所述特征延伸超出所述第一晶片的所述第一表面大体上相同的距
离。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一晶片的所述第一表面上的
所述特征包含焊盘。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述焊盘及所述密封环中的每一者
包含电触点及焊膏。
16.如权利要求14所述的方法，其中所述特征及所述密封环中的每一者
由相同材料组成且延伸超出所述第一晶片的所述第一表面大体上相同的距离。
17.如权利要求14所述的方法，其中所述第二晶片是间隔晶片。
18.如权利要求12所述的方法，所述方法进一步包括：在产生所述真空
以将所述第一晶片固持到所述真空吸盘之前将压力施加到所述第一晶片的所述
第二表面。
19.如权利要求12所述的方法，其中将所述第一晶片放置在所述真空吸
盘、产生所述真空及使所述第二晶片接触所述第一晶片的所述第二表面中的一
或多个是自动的。
20.如权利要求12所述的方法，所述方法包括：产生...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈特穆特·鲁德曼，斯蒂芬·海曼加特纳，约翰·A·维达隆，
申请(专利权)人：赫普塔冈微光有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG