等离子体CVD装置用的晶片加热器制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体CVD装置用的晶片加热器，能够在晶片表面的整个面上以形成更均匀的膜厚的方式成膜。晶片加热器(10)由陶瓷制成，具备具有升降销通孔(11b)的晶片载置面(11a)，从晶片载置面(11a)侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路(13)和发热体电路(14)，在从与晶片载置面(11a)垂直的方向对这些高频电路(13)和发热体电路(14)这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于升降销通孔(11b)的周围且局部不存在高频电路(13)的环状区域内配置发热体电路(14)的一部分。

【技术实现步骤摘要】
等离子体CVD装置用的晶片加热器
本专利技术涉及半导体晶片的等离子体CVD(化emical Vapor D巧osition,化学气相 沉积）装置所使用的晶片加热器，特别是涉及埋设有高频电路W及发热体的晶片加热器。
技术介绍
-直W来，提出了在半导体设备的制造工序、检查工序中使用的晶片加热器的各 种结构。例如，作为等离子体CVD装置用的晶片加热器，如专利文献1所示，提出了将发热 体和等离子体电路埋设于不同层的大致圆板形状的晶片加热器，示出了如下技术：利用发 热体对放置于该晶片加热器的上表面的晶片载置面的半导体晶片进行加热，并且利用等离 子体电路在该晶片加热器的上部空间产生等离子体而对半导体晶片的表面进行成膜。 一般来说，在放置有半导体晶片并对其进行加热的上述晶片加热器中，设置有约 3?4处垂直地贯通晶片载置面的、也被称为升降销通孔的贯通孔，利用从该里出入的升降 销的上端部来支撑半导体晶片的下表面。由此来进行将处理前的半导体晶片放置于晶片载 置面或将处理完毕的半导体晶片从晶片载置面举起的操作。 专利文献1 ;日本特开2006-332068号公报 近本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片加热器，由陶瓷制成，具备具有升降销通孔的晶片载置面，该晶片加热器的特征在于，从上述晶片载置面侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路和发热体电路，在从与上述晶片载置面垂直的方向对上述高频电路和发热体电路这两个电路的图案进行投影的情况下，在形成于上述升降销通孔的周围且局部不存在上述高频电路的环状区域内配置有上述发热体电路的一部分。

【技术特征摘要】
2013.09.20 JP 2013-1961561. 一种晶片加热器，由陶瓷制成，具备具有升降销通孔的晶片载置面，该晶片加热器的 特征在于， 从上述晶片载置面侧开始依次埋设有等离子体CVD用的高频电路和发热体电路，在从...

【专利技术属性】
技术研发人员：三云晃，木村功一，夏原益宏，仲田博彦，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP